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Gate length dependence of the shallow trench isolation leakage current in an irradiated deep submicron NMOSFET
Gate length dependence of the shallow trench isolation leakage current in an irradiated deep submicron NMOSFET
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Gate length dependence of the shallow trench isolation leakage current in an irradiated deep submicron NMOSFET

刘张李 胡志远 张正选 邵华 陈明 毕大炜 宁冰旭 邹世昌

Journal of semiconductors, 2011-06, Vol.32 (6), p.36-39 [Periódico revisado por pares]

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Process optimization of a deep trench isolation structure for high voltage SOI devices
Process optimization of a deep trench isolation structure for high voltage SOI devices
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Process optimization of a deep trench isolation structure for high voltage SOI devices

Zhu, Kuiying (奎英 朱) ; Qian, Qinsong (钦松 钱) ; Zhu, Jing (靖祝) ; Sun, Weifeng (伟锋 孙)

Journal of semiconductors, 2010-12, Vol.31 (12), p.62-65 [Periódico revisado por pares]

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Fabrication of high-voltage light emitting diodes with a deep isolation groove structure
Fabrication of high-voltage light emitting diodes with a deep isolation groove structure
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Fabrication of high-voltage light emitting diodes with a deep isolation groove structure

丁艳 郭伟玲 朱彦旭 刘莹 刘建朋 闫薇薇

半导体学报, 2012, Vol.33 (9), p.74-77 [Periódico revisado por pares]

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A new integrated SOI power device based on self-isolation technology
A new integrated SOI power device based on self-isolation technology
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A new integrated SOI power device based on self-isolation technology

高唤梅 罗小蓉 张伟 邓浩 雷天飞

Journal of semiconductors, 2010-08, Vol.31 (8), p.98-103 [Periódico revisado por pares]

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Influence of drain and substrate bias on the TID effect for deep submicron technology devices
Influence of drain and substrate bias on the TID effect for deep submicron technology devices
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Influence of drain and substrate bias on the TID effect for deep submicron technology devices

黄辉祥 刘张李 胡志远 张正选 陈明 毕大炜 邹世昌

Journal of semiconductors, 2012-04, Vol.33 (4), p.64-68 [Periódico revisado por pares]

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Reducing the influence of STI on SONOS memory through optimizing added boron implantation technology
Reducing the influence of STI on SONOS memory through optimizing added boron implantation technology
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Reducing the influence of STI on SONOS memory through optimizing added boron implantation technology

徐跃 闫锋 李志国 杨帆 王永刚 常建光

Journal of semiconductors, 2010-09, Vol.31 (9), p.21-24 [Periódico revisado por pares]

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A novel circuit architecture for fourth subharmonic mixers
A novel circuit architecture for fourth subharmonic mixers
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A novel circuit architecture for fourth subharmonic mixers

姚常飞 许从海 周明 罗运生

Journal of semiconductors, 2012-06, Vol.33 (6), p.56-60 [Periódico revisado por pares]

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A millimeter-wave monolithic doubly balanced diode mixer
A millimeter-wave monolithic doubly balanced diode mixer
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A millimeter-wave monolithic doubly balanced diode mixer

李芹 壬志功 徐雷钧

Journal of semiconductors, 2010-03, Vol.31 (3), p.90-94 [Periódico revisado por pares]

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Design of a monolithic millimeter-wave doubly-balanced mixer in GaAs
Design of a monolithic millimeter-wave doubly-balanced mixer in GaAs
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Design of a monolithic millimeter-wave doubly-balanced mixer in GaAs

徐雷钧 王志功 李芹

Journal of semiconductors, 2009-08, Vol.30 (8), p.119-122 [Periódico revisado por pares]

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10
A physical-based pMOSFETs threshold voltage model including the STI stress effect
A physical-based pMOSFETs threshold voltage model including the STI stress effect
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A physical-based pMOSFETs threshold voltage model including the STI stress effect

吴畏 杜刚 刘晓彦 孙雷 康晋峰 韩汝琦

Journal of semiconductors, 2011-05, Vol.32 (5), p.57-61 [Periódico revisado por pares]

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