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0.065 μm gate InGaP/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with highly-doped 11.5 nm thick InGaP electron supply layers
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0.065 μm gate InGaP/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with highly-doped 11.5 nm thick InGaP electron supply layers

Nihei, M. ; Hara, N. ; Suehiro, H. ; Kuroda, S.

Solid-state electronics, 1997-10, Vol.41 (10), p.1647-1650, Article 1647 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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2
1,4-Diazabicyclo [2.2.2] Octane Functionalized Mesoporous Silica SBA-15 (SBA-15@DABCO): a Novel Highly Selective Adsorbent for Selective Separation/Preconcentration of Cr(VI) from Environmental Water Samples
1,4-Diazabicyclo [2.2.2] Octane Functionalized Mesoporous Silica SBA-15 (SBA-15@DABCO): a Novel Highly Selective Adsorbent for Selective Separation/Preconcentration of Cr(VI) from Environmental Water Samples
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1,4-Diazabicyclo [2.2.2] Octane Functionalized Mesoporous Silica SBA-15 (SBA-15@DABCO): a Novel Highly Selective Adsorbent for Selective Separation/Preconcentration of Cr(VI) from Environmental Water Samples

Zahedi, Sayyedeh Shahrbanoo ; Larki, Arash ; Saghanezhad, Seyyed Jafar ; Nikpour, Yadollah

SILICON, 2022-02, Vol.14 (3), p.923-934 [Periódico revisado por pares]

Dordrecht: Springer Netherlands

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3
14 MeV neutron activation analysis using short-lived products
14 MeV neutron activation analysis using short-lived products
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14 MeV neutron activation analysis using short-lived products

Meggitt, G. C.

Journal of Radioanalytical Chemistry, 1979-01, Vol.48 (1-2), p.105-116 [Periódico revisado por pares]

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4
19th Informal Meeting on Mass Spectrometry
19th Informal Meeting on Mass Spectrometry
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19th Informal Meeting on Mass Spectrometry

Vékey, Károly ; Traldi, Pietro

Journal of mass spectrometry., 2001-11, Vol.36 (11), p.1187-1187 [Periódico revisado por pares]

Chichester, UK: John Wiley & Sons, Ltd

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5
2-D Tungsten Diselenide Nanoflakes for Selective Dopamine Sensing
2-D Tungsten Diselenide Nanoflakes for Selective Dopamine Sensing
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2-D Tungsten Diselenide Nanoflakes for Selective Dopamine Sensing

Ramya, K. ; Tiwari, Aditya ; Sidhartha, P. N. ; Kanungo, Sayan ; Chappanda, Karumbaiah N

IEEE sensors journal, 2023-11, Vol.23 (21), p.25680-25688 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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6
2-Facility manifold location routing problem
2-Facility manifold location routing problem
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2-Facility manifold location routing problem

Tokgöz, Emre ; Trafalis, Theodore B.

Optimization letters, 2017-02, Vol.11 (2), p.389-405 [Periódico revisado por pares]

Berlin/Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg

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7
20‐l explosibility test chamber for dusts and gases
20‐l explosibility test chamber for dusts and gases
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20‐l explosibility test chamber for dusts and gases

Cashdollar, Kenneth L. ; Hertzberg, Martin

Review of scientific instruments, 1985-04, Vol.56 (4), p.596-602 [Periódico revisado por pares]

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8
2.5D+ plasma etching for a continuously adjustable sidewall angle in SiO2
2.5D+ plasma etching for a continuously adjustable sidewall angle in SiO2
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2.5D+ plasma etching for a continuously adjustable sidewall angle in SiO2

Behrens, Arne ; Sinzinger, Stefan

Optical materials express, 2023-06, Vol.13 (6), p.1780 [Periódico revisado por pares]

Washington: Optical Society of America

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9
2D Dual Anisotropic Conductive Janus Nanostrips Array Pellicle and Derivative 3D Janus‐structural Pipe Concurrently Endowed with Magnetism and Red‐green Two‐colored Fluorescence
2D Dual Anisotropic Conductive Janus Nanostrips Array Pellicle and Derivative 3D Janus‐structural Pipe Concurrently Endowed with Magnetism and Red‐green Two‐colored Fluorescence
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2D Dual Anisotropic Conductive Janus Nanostrips Array Pellicle and Derivative 3D Janus‐structural Pipe Concurrently Endowed with Magnetism and Red‐green Two‐colored Fluorescence

Yang, Xiuling ; Qi, Haina ; Tian, Jiao ; Xie, Yunrui ; Sheng, Yuqi ; Dong, Xiangting ; Ma, Qianli ; Liu, Guixia ; Wang, Jinxian ; Yu, Wensheng

ChemNanoMat : chemistry of nanomaterials for energy, biology and more, 2020-12, Vol.6 (12), p.1876-1892 [Periódico revisado por pares]

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10
3-D Finite Element Monte Carlo Simulations of Scaled Si SOI FinFET With Different Cross Sections
3-D Finite Element Monte Carlo Simulations of Scaled Si SOI FinFET With Different Cross Sections
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3-D Finite Element Monte Carlo Simulations of Scaled Si SOI FinFET With Different Cross Sections

Nagy, Daniel ; Elmessary, Muhammad A. ; Aldegunde, Manuel ; Valin, Raul ; Martinez, Antonio ; Lindberg, Jari ; Dettmer, Wulf G. ; Peric, Djordje ; Garcia-Loureiro, Antonio J. ; Kalna, Karol

IEEE transactions on nanotechnology, 2015-01, Vol.14 (1), p.93-100 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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