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21
Low-Frequency Noise Analysis and Modeling in Vertical Tunnel FETs With Ge Source
Low-Frequency Noise Analysis and Modeling in Vertical Tunnel FETs With Ge Source
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Low-Frequency Noise Analysis and Modeling in Vertical Tunnel FETs With Ge Source

Felipe S Neves Paula Ghedini Der Agopian; B Cretu; Rita Rooyackers; A Vandooren; Eddy Simoen; Aaron Thean; João Antonio Martino 1959-

IEEE Transactions on Electron Devices v. 63, n. 4, p. 1658-1665, Abr 2016

2016

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22
Simple method for the determination of the interface trap density at 77k in fully depleted acumulation mode soi mosfets
Simple method for the determination of the interface trap density at 77k in fully depleted acumulation mode soi mosfets
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Simple method for the determination of the interface trap density at 77k in fully depleted acumulation mode soi mosfets

João Antonio Martino 1959- Eddy Simoen; Ulf Magnusson; Antônio Luís Pacheco Rotondaro; Cor Claeys

v.36, n.6 , p.827-32, jun. 1993 Solid State Electronics

1993

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23
Transient effects in accumulation mode p-channel soi - mosfets operating at 77k
Transient effects in accumulation mode p-channel soi - mosfets operating at 77k
Material Type:
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Transient effects in accumulation mode p-channel soi - mosfets operating at 77k

João Antonio Martino 1959- Antônio Luís Pacheco Rotondaro; Eddy Simoen; Ulf Magnusson; Cor Claeys

New York v.41, n.4 , p.519-23, apr. 1994 Ieee Transactions on Electron Devices

New York 1994

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24
Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom)
Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Método simples para obtenção de variação da carga efetiva no óxido de um SOI-MOSFET em função da radiação. (em CD-Rom)

J Bertini João Antonio Martino 1959-; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

Itajubá SBMICRO/EFEI 1997

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25
Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom)
Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Analysis of the series resistance and effective channel lenght extraction of submicron MOS transistors operating at high temperature. (em CD-Rom)

Aparecido Sirley Nicolett João Antonio Martino 1959-; E A Gutierrez; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

Itajubá SBMICRO/EFEI 1997

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26
Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom)
Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom)

Marcello Bellodi João Antonio Martino 1959-; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

Itajubá SBMICRO/EFEI 1997

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27
A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom)
A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A new SOI MOSFET structure to reduce the parasitic bipolar effect in SOI MOSFETs. (em CD-Rom)

Marcelo Antonio Pavanello João Antonio Martino 1959-; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

Itajubá SBMICRO/EFEI 1997

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28
A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in accumulation-mode P-channel SOI MOSFETs. (em CD-Rom)
A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in accumulation-mode P-channel SOI MOSFETs. (em CD-Rom)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A new method for determination of the fixed charge density at the buried oxide/underlying substrate interface in accumulation-mode P-channel SOI MOSFETs. (em CD-Rom)

João Antonio Martino 1959- Marcelo Antonio Pavanello; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

Itajubá SBMICRO/EFEI 1997

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29
Influence of the back interface accumulation on the interface traps density extraction in thin film SOI nMOSFET
Influence of the back interface accumulation on the interface traps density extraction in thin film SOI nMOSFET
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Influence of the back interface accumulation on the interface traps density extraction in thin film SOI nMOSFET

Victor Sonnenberg João Antonio Martino 1959-; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

Itajubá SBMICRO/EFEI 1997

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30
Análise de extração da resistência série em transistores SOI MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom)
Análise de extração da resistência série em transistores SOI MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom)
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Análise de extração da resistência série em transistores SOI MOSFET de porta gêmea. (em CD-Rom)

P T Hoashi João Antonio Martino 1959-; Conference of the Brazilian Microelectronics Society (12. 1997 Caxambu)

Proceedings Itajubá : SBMICRO/EFEI, 1997

Itajubá SBMICRO/EFEI 1997

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Deste Autor:

  1. Martino, J
  2. Simoen, E
  3. Agopian, P
  4. Claeys, C
  5. Rooyackers, R

Neste Assunto:

  1. Semicondutores
  2. Transistores
  3. Microeletrônica
  4. Circuitos Integrados
  5. Silício

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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