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gm/Id Analysis of vertical nanowire III–V TFETs
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gm/Id Analysis of vertical nanowire III–V TFETs

Rangasamy, Gautham ; Zhu, Zhongyunshen ; Ohlsson Fhager, Lars ; Wernersson, Lars-Erik

Electronics letters, 2023-09, Vol.59 (18) [Periódico revisado por pares]

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2
Demonstration of a Transportable Fabry-Pérot Refractometer by a Ring-Type Comparison of Dead-Weight Pressure Balances at Four European National Metrology Institutes
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Artigo
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Demonstration of a Transportable Fabry-Pérot Refractometer by a Ring-Type Comparison of Dead-Weight Pressure Balances at Four European National Metrology Institutes

Forssén, Clayton ; Silander, Isak ; Zakrisson, Johan ; Amer, Eynas ; Szabo, David ; Bock, Thomas ; Kussike, André ; Rubin, Tom ; Mari, Domenico ; Pasqualin, Stefano ; Silvestri, Zaccaria ; Bentouati, Djilali ; Axner, Ove ; Zelan, Martin

Sensors (Basel, Switzerland), 2024-01, Vol.24 (1), p.7 [Periódico revisado por pares]

Switzerland: MDPI AG

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3
Energy Stored by Radiating Systems
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Energy Stored by Radiating Systems

Schab, Kurt ; Jelinek, Lukas ; Capek, Miloslav ; Ehrenborg, Casimir ; Tayli, Doruk ; Vandenbosch, Guy A. E. ; Gustafsson, Mats

IEEE access, 2018-01, Vol.6, p.10553-10568 [Periódico revisado por pares]

Piscataway: IEEE

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4
Optimal frequency combination estimation for accurate ultrasound non-destructive testing
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Artigo
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Optimal frequency combination estimation for accurate ultrasound non-destructive testing

Kumar, A ; Shakya, S ; Goswami, M

Electronics letters, 2020-09, Vol.56 (19), p.1022-1024 [Periódico revisado por pares]

The Institution of Engineering and Technology

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5
Electrical Properties of Vertical InAs/InGaAs Heterostructure MOSFETs
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Electrical Properties of Vertical InAs/InGaAs Heterostructure MOSFETs

Kilpi, Olli-Pekka ; Svensson, Johannes ; Lind, Erik ; Wernersson, Lars-Erik

IEEE journal of the Electron Devices Society, 2019, Vol.7, p.70-75 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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6
III-V Heterostructure Nanowire Tunnel FETs
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III-V Heterostructure Nanowire Tunnel FETs

Lind, Erik ; Memisevic, Elvedin ; Dey, Anil W. ; Wernersson, Lars-Erik

IEEE journal of the Electron Devices Society, 2015-05, Vol.3 (3), p.96-102 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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7
Ultra-Scaled AlOx Diffusion Barriers for Multibit HfOx RRAM Operation
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Artigo
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Ultra-Scaled AlOx Diffusion Barriers for Multibit HfOx RRAM Operation

Persson, Karl-Magnus ; Ram, Mamidala Saketh ; Wernersson, Lars-Erik

IEEE journal of the Electron Devices Society, 2021-01, Vol.9, p.564-569 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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8
A Method for Determining Trap Distributions of Specific Channel Surfaces in InGaAs Tri-Gate MOSFETs
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Artigo
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A Method for Determining Trap Distributions of Specific Channel Surfaces in InGaAs Tri-Gate MOSFETs

Netsu, Seiko ; Hellenbrand, Markus ; Zota, Cezar B. ; Miyamoto, Yasuyuki ; Lind, Erik

IEEE journal of the Electron Devices Society, 2018-01, Vol.6, p.408-412 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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9
5G SLAM Using the Clustering and Assignment Approach with Diffuse Multipath
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Artigo
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5G SLAM Using the Clustering and Assignment Approach with Diffuse Multipath

Ge, Yu ; Wen, Fuxi ; Kim, Hyowon ; Zhu, Meifang ; Jiang, Fan ; Kim, Sunwoo ; Svensson, Lennart ; Wymeersch, Henk

Sensors (Basel, Switzerland), 2020-08, Vol.20 (16), p.4656 [Periódico revisado por pares]

Switzerland: MDPI AG

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10
The World's First Real-Time Testbed for Massive MIMO: Design, Implementation, and Validation
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The World's First Real-Time Testbed for Massive MIMO: Design, Implementation, and Validation

Malkowsky, Steffen ; Vieira, Joao ; Liang Liu ; Harris, Paul ; Nieman, Karl ; Kundargi, Nikhil ; Wong, Ian C. ; Tufvesson, Fredrik ; Owall, Viktor ; Edfors, Ove

IEEE access, 2017-01, Vol.5, p.9073-9088 [Periódico revisado por pares]

Piscataway: IEEE

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