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Vacancy Clusters in Germanium
Vacancy Clusters in Germanium
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Vacancy Clusters in Germanium

Satta, A. ; Tuomisto, F. ; Pivac, B. ; Markevich, Vladimir P. ; Simoen, Eddy ; Peaker, Anthony R. ; Kuitunen, K. ; Capan, I. ; Jačimović, R. ; Slotte, J.

Solid state phenomena, 2008-01, Vol.131-133, p.125-130 [Periódico revisado por pares]

Trans Tech Publications Ltd

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Metal Content of Multicrystalline Silicon for Solar Cells and its Impact on Minority Carrier Diffusion Length
Metal Content of Multicrystalline Silicon for Solar Cells and its Impact on Minority Carrier Diffusion Length
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Metal Content of Multicrystalline Silicon for Solar Cells and its Impact on Minority Carrier Diffusion Length

Schindler, R. ; Buonassisi, Tonio ; McDonald, R.J. ; Istratov, Andrei A. ; Kalejs, Juris P. ; Smith, A.R. ; Rand, James ; Weber, Eicke R.

Solid state phenomena, 2004-01, Vol.95-96, p.175-180 [Periódico revisado por pares]

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VOn (n≥3) Defects in Irradiated and Heat-Treated Silicon
VOn (n≥3) Defects in Irradiated and Heat-Treated Silicon
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VOn (n≥3) Defects in Irradiated and Heat-Treated Silicon

Londos, Charalamos A. ; Peaker, Anthony R. ; Lindström, J. Lennart ; Markevich, Vladimir P. ; Murin, L.I. ; Svensson, Bengt Gunnar

Solid state phenomena, 2005-01, Vol.108-109, p.267-272 [Periódico revisado por pares]

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Multiplicity of Nitrogen Species in Silicon: The Impact on Vacancy Trapping
Multiplicity of Nitrogen Species in Silicon: The Impact on Vacancy Trapping
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Multiplicity of Nitrogen Species in Silicon: The Impact on Vacancy Trapping

Voronkov, Vladimir V. ; Falster, Robert J.

Solid state phenomena, 2008-01, Vol.131-133, p.219-224 [Periódico revisado por pares]

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Local Measurements of Diffusion Length and Chemical Character of Metal Clusters in Multicrystalline Silicon
Local Measurements of Diffusion Length and Chemical Character of Metal Clusters in Multicrystalline Silicon
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Local Measurements of Diffusion Length and Chemical Character of Metal Clusters in Multicrystalline Silicon

Marcus, M.A. ; Buonassisi, Tonio ; Pickett, M.D. ; Lai, B. ; Istratov, Andrei A. ; Heuer, Matthias ; Cai, Z. ; Heald, Steve M. ; Weber, Eicke R.

Solid state phenomena, 2005-01, Vol.108-109, p.577-584 [Periódico revisado por pares]

United States: Trans Tech Publications Ltd

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Precise Measurement of Ge Depth Profiles in SiGe HBT's - a Comparison of Different Methods
Precise Measurement of Ge Depth Profiles in SiGe HBT's - a Comparison of Different Methods
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Precise Measurement of Ge Depth Profiles in SiGe HBT's - a Comparison of Different Methods

Formanek, Peter ; Kurps, R. ; Zaumseil, P. ; Krüger, D. ; Fursenko, O.V.

Solid state phenomena, 2004-01, Vol.95-96, p.473-482 [Periódico revisado por pares]

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Gettering Strategies for SOI Wafers
Gettering Strategies for SOI Wafers
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Gettering Strategies for SOI Wafers

Istratov, Andrei A. ; Weber, Eicke R. ; Huber, W.

Solid state phenomena, 2004-01, Vol.95-96, p.547-552 [Periódico revisado por pares]

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Defect Formation in Heavily As-Doped Cz Si
Defect Formation in Heavily As-Doped Cz Si
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Defect Formation in Heavily As-Doped Cz Si

Kuytt, R. ; Buczkowski, A. ; Rouvimov, S. ; Rozgonyi, George A. ; Todt, V. ; Kearns, J. ; Shul'pina, I. ; Siriwardane, H. ; Orschel, B.

Solid state phenomena, 2004-01, Vol.95-96, p.17-22 [Periódico revisado por pares]

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Theoretical Aspects on the Formation of the Tri-Interstitial Nitrogen Defect in Silicon
Theoretical Aspects on the Formation of the Tri-Interstitial Nitrogen Defect in Silicon
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Theoretical Aspects on the Formation of the Tri-Interstitial Nitrogen Defect in Silicon

Fujita, N. ; Öberg, Sven ; Briddon, Patrick R. ; Eberlein, T.A.G. ; Jones, R.

Solid state phenomena, 2008-01, Vol.131-133, p.265-270 [Periódico revisado por pares]

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Evolution of Thermal Donors in Silicon Enhanced by Self-Interstitials
Evolution of Thermal Donors in Silicon Enhanced by Self-Interstitials
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Evolution of Thermal Donors in Silicon Enhanced by Self-Interstitials

Voronkov, Vladimir V. ; Tiurina, N.B. ; Guliaeva, A.S. ; Golovina, V.N. ; Batunina, A.V. ; Voronkova, G.I. ; Falster, Robert J. ; Milvidski, M.G.

Solid state phenomena, 2008-01, Vol.131-133, p.387-392 [Periódico revisado por pares]

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