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Etch rates near hot-wall CVD growth temperature for Si-face 4H-SiC using H2 and C3H8
Etch rates near hot-wall CVD growth temperature for Si-face 4H-SiC using H2 and C3H8
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Etch rates near hot-wall CVD growth temperature for Si-face 4H-SiC using H2 and C3H8

VANMIL, B. L ; LEW, K.-K ; MYERS-WARD, R. L ; HOLM, R. T ; GASKILL, D. K ; EDDY, C. R ; WANG, L ; ZHAO, P

Journal of crystal growth, 2009, Vol.311 (2), p.238-243 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier

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2
Array of Two UV-Wavelength Detector Types
Array of Two UV-Wavelength Detector Types
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Array of Two UV-Wavelength Detector Types

Ngu, Yves ; Peckerar, M C ; Sander, D ; Eddy, Charles R ; Mastro, Michael A ; Hite, Jennifer K ; Holm, R T ; Henry, R L ; Tuchman, A

IEEE transactions on electron devices, 2010-06, Vol.57 (6), p.1224-1229 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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3
Infrared dielectric function of wurtzite aluminum nitride
Infrared dielectric function of wurtzite aluminum nitride
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Infrared dielectric function of wurtzite aluminum nitride

Moore, W. J. ; Freitas, J. A. ; Holm, R. T. ; Kovalenkov, O. ; Dmitriev, V.

Applied physics letters, 2005-04, Vol.86 (14), p.141912-141912-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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4
High-reflectance III-nitride distributed Bragg reflectors grown on Si substrates
High-reflectance III-nitride distributed Bragg reflectors grown on Si substrates
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High-reflectance III-nitride distributed Bragg reflectors grown on Si substrates

Mastro, M. A. ; Holm, R. T. ; Bassim, N. D. ; Eddy, C. R. ; Gaskill, D. K. ; Henry, R. L. ; Twigg, M. E.

Applied physics letters, 2005-12, Vol.87 (24) [Periódico revisado por pares]

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5
Plasmonically enhanced emission from a group-III nitride nanowire emitter
Plasmonically enhanced emission from a group-III nitride nanowire emitter
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Plasmonically enhanced emission from a group-III nitride nanowire emitter

Mastro, Michael A ; Freitas Jr, Jaime A ; Glembocki, Orest ; Eddy Jr, Charles R ; Holm, R T ; Henry, Rich L ; Caldwell, Josh ; Rendell, Ronald W ; Kub, Fritz ; Kim, J

Nanotechnology, 2007-07, Vol.18 (26), p.265401-265401 (4) [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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6
Investigation of three-step epilayer growth approach of GaN films to minimize compensation
Investigation of three-step epilayer growth approach of GaN films to minimize compensation
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Investigation of three-step epilayer growth approach of GaN films to minimize compensation

EDDY, C. R ; HOLM, R. T ; HENRY, R. L ; CULBERTSON, J. C ; TWIGG, M. E

Journal of electronic materials, 2005-09, Vol.34 (9), p.1187-1192 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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7
MOCVD growth of thick AlN and AlGaN superlattice structures on Si substrates
MOCVD growth of thick AlN and AlGaN superlattice structures on Si substrates
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MOCVD growth of thick AlN and AlGaN superlattice structures on Si substrates

Mastro, M.A. ; Eddy, C.R. ; Gaskill, D.K. ; Bassim, N.D. ; Casey, J. ; Rosenberg, A. ; Holm, R.T. ; Henry, R.L. ; Twigg, M.E.

Journal of crystal growth, 2006-01, Vol.287 (2), p.610-614 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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8
Lowered dislocation densities in uniform GaN layers grown on step-free (0001) 4H-SiC mesa surfaces
Lowered dislocation densities in uniform GaN layers grown on step-free (0001) 4H-SiC mesa surfaces
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Lowered dislocation densities in uniform GaN layers grown on step-free (0001) 4H-SiC mesa surfaces

Bassim, N. D. ; Twigg, M. E. ; Eddy, C. R. ; Culbertson, J. C. ; Mastro, M. A. ; Henry, R. L. ; Holm, R. T. ; Neudeck, P. G. ; Trunek, A. J. ; Powell, J. A.

Applied physics letters, 2005-01, Vol.86 (2), p.021902-021902-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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9
Nondestructive analysis of threading dislocations in GaN by electron channeling contrast imaging
Nondestructive analysis of threading dislocations in GaN by electron channeling contrast imaging
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Nondestructive analysis of threading dislocations in GaN by electron channeling contrast imaging

Picard, Y. N. ; Caldwell, J. D. ; Twigg, M. E. ; Eddy, C. R. ; Mastro, M. A. ; Henry, R. L. ; Holm, R. T. ; Neudeck, P. G. ; Trunek, A. J. ; Powell, J. A.

Applied physics letters, 2007-08, Vol.91 (9), p.094106-094106-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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10
Diffraction Contrast of Threading Dislocations in GaN and 4H-SiC Epitaxial Layers Using Electron Channeling Contrast Imaging
Diffraction Contrast of Threading Dislocations in GaN and 4H-SiC Epitaxial Layers Using Electron Channeling Contrast Imaging
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Diffraction Contrast of Threading Dislocations in GaN and 4H-SiC Epitaxial Layers Using Electron Channeling Contrast Imaging

Twigg, M. E. ; Picard, Y. N. ; Caldwell, J. D. ; Eddy, C. R. ; Mastro, M. A. ; Holm, R. T. ; Neudeck, P. G. ; Trunek, A. J. ; Powell, J. A.

Journal of electronic materials, 2010-06, Vol.39 (6), p.743-746 [Periódico revisado por pares]

Boston: Springer US

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