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Resultados de 1 a 10 de 14  para Produção Intelectual da USP

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1
Propriedades estruturais e eletrônicas do GaN em fases cúbica e hexagonal
Propriedades estruturais e eletrônicas do GaN em fases cúbica e hexagonal
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Propriedades estruturais e eletrônicas do GaN em fases cúbica e hexagonal

Juarez Lopes Ferreira da Silva J. R Leite (José Roberto); L M R Scolfaro; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (21. 1998 Caxambu)

Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Física, 1998

São Paulo Sociedade Brasileira de Física 1998

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2
Cálculo do espectro de fônons dos nitretos BN, AIN, GaN e InN
Cálculo do espectro de fônons dos nitretos BN, AIN, GaN e InN
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Cálculo do espectro de fônons dos nitretos BN, AIN, GaN e InN

A M Santos Euzi Conceicao Fernandes da Silva; J. R Leite (José Roberto); Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (24. 2001 São Lourenço)

Resumos São Paulo : SBF, 2001

São Paulo SBF 2001

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3
Evidence of Fabry-Pérot oscillations in the emission spectra of deep centers in cubic GaN epitaxial layers
Evidence of Fabry-Pérot oscillations in the emission spectra of deep centers in cubic GaN epitaxial layers
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Evidence of Fabry-Pérot oscillations in the emission spectra of deep centers in cubic GaN epitaxial layers

R. Trentin (Ricardo) A Tabata; J. R Leite (José Roberto); S W Silva; J C Galzerani; K Lischka; B Schottker; D Schikora; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (21. 1998 Caxambu)

Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Física, 1998

São Paulo Sociedade Brasileira de Física 1998

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4
Investigation of h-band emission in single heterojunctions doping role of Si atoms
Investigation of h-band emission in single heterojunctions doping role of Si atoms
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Investigation of h-band emission in single heterojunctions doping role of Si atoms

Fanyao Qu N O Dantas; J. R Leite (José Roberto); Euzi Conceicao Fernandes da Silva; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (24. 2001 São Lourenço)

Resumos São Paulo : SBF, 2001

São Paulo SBF 2001

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5
The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well
The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

The effect of illumination on the electronic structure of Si 'alfa'-dopped 'In IND.0.15' 'Ga IND.0.85' As/GaAs quantum well

Ademir Cavalheiro Eduardo Kojy Takahashi; Euzi Conceicao Fernandes da Silva; A. A Quivy (Alain André); J. R Leite (José Roberto); Eliermes Arraes MENESES; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (24. 2001 São Lourenço)

Resumos São Paulo : SBF, 2001

São Paulo SBF 2001

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6
The optical property of delta-dopped single heterojunctions growth direction effects
The optical property of delta-dopped single heterojunctions growth direction effects
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

The optical property of delta-dopped single heterojunctions growth direction effects

N O Dantas Fanyao Qu; J. R Leite (José Roberto); Euzi Conceicao Fernandes da Silva; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (24. 2001 São Lourenço)

Resumos São Paulo : SBF, 2001

São Paulo SBF 2001

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7
Study of the 2-dimensional to 3-dimensional transition in p-type multiple-delta-doped GaAs layers grown on top of (311)A GaAs substrates
Study of the 2-dimensional to 3-dimensional transition in p-type multiple-delta-doped GaAs layers grown on top of (311)A GaAs substrates
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Study of the 2-dimensional to 3-dimensional transition in p-type multiple-delta-doped GaAs layers grown on top of (311)A GaAs substrates

M Frizzarini E C F Silva; A. A Quivy (Alain André); J. R Leite (José Roberto); Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (21. 1998 Caxambu)

Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Física, 1998

São Paulo Sociedade Brasileira de Física 1998

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8
Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates
Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Concentration dependence of Si-doped GaAs layers grown by moleucular beam epitaxy on (311) A substrates

Marcos Frizzarini Alexander Luz Sperandio; Euzi Conceição Fernandes da Silva; A. A Quivy (Alain André); J. R Leite (José Roberto); Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (20. 1997 Caxambu)

Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Física, 1997

São Paulo Sociedade Brasileira de Física 1997

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9
The optical properties o delta-doped single heterojunctions growth direction effects
The optical properties o delta-doped single heterojunctions growth direction effects
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

The optical properties o delta-doped single heterojunctions growth direction effects

N O Dantas Fanyao Qu; J. R Leite (José Roberto); Euzi Conceicao Fernandes da Silva; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (24. 2001 São Lourenço)

Resumos São Paulo : SBF, 2001

São Paulo SBF 2001

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10
Raman scattering studies of the vibrational properties in non intentionally doped cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' 'N' layers
Raman scattering studies of the vibrational properties in non intentionally doped cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' 'N' layers
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Raman scattering studies of the vibrational properties in non intentionally doped cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X' 'N' layers

Marcionilio Teles de Oliveira Silva Jose Rafael Leon Fernandez; Yuri A Pusep; Valmir Antonio Chitta; Americo Tabata; Odille Cue Noriega; J. R Leite (José Roberto); Thomas Frey; Donat Joseph As; Klaus Lischka; Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (24. 2001 São Lourenço)

Resumos São Paulo : SBF, 2001

São Paulo SBF 2001

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