skip to main content
Idioma:
Primo Advanced Search
Primo Advanced Search Query Term
Primo Advanced Search Query Term
Primo Advanced Search Query Term
Primo Advanced Search prefilters
Busca Simples
Resultados 1 2 3 4 5 next page
Mostrar Somente
Refinado por: assunto: Field Effect Transistors remover assunto: Physical Sciences remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
Single β-Ga2O3 nanowire based lateral FinFET on Si
Single β-Ga2O3 nanowire based lateral FinFET on Si
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Single β-Ga2O3 nanowire based lateral FinFET on Si

Xu, Siyuan ; Liu, Lining ; Qu, Guangming ; Zhang, Xingfei ; Jia, Chunyang ; Wu, Songhao ; Ma, Yuanxiao ; Lee, Young Jin ; Wang, Guodong ; Park, Ji-Hyeon ; Zhang, Yiyun ; Yi, Xiaoyan ; Wang, Yeliang ; Li, Jinmin

Applied physics letters, 2022-04, Vol.120 (15) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
2
(Ultra)Wide-Bandgap Vertical Power FinFETs
(Ultra)Wide-Bandgap Vertical Power FinFETs
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

(Ultra)Wide-Bandgap Vertical Power FinFETs

Zhang, Yuhao ; Palacios, Tomas

IEEE transactions on electron devices, 2020-10, Vol.67 (10), p.3960-3971 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
Ground plane fin-shaped field effect transistor (GP-FinFET): A FinFET for low leakage power circuits
Ground plane fin-shaped field effect transistor (GP-FinFET): A FinFET for low leakage power circuits
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ground plane fin-shaped field effect transistor (GP-FinFET): A FinFET for low leakage power circuits

Saremi, Mehdi ; Afzali-Kusha, Ali ; Mohammadi, Saeed

Microelectronic engineering, 2012-07, Vol.95, p.74-82 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
Ga₂O₃ Vertical FinFET With Integrated Schottky Barrier Diode for Low-Loss Conduction
Ga₂O₃ Vertical FinFET With Integrated Schottky Barrier Diode for Low-Loss Conduction
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Ga₂O₃ Vertical FinFET With Integrated Schottky Barrier Diode for Low-Loss Conduction

Xu, Xiaorui ; Deng, Yicong ; Li, Titao ; Xu, Xiaohui ; Yang, Dan ; Zhu, Minmin ; Zhang, Haizhong ; Lu, Xiaoqiang

IEEE transactions on electron devices, 2024-04, Vol.71 (4), p.2530-2535 [Periódico revisado por pares]

IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
Comparative analysis of the quantum FinFET and trigate FinFET based on modeling and simulation
Comparative analysis of the quantum FinFET and trigate FinFET based on modeling and simulation
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Comparative analysis of the quantum FinFET and trigate FinFET based on modeling and simulation

Maity, N. P. ; Maity, Reshmi ; Maity, S. ; Baishya, S.

Journal of computational electronics, 2019-06, Vol.18 (2), p.492-499 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
Effective drive current in steep slope FinFET (vs. conventional FinFET)
Effective drive current in steep slope FinFET (vs. conventional FinFET)
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Effective drive current in steep slope FinFET (vs. conventional FinFET)

Ko, Eunah ; Shin, Changhwan

Applied physics letters, 2017-10, Vol.111 (15) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
Evaluation of NC-FinFET Based Subsystem-Level Logic Circuits
Evaluation of NC-FinFET Based Subsystem-Level Logic Circuits
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Evaluation of NC-FinFET Based Subsystem-Level Logic Circuits

You, Wei-Xiang ; Su, Pin ; Hu, Chenming

IEEE transactions on electron devices, 2019-04, Vol.66 (4), p.2004-2009 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
Opportunities in Device Scaling for 3-nm Node and Beyond: FinFET Versus GAA-FET Versus UFET
Opportunities in Device Scaling for 3-nm Node and Beyond: FinFET Versus GAA-FET Versus UFET
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Opportunities in Device Scaling for 3-nm Node and Beyond: FinFET Versus GAA-FET Versus UFET

Das, Uttam Kumar ; Bhattacharyya, Tarun Kanti

IEEE transactions on electron devices, 2020-06, Vol.67 (6), p.2633-2638 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
β-Ga2O3 FinFETs with ultra-low hysteresis by plasma-free metal-assisted chemical etching
β-Ga2O3 FinFETs with ultra-low hysteresis by plasma-free metal-assisted chemical etching
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

β-Ga2O3 FinFETs with ultra-low hysteresis by plasma-free metal-assisted chemical etching

Huang, Hsien-Chih ; Ren, Zhongjie ; Anhar Uddin Bhuiyan, A F M ; Feng, Zixuan ; Yang, Zhendong ; Luo, Xixi ; Huang, Alex Q. ; Green, Andrew ; Chabak, Kelson ; Zhao, Hongping ; Li, Xiuling

Applied physics letters, 2022-08, Vol.121 (5) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
High-Speed and Low-Power Ferroelectric HfO₂/ZrO₂ Superlattice FinFET Memory Device Using AlON Interfacial Layer
High-Speed and Low-Power Ferroelectric HfO₂/ZrO₂ Superlattice FinFET Memory Device Using AlON Interfacial Layer
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

High-Speed and Low-Power Ferroelectric HfO₂/ZrO₂ Superlattice FinFET Memory Device Using AlON Interfacial Layer

Wei, Chen-You ; Huang, Ming-Yueh ; Yan, Siao-Cheng ; Wu, Yung-Chun

IEEE transactions on electron devices, 2024-06, Vol.71 (6), p.3977-3980 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

Texto completo disponível

Citações Citado por
Resultados 1 2 3 4 5 next page

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Mostrar Somente

  1. Recursos Online (737)
  2. Revistas revisadas por pares (741)

Refinar Meus Resultados

Tipo de Recurso 

  1. Artigos  (783)
  2. Anais de Congresso  (18)
  3. magazinearticle  (6)
  4. Livros  (1)
  5. Mais opções open sub menu

Data de Publicação 

De até
Refinar
  1. Antes de2008  (4)
  2. 2008Até2011  (8)
  3. 2012Até2015  (48)
  4. 2016Até2020  (325)
  5. Após 2020  (425)
  6. Mais opções open sub menu

Idioma 

  1. Japonês  (61)
  2. Alemão  (1)
  3. Mais opções open sub menu

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.