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1	Material Type: Artigo		Self-Assembled Monolayers of Alkylphosphonic Acid on GaN Substrates Ito, Takashi ; Forman, Sarah M ; Cao, Chundi ; Li, Feng ; Eddy, Charles R ; Mastro, Michael A ; Holm, Ronald T ; Henry, Richard L ; Hohn, Keith L ; Edgar, J. H Langmuir, 2008-07, Vol.24 (13), p.6630-6635 [Periódico revisado por pares] Washington, DC: American Chemical Society Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
2	Material Type: Artigo		Etch rates near hot-wall CVD growth temperature for Si-face 4H-SiC using H2 and C3H8 VANMIL, B. L ; LEW, K.-K ; MYERS-WARD, R. L ; HOLM, R. T ; GASKILL, D. K ; EDDY, C. R ; WANG, L ; ZHAO, P Journal of crystal growth, 2009, Vol.311 (2), p.238-243 [Periódico revisado por pares] Amsterdam: Elsevier Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
3	Material Type: Artigo		Investigation of three-step epilayer growth approach of GaN films to minimize compensation EDDY, C. R ; HOLM, R. T ; HENRY, R. L ; CULBERTSON, J. C ; TWIGG, M. E Journal of electronic materials, 2005-09, Vol.34 (9), p.1187-1192 [Periódico revisado por pares] New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
4	Material Type: Artigo		MOCVD growth of thick AlN and AlGaN superlattice structures on Si substrates Mastro, M.A. ; Eddy, C.R. ; Gaskill, D.K. ; Bassim, N.D. ; Casey, J. ; Rosenberg, A. ; Holm, R.T. ; Henry, R.L. ; Twigg, M.E. Journal of crystal growth, 2006-01, Vol.287 (2), p.610-614 [Periódico revisado por pares] Amsterdam: Elsevier B.V Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
5	$Diffraction Contrast of Threading Dislocations in GaN and 4H-SiC Epitaxial Layers Using Electron Channeling Contrast Imaging$ $Diffraction Contrast of Threading Dislocations in GaN and 4H-SiC Epitaxial Layers Using Electron Channeling Contrast Imaging$ Material Type: Artigo		Diffraction Contrast of Threading Dislocations in GaN and 4H-SiC Epitaxial Layers Using Electron Channeling Contrast Imaging Twigg, M. E. ; Picard, Y. N. ; Caldwell, J. D. ; Eddy, C. R. ; Mastro, M. A. ; Holm, R. T. ; Neudeck, P. G. ; Trunek, A. J. ; Powell, J. A. Journal of electronic materials, 2010-06, Vol.39 (6), p.743-746 [Periódico revisado por pares] Boston: Springer US Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
6	Material Type: Artigo		Characteristics of in situ Mg-doped GaN epilayers subjected to ultra-high-temperature microwave annealing using protective caps Sundaresan, Siddarth G ; Murthy, Madhu ; Rao, Mulpuri V ; Schreifels, John A ; Mastro, M A ; Eddy, Charles R ; Holm, R T ; Henry, R L ; Freitas, Jaime A ; Gomar-Nadal, Elba ; Vispute, R D ; Tian, Yong-Lai Semiconductor science and technology, 2007-10, Vol.22 (10), p.1151-1156 [Periódico revisado por pares] Bristol: IOP Publishing Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
7	Material Type: Artigo		Experimental study of plasmonically enhanced GaN nanowire light emitters Mastro, Michael A. ; Freitas Jr, Jaime A. ; Twigg, Mark ; Holm, R. T. ; Eddy Jr, Charles R. ; Kub, Fritz ; Kim, Hong-Yeol ; Ahn, Jaehui ; Kim, Jihyun Physica status solidi. A, Applications and materials science, 2008-02, Vol.205 (2), p.378-382 [Periódico revisado por pares] Berlin: WILEY-VCH Verlag Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
8	Material Type: Artigo		Rare-earth chloride seeded growth of GaN nano- and micro-crystals Mastro, M.A. ; Freitas, J.A. ; Holm, R.T. ; Eddy, C.R. ; Caldwell, J. ; Liu, K. ; Glembocki, O. ; Henry, R.L. ; Kim, J. Applied surface science, 2007-05, Vol.253 (14), p.6157-6161 [Periódico revisado por pares] Amsterdam: Elsevier B.V Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
9	Material Type: Artigo		Real loci of symplectic reductions Goldin, R. F. ; Holm, T. S. Transactions of the American Mathematical Society, 2004-11, Vol.356 (11), p.4623-4642 [Periódico revisado por pares] Providence, RI: American Mathematical Society Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por
10	Material Type: Artigo		Oxidation-reduction capacities of aquifer solids Barcelona, Michael J ; Holm, Thomas R Environmental science & technology, 1991-09, Vol.25 (9), p.1565-1572 [Periódico revisado por pares] Washington, DC: American Chemical Society Texto completo disponível Exibir Online Detalhes Resenhas & Tags Mais Opções Nº de Citações Citações Citado por

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