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| 1 |
Material Type: Artigo
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Growth and Analysis of HgCdTe on Alternate SubstratesBenson, J.D. ; Bubulac, L.O. ; Smith, P.J. ; Jacobs, R.N. ; Markunas, J.K. ; Jaime-Vasquez, M. ; Almeida, L.A. ; Stoltz, A. ; Arias, J.M. ; Brill, G. ; Chen, Y. ; Wijewarnasuriya, P.S. ; Farrell, S. ; Lee, U.Journal of electronic materials, 2012-10, Vol.41 (10), p.2971-2974 [Periódico revisado por pares]Boston: Springer USTexto completo disponível |
| 2 |
Material Type: Artigo
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Development of MBE II–VI Epilayers on GaAs(211)BJacobs, R.N. ; Nozaki, C. ; Almeida, L.A. ; Jaime-Vasquez, M. ; Lennon, C. ; Markunas, J.K. ; Benson, D. ; Smith, P. ; Zhao, W.F. ; Smith, D.J. ; Billman, C. ; Arias, J. ; Pellegrino, J.Journal of electronic materials, 2012-10, Vol.41 (10), p.2707-2713 [Periódico revisado por pares]Boston: Springer USTexto completo disponível |
| 3 |
Material Type: Artigo
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Characterization of n-Type and p-Type Long-Wave InAs/InAsSb SuperlatticesBrown, A. E. ; Baril, N. ; Zuo, D. ; Almeida, L. A. ; Arias, J. ; Bandara, S.Journal of electronic materials, 2017-09, Vol.46 (9), p.5367-5373 [Periódico revisado por pares]New York: Springer USTexto completo disponível |
| 4 |
Material Type: Artigo
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Impact of Tellurium Precipitates in CdZnTe Substrates on MBE HgCdTe DepositionBenson, J. D. ; Bubulac, L. O. ; Smith, P. J. ; Jacobs, R. N. ; Markunas, J. K. ; Jaime-Vasquez, M. ; Almeida, L. A. ; Stoltz, A. ; Wijewarnasuriya, P. S. ; Brill, G. ; Chen, Y. ; Peterson, J. ; Reddy, M. ; Vilela, M. F. ; Johnson, S. M. ; Lofgreen, D. D. ; Yulius, A. ; Bostrup, G. ; Carmody, M. ; Lee, D. ; Couture, S.Journal of electronic materials, 2014-11, Vol.43 (11), p.3993-3998 [Periódico revisado por pares]Boston: Springer USTexto completo disponível |
| 5 |
Material Type: Artigo
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Defects and the Formation of Impurity ‘Hot Spots’ in HgCdTe/CdZnTeBenson, J. D. ; Bubulac, L. O. ; Jacobs, R. N. ; Wang, A. ; Arias, J. M. ; Almeida, L. A. ; Stoltz, A. ; Reddy, M. ; Peterson, J. M. ; Johnson, S. M. ; Bangs, J. W. ; Lofgreen, D. D.Journal of electronic materials, 2019-10, Vol.48 (10), p.6194-6202 [Periódico revisado por pares]New York: Springer USTexto completo disponível |
| 6 |
Material Type: Artigo
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Correlation of Etch Pits and Dislocations in As-grown and Thermal Cycle-Annealed HgCdTe(211) FilmsVaghayenegar, M. ; Jacobs, R. N. ; Benson, J. D. ; Stoltz, A. J. ; Almeida, L. A. ; Smith, David J.Journal of electronic materials, 2017-08, Vol.46 (8), p.5007-5019 [Periódico revisado por pares]New York: Springer USTexto completo disponível |
| 7 |
Material Type: Artigo
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A Review of the Characterization Techniques for the Analysis of Etch Processed Surfaces of HgCdTe and Related CompoundsStoltz, A. J. ; Benson, J. D. ; Jaime-Vasquez, M. ; Smith, P. J. ; Almeida, L. A. ; Jacobs, R. ; Markunas, J. ; Brogden, K. ; Brown, A. ; Lennon, C. ; Maloney, P. ; Supola, N.Journal of electronic materials, 2014-09, Vol.43 (9), p.3708-3717 [Periódico revisado por pares]Boston: Springer USTexto completo disponível |
| 8 |
Material Type: Artigo
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Real-Time In Situ Monitoring of GaAs (211) Oxide Desorption and CdTe Growth by Spectroscopic EllipsometryLennon, C.M. ; Almeida, L.A. ; Jacobs, R.N. ; Markunas, J.K. ; Smith, P.J. ; Arias, J. ; Brown, A.E. ; Pellegrino, J.Journal of electronic materials, 2012-10, Vol.41 (10), p.2965-2970 [Periódico revisado por pares]Boston: Springer USTexto completo disponível |
| 9 |
Material Type: Artigo
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Impact of CdZnTe Substrates on MBE HgCdTe DepositionBenson, J. D. ; Bubulac, L. O. ; Jaime-Vasquez, M. ; Arias, J. M. ; Smith, P. J. ; Jacobs, R. N. ; Markunas, J. K. ; Almeida, L. A. ; Stoltz, A. ; Wijewarnasuriya, P. S. ; Peterson, J. ; Reddy, M. ; Jones, K. ; Johnson, S. M. ; Lofgreen, D. D.Journal of electronic materials, 2017-09, Vol.46 (9), p.5418-5423 [Periódico revisado por pares]New York: Springer USTexto completo disponível |
| 10 |
Material Type: Artigo
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Impurity ‘Hot Spots’ in MBE HgCdTe/CdZnTeBenson, J. D. ; Bubulac, L. O. ; Wang, A. ; Jacobs, R. N. ; Arias, J. M. ; Jaime-Vasquez, M. ; Smith, P. J. ; Almeida, L. A. ; Stoltz, A. ; Wijewarnasuriya, P. S. ; Yulius, A. ; Carmody, M. ; Reddy, M. ; Peterson, J. ; Johnson, S. M. ; Bangs, J. ; Lofgreen, D. D.Journal of electronic materials, 2018-10, Vol.47 (10), p.5671-5679 [Periódico revisado por pares]New York: Springer USTexto completo disponível |
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