1
Material Type:
Relatório Técnico
Analysis of the leakage drain current carriers in SOI MOSFETs operating at high-temperatures
Marcello Bellodi João Antonio Martino 1959-
São Paulo EPUSP 2002
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2
Material Type:
Livro
An improved current model for edgeless SOI MOSFETs
Renato Camargo Giacomini João Antonio Martino 1959-
Martino J.A. ed ; Pavanello, M.A. ed ; Morimoto, N.I. ed Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003 Pennington : Electrochemical Society, 2003
Pennington Electrochemical Society 2003
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3
Material Type:
Livro
Comparison between the leakage drain current behavior in SOI nMOSFETs and SOI nMOSFETs operating at 300 o. C
Marcello Bellodi João Antonio Martino 1959-
Martino J.A. ed ; Pavanello, M.A. ed ; Morimoto, N.I. ed Microelectronic Technology and Devices SBMicro 2003 Pennington : Electrochemical Society, 2003
Pennington Electrochemical Society 2003
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4
Material Type:
Relatório Técnico
New methods for determining the silicon film doping concentration and the back interface oxide charge density using SOI-MOS capacitor
Victor Sonnenberg João Antonio Martino 1959-
São Paulo EPUSP 2002
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5
Material Type:
Relatório Técnico
Introduction to the SOI MOSFET dimension in the high-temperature leakage drain current model
Marcello Bellodi João Antonio Martino 1959-
São Paulo EPUSP 1997
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6
Material Type:
Livro
The leakage current composition in thin film SOI NMOSFETS at high temperatures
Marcello Bellodi João Antonio Martino 1959-
Morimoto, N.I.; Ribas, R.P.; Verdonck, P.B., eds Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002 Pennington : The Electrochemical Society, 2002
Pennington The Electrochemical Society 2002
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7
Material Type:
Livro
Study of the leakage drain current in graded-channel SOI nMOSFETs at high-temperatures
Marcello Bellodi João Antonio Martino 1959-
Cristoloveanu, S. et al Silicon-on-Insulator Technology and Devices XI. Pennington: Electrochemical Society, 2003
Pennington The Electrochemical Society 2003
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8
Material Type:
Relatório Técnico
Analysis of the subthreshold slope transition region in SOI nOSFET
Victor Sonnenberg João Antonio Martino 1959-
São Paulo EPUSP 1997
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9
Material Type:
Livro
Difference between kink and bipolar parasitic effects in thin film SOI MOSFET
Paulo Tetsuo Hoashi João Antonio Martino 1959-
Morimoto, N.I.; Ribas, R.P.; Verdonck, P.B., eds Microelectronics Technology and Devices SBMICRO 2002 Pennington : The Electrochemical Society, 2002
Pennington The Electrochemical Society 2002
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10
Material Type:
Relatório Técnico
A new technique to extract the oxide charge density at front and back interfaces of SOI nMOSFETs devices
Aparecido Sirley Nicolett João Antonio Martino 1959-
São Paulo EPUSP 2002
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