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A physics based compact model of I–V and C–V characteristics in AlGaN/GaN HEMT devices
A physics based compact model of I–V and C–V characteristics in AlGaN/GaN HEMT devices
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A physics based compact model of I–V and C–V characteristics in AlGaN/GaN HEMT devices

Khandelwal, Sourabh ; Fjeldly, T.A.

Solid-state electronics, 2012-10, Vol.76, p.60-66 [Periódico revisado por pares]

Kidlington: Elsevier Ltd

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2
Si/SiGe heterostructures: from material and physics to devices and circuits
Si/SiGe heterostructures: from material and physics to devices and circuits
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Si/SiGe heterostructures: from material and physics to devices and circuits

Paul, Douglas J

Semiconductor science and technology, 2004-10, Vol.19 (10), p.R75-R108 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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3
Junctionless Nanowire Transistor (JNT): Properties and design guidelines
Junctionless Nanowire Transistor (JNT): Properties and design guidelines
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Junctionless Nanowire Transistor (JNT): Properties and design guidelines

Colinge, J.P. ; Kranti, A. ; Yan, R. ; Lee, C.W. ; Ferain, I. ; Yu, R. ; Dehdashti Akhavan, N. ; Razavi, P.

Solid-state electronics, 2011-11, Vol.65-66, p.33-37 [Periódico revisado por pares]

Kidlington: Elsevier Ltd

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4
Ammonia gas sensing behavior of graphene surface decorated with gold nanoparticles
Ammonia gas sensing behavior of graphene surface decorated with gold nanoparticles
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Ammonia gas sensing behavior of graphene surface decorated with gold nanoparticles

Gautam, Madhav ; Jayatissa, Ahalapitiya H.

Solid-state electronics, 2012-12, Vol.78, p.159-165 [Periódico revisado por pares]

Kidlington: Elsevier Ltd

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5
Drain-conductance optimization in nanowire TFETs by means of a physics-based analytical model
Drain-conductance optimization in nanowire TFETs by means of a physics-based analytical model
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Drain-conductance optimization in nanowire TFETs by means of a physics-based analytical model

Gnani, E. ; Gnudi, A. ; Reggiani, S. ; Baccarani, G.

Solid-state electronics, 2013-06, Vol.84, p.96-102 [Periódico revisado por pares]

Kidlington: Elsevier Ltd

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6
Analytical model for ultra-thin body junctionless symmetric double gate MOSFETs in subthreshold regime
Analytical model for ultra-thin body junctionless symmetric double gate MOSFETs in subthreshold regime
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Analytical model for ultra-thin body junctionless symmetric double gate MOSFETs in subthreshold regime

Jazaeri, F. ; Barbut, L. ; Koukab, A. ; Sallese, J.-M.

Solid-state electronics, 2013-04, Vol.82, p.103-110 [Periódico revisado por pares]

Kidlington: Elsevier Ltd

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7
A review on fabrication, sensing mechanisms and performance of metal oxide gas sensors
A review on fabrication, sensing mechanisms and performance of metal oxide gas sensors
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A review on fabrication, sensing mechanisms and performance of metal oxide gas sensors

Gardon, M. ; Guilemany, J. M.

Journal of materials science. Materials in electronics, 2013-05, Vol.24 (5), p.1410-1421 [Periódico revisado por pares]

Boston: Springer US

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8
Microwave ferrites, part 1: fundamental properties
Microwave ferrites, part 1: fundamental properties
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Microwave ferrites, part 1: fundamental properties

Özgür, Ümit ; Alivov, Yahya ; Morkoç, Hadis

Journal of materials science. Materials in electronics, 2009-09, Vol.20 (9), p.789-834 [Periódico revisado por pares]

Boston: Springer US

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9
Thin-film solar cells : review of materials, technologies and commercial status
Thin-film solar cells : review of materials, technologies and commercial status
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Thin-film solar cells : review of materials, technologies and commercial status

GREEN, Martin A

Journal of materials science. Materials in electronics, 2007-10, Vol.18 (S1), p.15-19 [Periódico revisado por pares]

Norwell, MA: Springer

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10
Barrier/bonding layers on bismuth telluride (Bi2Te3) for high temperature thermoelectric modules
Barrier/bonding layers on bismuth telluride (Bi2Te3) for high temperature thermoelectric modules
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Barrier/bonding layers on bismuth telluride (Bi2Te3) for high temperature thermoelectric modules

Lin, Wen P. ; Wesolowski, Daniel E. ; Lee, Chin C.

Journal of materials science. Materials in electronics, 2011-09, Vol.22 (9), p.1313-1320 [Periódico revisado por pares]

Boston: Springer US

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