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1
0.0012 mm super( 2), 8 mW, single-to-differential converter with < 1.1% data cross error and < 3.4 ps RMS jitter up to 14 Gbit/s data rate
Material Type:
Artigo
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0.0012 mm super( 2), 8 mW, single-to-differential converter with < 1.1% data cross error and < 3.4 ps RMS jitter up to 14 Gbit/s data rate

Chen, Yong ; Mak, Pui-In ; Zhang, Li ; Qian, He ; Wang, Yan

Electronics letters, 2013-05, Vol.49 (11), p.1-1 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

2
0.0045 mm super(2) 15.8 mu W three-stage amplifier driving l0x-wide (0.15-1.5 nF) capacitive loads with &gt;50[degrees] phase margin
Material Type:
Artigo
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0.0045 mm super(2) 15.8 mu W three-stage amplifier driving l0x-wide (0.15-1.5 nF) capacitive loads with >50[degrees] phase margin

Yan, Zushu ; Mak, Pui-In ; Law, Man-Kay ; Martins, Rui Paulo

Electronics letters, 2015-03, Vol.51 (6), p.454-456 [Periódico revisado por pares]

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3
0.012 mm super(2) 800 mu W 0.1-6.4 GHz multi-protocol PLL with 14 ps sub(rms) integrated jitter in 28 nm FD-SOI
Material Type:
Artigo
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0.012 mm super(2) 800 mu W 0.1-6.4 GHz multi-protocol PLL with 14 ps sub(rms) integrated jitter in 28 nm FD-SOI

Gupta, N ; Lahiri, A ; Kumar, A

Electronics letters, 2016-09, Vol.52 (18), p.1518-1520 [Periódico revisado por pares]

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4
0.013 mm super( 2), kHz-to-GHz-bandwidth, third-order all-pole lowpass filter with 0.52-to-1.11 pW/pole/Hz efficiency
Material Type:
Artigo
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0.013 mm super( 2), kHz-to-GHz-bandwidth, third-order all-pole lowpass filter with 0.52-to-1.11 pW/pole/Hz efficiency

Chen, Yong ; Mak, Pui-In ; Zhang, Li ; Qian, He ; Wang, Yan

Electronics letters, 2013-10, Vol.49 (21), p.1340-1340 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

5
0.25 &#956;m emitter InP/InAlGaAs/GaAsSb double heterojunction bipolar transistor with passivation ledge exhibiting a current gain of over 100
Material Type:
Artigo
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0.25 μm emitter InP/InAlGaAs/GaAsSb double heterojunction bipolar transistor with passivation ledge exhibiting a current gain of over 100

Kashio, N ; Kurishima, K ; Ida, M ; Matsuzaki, H

Electronics letters, 2014-10, Vol.50 (22), p.1631-1633 [Periódico revisado por pares]

The Institution of Engineering and Technology

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6
0.35 V time-domain-based instrumentation amplifier
Material Type:
Artigo
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0.35 V time-domain-based instrumentation amplifier

Mohan, R ; Yan, L ; Gielen, G ; Van Hoof, C ; Yazicioglu, R.F

Electronics letters, 2014-10, Vol.50 (21), p.1511-1513 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: The Institution of Engineering and Technology

Texto completo disponível

7
0.3V Bulk-Driven Fully Differential Buffer with High Figures of Merit
Material Type:
Artigo
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0.3V Bulk-Driven Fully Differential Buffer with High Figures of Merit

Gangineni, Manaswini ; Ramirez-Angulo, Jaime ; Vázquez-Leal, Héctor ; Huerta-Chua, Jesús ; Lopez-Martin, Antonio J. ; Carvajal, Ramon Gonzalez

Journal of low power electronics and applications, 2022-09, Vol.12 (3), p.35 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

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8
0.4&#8211;3.0 GHz highly efficient harmonic-tuned power amplifier
Material Type:
Artigo
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0.4–3.0 GHz highly efficient harmonic-tuned power amplifier

Ma, Chuanhui ; Liu, Ying ; Pan, Wensheng ; Tang, Youxi

Electronics letters, 2015-11, Vol.51 (23), p.1911-1913 [Periódico revisado por pares]

The Institution of Engineering and Technology

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9
0.4 mW wideband LNA with double g sub( m) enhancement and feed-forward noise cancellation
Material Type:
Artigo
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0.4 mW wideband LNA with double g sub( m) enhancement and feed-forward noise cancellation

Li, Zhi ; Sun, Liguo ; Huang, Lu

Electronics letters, 2014-02, Vol.50 (5), p.400-400 [Periódico revisado por pares]

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10
0.45 v and 18 &#956;A/MHz MCU SOC with Advanced Adaptive Dynamic Voltage Control (ADVC)
Material Type:
Artigo
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0.45 v and 18 μA/MHz MCU SOC with Advanced Adaptive Dynamic Voltage Control (ADVC)

Zangi, Uzi ; Feldman, Neil ; Hadas, Tzach ; Dayag, Noga ; Shor, Joseph ; Fish, Alexander

Journal of low power electronics and applications, 2018-06, Vol.8 (2), p.14 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

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