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InAs/InGaAsSb/GaSb Nanowire Tunnel Field-Effect Transistors
InAs/InGaAsSb/GaSb Nanowire Tunnel Field-Effect Transistors
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InAs/InGaAsSb/GaSb Nanowire Tunnel Field-Effect Transistors

Memisevic, Elvedin ; Svensson, Johannes ; Lind, Erik ; Wernersson, Lars-Erik

IEEE transactions on electron devices, 2017-11, Vol.64 (11), p.4746-4751 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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Capacitance and Mobility Evaluation for Normally-Off Fully-Vertical GaN FinFETs
Capacitance and Mobility Evaluation for Normally-Off Fully-Vertical GaN FinFETs
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Capacitance and Mobility Evaluation for Normally-Off Fully-Vertical GaN FinFETs

Gribisch, Philipp ; Carrascon, Rosalia Delgado ; Darakchieva, Vanya ; Lind, Erik

IEEE transactions on electron devices, 2023-08, Vol.70 (8), p.1-7 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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Tuning of Quasi-Vertical GaN FinFETs Fabricated on SiC Substrates
Tuning of Quasi-Vertical GaN FinFETs Fabricated on SiC Substrates
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Tuning of Quasi-Vertical GaN FinFETs Fabricated on SiC Substrates

Gribisch, Philipp ; Carrascon, Rosalia Delgado ; Darakchieva, Vanya ; Lind, Erik

IEEE transactions on electron devices, 2023-05, Vol.70 (5), p.1-7 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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4
Impact of Temperature-Induced Oxide Defects on HfxZr1−xO2 Ferroelectric Tunnel Junction Memristor Performance
Impact of Temperature-Induced Oxide Defects on HfxZr1−xO2 Ferroelectric Tunnel Junction Memristor Performance
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Impact of Temperature-Induced Oxide Defects on HfxZr1−xO2 Ferroelectric Tunnel Junction Memristor Performance

Athle, Robin ; Borg, Mattias

IEEE transactions on electron devices, 2023-03, Vol.70 (3), p.1412-1416 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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5
An Acceleration Sensing Method Based on the Mode Localization of Weakly Coupled Resonators
An Acceleration Sensing Method Based on the Mode Localization of Weakly Coupled Resonators
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An Acceleration Sensing Method Based on the Mode Localization of Weakly Coupled Resonators

Hemin Zhang ; Boyang Li ; Weizheng Yuan ; Kraft, Michael ; Honglong Chang

Journal of microelectromechanical systems, 2016-04, Vol.25 (2), p.286-296 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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6
HTS Pancake Coils Without Turn-to-Turn Insulation
HTS Pancake Coils Without Turn-to-Turn Insulation
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HTS Pancake Coils Without Turn-to-Turn Insulation

Seungyong Hahn ; Dong Keun Park ; Bascunan, J ; Iwasa, Y

IEEE transactions on applied superconductivity, 2011-06, Vol.21 (3), p.1592-1595 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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Radio-Frequency Characterization of Selectively Regrown InGaAs Lateral Nanowire MOSFETs
Radio-Frequency Characterization of Selectively Regrown InGaAs Lateral Nanowire MOSFETs
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Radio-Frequency Characterization of Selectively Regrown InGaAs Lateral Nanowire MOSFETs

Zota, Cezar B. ; Roll, Guntrade ; Wernersson, Lars-Erik ; Lind, Erik

IEEE transactions on electron devices, 2014-12, Vol.61 (12), p.4078-4083 [Periódico revisado por pares]

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8
A Review and Perspective on Optical Phased Array for Automotive LiDAR
A Review and Perspective on Optical Phased Array for Automotive LiDAR
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A Review and Perspective on Optical Phased Array for Automotive LiDAR

Hsu, Ching-Pai ; Li, Boda ; Solano-Rivas, Braulio ; Gohil, Amar R. ; Chan, Pak Hung ; Moore, Andrew D. ; Donzella, Valentina

IEEE journal of selected topics in quantum electronics, 2021-01, Vol.27 (1), p.1-16 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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Convolutional Neural Network for Wafer Surface Defect Classification and the Detection of Unknown Defect Class
Convolutional Neural Network for Wafer Surface Defect Classification and the Detection of Unknown Defect Class
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Convolutional Neural Network for Wafer Surface Defect Classification and the Detection of Unknown Defect Class

Cheon, Sejune ; Lee, Hankang ; Kim, Chang Ouk ; Lee, Seok Hyung

IEEE transactions on semiconductor manufacturing, 2019-05, Vol.32 (2), p.163-170 [Periódico revisado por pares]

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10
Cryogenic Characteristics of InGaAs MOSFET
Cryogenic Characteristics of InGaAs MOSFET
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Cryogenic Characteristics of InGaAs MOSFET

Sodergren, L. ; Olausson, P. ; Lind, E.

IEEE transactions on electron devices, 2023-03, Vol.70 (3), p.1226-1230 [Periódico revisado por pares]

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