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Inverse design of high-dimensional quantum optical circuits in a complex medium
Inverse design of high-dimensional quantum optical circuits in a complex medium
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Inverse design of high-dimensional quantum optical circuits in a complex medium

Goel, Suraj ; Leedumrongwatthanakun, Saroch ; Valencia, Natalia Herrera ; McCutcheon, Will ; Tavakoli, Armin ; Conti, Claudio ; Pinkse, Pepijn W. H. ; Malik, Mehul

Nature physics, 2024-02, Vol.20 (2), p.232-239 [Periódico revisado por pares]

London: Nature Publishing Group

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Reduced annealing temperature for ferroelectric HZO on InAs with enhanced polarization
Reduced annealing temperature for ferroelectric HZO on InAs with enhanced polarization
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Reduced annealing temperature for ferroelectric HZO on InAs with enhanced polarization

Persson, Anton E. O. ; Athle, Robin ; Littow, Pontus ; Persson, Karl-Magnus ; Svensson, Johannes ; Borg, Mattias ; Wernersson, Lars-Erik

Applied physics letters, 2020-02, Vol.116 (6) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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InAs/InGaAsSb/GaSb Nanowire Tunnel Field-Effect Transistors
InAs/InGaAsSb/GaSb Nanowire Tunnel Field-Effect Transistors
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InAs/InGaAsSb/GaSb Nanowire Tunnel Field-Effect Transistors

Memisevic, Elvedin ; Svensson, Johannes ; Lind, Erik ; Wernersson, Lars-Erik

IEEE transactions on electron devices, 2017-11, Vol.64 (11), p.4746-4751 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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4
Frequency modulations due to domain dynamics in terahertz quantum cascade lasers
Frequency modulations due to domain dynamics in terahertz quantum cascade lasers
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Frequency modulations due to domain dynamics in terahertz quantum cascade lasers

Önder, E. ; Winge, D. O. ; Franckié, M. ; Forrer, A. ; Senica, U. ; Scalari, G. ; Wacker, A.

Journal of applied physics, 2023-03, Vol.133 (12) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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Low-Temperature Characteristics of Nanowire Network Demultiplexer for Qubit Biasing
Low-Temperature Characteristics of Nanowire Network Demultiplexer for Qubit Biasing
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Low-Temperature Characteristics of Nanowire Network Demultiplexer for Qubit Biasing

Södergren, Lasse ; Olausson, Patrik ; Lind, Erik

Nano letters, 2022-05, Vol.22 (10), p.3884-3888 [Periódico revisado por pares]

United States: American Chemical Society

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6
Fused silica microchannel fabrication with smooth surface and high etching selectivity
Fused silica microchannel fabrication with smooth surface and high etching selectivity
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Fused silica microchannel fabrication with smooth surface and high etching selectivity

Morikawa, Kyojiro ; Chen, Po-yin ; Tran, Hai Linh ; Kazoe, Yutaka ; Chen, Chihchen ; Kitamori, Takehiko

Journal of micromechanics and microengineering, 2023-04, Vol.33 (4), p.47001 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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Capacitance and Mobility Evaluation for Normally-Off Fully-Vertical GaN FinFETs
Capacitance and Mobility Evaluation for Normally-Off Fully-Vertical GaN FinFETs
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Capacitance and Mobility Evaluation for Normally-Off Fully-Vertical GaN FinFETs

Gribisch, Philipp ; Carrascon, Rosalia Delgado ; Darakchieva, Vanya ; Lind, Erik

IEEE transactions on electron devices, 2023-08, Vol.70 (8), p.1-7 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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8
As-deposited ferroelectric HZO on a III–V semiconductor
As-deposited ferroelectric HZO on a III–V semiconductor
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As-deposited ferroelectric HZO on a III–V semiconductor

Andersen, André ; Persson, Anton E. O. ; Wernersson, Lars-Erik

Applied physics letters, 2022-07, Vol.121 (1), p.012901 [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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Tuning of Quasi-Vertical GaN FinFETs Fabricated on SiC Substrates
Tuning of Quasi-Vertical GaN FinFETs Fabricated on SiC Substrates
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Tuning of Quasi-Vertical GaN FinFETs Fabricated on SiC Substrates

Gribisch, Philipp ; Carrascon, Rosalia Delgado ; Darakchieva, Vanya ; Lind, Erik

IEEE transactions on electron devices, 2023-05, Vol.70 (5), p.1-7 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Vertical InAs/InGaAs Heterostructure Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors on Si
Vertical InAs/InGaAs Heterostructure Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors on Si
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Vertical InAs/InGaAs Heterostructure Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistors on Si

Kilpi, Olli-Pekka ; Svensson, Johannes ; Wu, Jun ; Persson, Axel R ; Wallenberg, Reine ; Lind, Erik ; Wernersson, Lars-Erik

Nano letters, 2017-10, Vol.17 (10), p.6006-6010 [Periódico revisado por pares]

United States: American Chemical Society

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