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1
Fotodetectores infravermelhos de alta eficiência baseados em poços quânticos crescidos por epitaxia de feixes moleculares
Fotodetectores infravermelhos de alta eficiência baseados em poços quânticos crescidos por epitaxia de feixes moleculares
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Fotodetectores infravermelhos de alta eficiência baseados em poços quânticos crescidos por epitaxia de feixes moleculares

Fernandes, Fernando Massa

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 2013-03-11

Acesso online

2
Scanning tunneling microscopy as a tool for doping studies in semiconductors
Scanning tunneling microscopy as a tool for doping studies in semiconductors
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Scanning tunneling microscopy as a tool for doping studies in semiconductors

T. E. Lamas (Tomás Erikson) A. A Quivy (Alain André); Congresso Brasileiro de Microscopia de Materiais (7. 2000 São Pedro)

Abstracts São Carlos : UFSCAR, 2000

São Carlos UFSCAR 2000

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3
p-type doping of GaAs(001) layers grown by droplet-assisted MBE using silicon as a dopant
p-type doping of GaAs(001) layers grown by droplet-assisted MBE using silicon as a dopant
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

p-type doping of GaAs(001) layers grown by droplet-assisted MBE using silicon as a dopant

T. E. Lamas (Tomás Erikson) A. A Quivy (Alain André); Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada (25. 2002 Caxambú)

Resumos São Paulo, 2002

São Paulo SBF 2002

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4
Carbon doping of GaAs and AlGaAs layers grown on (100) and (311) substrates by molecular beam epitaxy
Carbon doping of GaAs and AlGaAs layers grown on (100) and (311) substrates by molecular beam epitaxy
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Carbon doping of GaAs and AlGaAs layers grown on (100) and (311) substrates by molecular beam epitaxy

T. E. Lamas (Tomás Erikson) A. A Quivy (Alain André); S Martini; M J da Silva; J. R Leite (José Roberto); Brazilian Workshop on Semiconductor Physics (11. 2003 Fortaleza)

Book of Abstract Fortaleza : DF/UFC, 2003

Fortaleza DF/UFC 2003

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5
Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos
Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos
Material Type:
Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Epitaxia por feixe molecular de camadas dopadas do tipo p para a construção de dispositivos optoeletrônicos

Lamas, Tomás Erikson

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 2004-05-26

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

6
Electrical conductivity of 'DELTA' doping superlattices parallel to the growth direction
Electrical conductivity of 'DELTA' doping superlattices parallel to the growth direction
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Electrical conductivity of 'DELTA' doping superlattices parallel to the growth direction

J. R. Leite (José Roberto) S C P Rodrigues; L M R Scolfaro; R Enderlein; D Beliaev; A. A Quivy (Alain André)

Lausanne v.35, p.250-5, 1995 Materials Science & Engineering B

Lausanne 1995

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7
Electrical conductivity of 'GAMA'-doping superlattices parallel to the growth direction
Electrical conductivity of 'GAMA'-doping superlattices parallel to the growth direction
Material Type:
Artigo de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

Electrical conductivity of 'GAMA'-doping superlattices parallel to the growth direction

J. R. Leite (José Roberto) S C P Rodrigues; L M R Scolfaro; R Enderlein; D Beliaev; A. A Quivy (Alain André); International Conference on Low Dimensional Structures and Devices (1. 1995 Cingapura)

Cingapura v.35, p.250-5, 1995 Materials Science and Engeneering B

Cingapura 1995

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8
Electrical conductivity of 'DELTA' doping superlattices parallel to the growth direction
Electrical conductivity of 'DELTA' doping superlattices parallel to the growth direction
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Electrical conductivity of 'DELTA' doping superlattices parallel to the growth direction

J. R. Leite (José Roberto) S C P Rodrigues; L M R Scolfaro; R Enderlein; D Beliaev; A. A Quivy (Alain André)

Lausanne v.35, p.250-5, 1995 Materials Science & Engineering B

Lausanne 1995

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9
Fabricação de células solares de GaAs contendo pontos quânticos de InAs
Fabricação de células solares de GaAs contendo pontos quânticos de InAs
Material Type:
Dissertação de Mestrado 		Adicionar ao Meu Espaço

Fabricação de células solares de GaAs contendo pontos quânticos de InAs

Lima, Marcelo Delmondes De

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Instituto de Física 2019-05-13

Acesso online

10
Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices
Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

Raman study of fano-like electron-phonon coupling in 'DELTA'-doping 'GA''AS' superlattices

Yuri A. Pusep M T O Silva; J C Galzerani; S W Silva; L M R Scolfaro; R Enderlein; A. A Quivy (Alain André); A. P Lima; J. R Leite (José Roberto)

New York v.54, n.19, p.13927-31, 1996 Physical Review B

New York 1996

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Deste Autor:

  1. Quivy, A
  2. Leite, J
  3. Scolfaro, L
  4. Enderlein, R
  5. Silva, M

Neste Assunto:

  1. Matéria Condensada
  2. Semicondutores
  3. Epitaxia Por Feixe Molecular
  4. Cristalografia
  5. Dispositivos Eletrônicos

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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