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Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms
Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms
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Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Influence of gate insulator and AlGaN barrier layer on MISHEMT conduction mechanisms

Bruno Godoy Canales João Antonio Martino 1959-; Paula Ghedini Der Agopian; Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro) (37th 2023 Rio de Janeiro, RJ, Brasil

SBMicro [Piscataway]: IEEE, 2023

Piscataway IEEE 2023

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Deste Autor:

  1. Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro)
  2. Canales, B
  3. Martino, J
  4. Agopian, P

Neste Assunto:

  1. Transistores
  2. Semicondutores

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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