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Effects of air exposition on series and shunt resistances of a solar cell based on PTB7-Th:PC71BM
Effects of air exposition on series and shunt resistances of a solar cell based on PTB7-Th:PC71BM
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Effects of air exposition on series and shunt resistances of a solar cell based on PTB7-Th:PC71BM

Francineide Lopes de Araujo Daniel Roger Bezerra Amorim; D. J Coutinho; Roberto Mendonça Faria

Journal of Materials Science: materials in electronics New York : Springer v. 30, n. 18, p. 16806-16811, Sept. 2019

New York 2019

Disponible en IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD029290 )(Obténgalo)

2
g-factors, effective mass and structural parameters in III-V semiconductors from hybrid-density functional theory
g-factors, effective mass and structural parameters in III-V semiconductors from hybrid-density functional theory
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g-factors, effective mass and structural parameters in III-V semiconductors from hybrid-density functional theory

C. M. O. Bastos F. P Sabino; Juarez Lopes Ferreira da Silva; Guilherme Matos Sipahi; Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC (6. 2016 São Carlos)

Livro de Resumos São Carlos : Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2016

São Carlos Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC 2016

Acceso en línea. La biblioteca tiene también copias físicas.

3
Theoretical study of transition metal dichalcogenides stability energy, structural and electronic properties
Theoretical study of transition metal dichalcogenides stability energy, structural and electronic properties
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Theoretical study of transition metal dichalcogenides stability energy, structural and electronic properties

C. M. O. Bastos F. P Sabino; R Besse; Guilherme Matos Sipahi; Juarez Lopes Ferreira da Silva; Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC (7. 2017 São Carlos)

Livro de Resumos São Carlos : Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2017

São Carlos Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC 2017

Disponible en IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD026569 ) y otras localizaciones(Obténgalo)

4
Comparative study between 8x 8 and 6x6 k.p Hamiltonian the case of GaAs zinc blende
Comparative study between 8x 8 and 6x6 k.p Hamiltonian the case of GaAs zinc blende
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Comparative study between 8x 8 and 6x6 k.p Hamiltonian the case of GaAs zinc blende

C. M. O. Bastos F Sabino; P. E Faria Junior; T Campos; Juarez Lopes Ferreira da Silva; Guilherme Matos Sipahi; Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC (5. 2015 São Carlos)

Livro de Resumos São Carlos : Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC, 2015

São Carlos Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC 2015

Disponible en IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD024129 ) y otras localizaciones(Obténgalo)

5
Ab-initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements
Ab-initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements
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Ab-initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements

C. M. O. B. Bastos R Besse; Juarez Lopes Ferreira da Silva; Guilherme Matos Sipahi; Semana Integrada do Instituto de Física de São Carlos - SIFSC (8. 2018 São Carlos)

Livro de Resumos São Carlos : Universidade de São Paulo - USP, 2018

São Carlos Universidade de São Paulo - USP, Instituto de Física de São Carlos - IFSC 2018

Disponible en IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD028256 ) y otras localizaciones(Obténgalo)

6
Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements
Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements
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Ab initio investigation of structural stability and exfoliation energies in transition metal dichalcogenides based on Ti-, V-, and Mo-group elements

Carlos M. O. Bastos R Besse; Juarez Lopes Ferreira da Silva; Guilherme Matos Sipahi

Physical Review Materials College Park : American Physical Society - APS v. 3, n. 4, p. 044002-1-044002-10, Apr. 2019

College Park 2019

Disponible en IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD028741 ) y otras localizaciones(Obténgalo)

7
A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory
A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory
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A comprehensive study of g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using hybrid-density functional theory

Carlos M. O. Bastos Fernando P Sabino; Guilherme Matos Sipahi; Juarez Lopes Ferreira da Silva

Journal of Applied Physics College Park : American Institute of Physics - AIP v. 123, n. 6, p. 065702-1-065702-13, Feb. 2018

College Park 2018

Disponible en IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD027300 ) y otras localizaciones(Obténgalo)

8
g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using Hybrid-Density Functional Theory
g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using Hybrid-Density Functional Theory
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g-factors, elastic, structural and electronic properties of III-V semiconductors using Hybrid-Density Functional Theory

Carlos, M. O. Bastos Guilherme Matos Sipahi; Fernando P Sabino; Juarez Lopes Ferreira da Silva; Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF (2018 Foz do Iguaçu)

Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2018

São Paulo Sociedade Brasileira de Física - SBF 2018

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9
Stability and accuracy control of k . p parameters
Stability and accuracy control of k . p parameters
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Stability and accuracy control of k . p parameters

Carlos M. O. Bastos Fernando P Sabino; Paulo E Faria Junior; Tiago Campos; Juarez Lopes Ferreira da Silva; Guilherme Matos Sipahi

Semiconductor Science and Technology Bristol : Institute of Physics - IOP v. 31, n. 10, p. 105002-1-105002-10, Oct. 2016

Bristol 2016

Disponible en IFSC - Inst. Física de São Carlos    (PROD025187 ) y otras localizaciones(Obténgalo)

10
Realistic g-factors, effective mass and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian
Realistic g-factors, effective mass and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian
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Realistic g-factors, effective mass and k.p parameters for III-V semiconductors from 14-band k.p Hamiltonian

Carlos M. O. Bastos Juarez Lopes Ferreira da Silva; Guilherme Matos Sipahi; Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF (2019 Aracaju)

Programa São Paulo : Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2019

São Paulo Sociedade Brasileira de Física - SBF 2019

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