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11
0.10 μm graded InGaAs channel InP HEMT with 305 GHz fT and 340 GHz fmax
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0.10 μm graded InGaAs channel InP HEMT with 305 GHz fT and 340 GHz fmax

Wojtowicz, M. ; Lai, R. ; Streit, D.C. ; Ng, G.I. ; Block, T.R. ; Tan, K.L. ; Liu, P.H. ; Freudenthal, A.K. ; Dia, R.M.

IEEE electron device letters, 1994-11, Vol.15 (11), p.477-479 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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12
< 012 > -oriented growth of the films LaNiO sub(3)/SiO sub(2)/Si(111) by pulsed laser deposition
< 012 > -oriented growth of the films LaNiO sub(3)/SiO sub(2)/Si(111) by pulsed laser deposition
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< 012 > -oriented growth of the films LaNiO sub(3)/SiO sub(2)/Si(111) by pulsed laser deposition

Yin, J ; Chen, X Y ; Li, Q C ; Liu, X Y ; Liu, Z G

Journal of materials science, 1998-12, Vol.33 (23), p.5631-5635 [Periódico revisado por pares]

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13
(012) Textured LiNbO3 Waveguiding Films Grown on SiO2 by Pulsed Laser Deposition Technique
(012) Textured LiNbO3 Waveguiding Films Grown on SiO2 by Pulsed Laser Deposition Technique
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(012) Textured LiNbO3 Waveguiding Films Grown on SiO2 by Pulsed Laser Deposition Technique

Quo, X. L. ; Liu, Z. G. ; Liu, J. M. ; Zhu, S. N. ; Zhu, Y. Y.

Physica status solidi. A, Applied research, 1996-04, Vol.154 (2), p.615-622

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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14
012&#9002;-oriented growth of the films LaNiO3/SiO2/Si(111) by pulsed laser deposition
012&#9002;-oriented growth of the films LaNiO3/SiO2/Si(111) by pulsed laser deposition
Material Type:
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012〉-oriented growth of the films LaNiO3/SiO2/Si(111) by pulsed laser deposition

Yin, J ; Chen, X Y ; Li, Q C ; Liu, X Y ; Liu, Z G

Journal of materials science, 1998-12, Vol.33 (23), p.5631-5635 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer Nature B.V

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15
0.15-&#956;m n-n gate CMOS technology with channel selective epitaxy and transient enhanced diffusion suppression
0.15-&#956;m n-n gate CMOS technology with channel selective epitaxy and transient enhanced diffusion suppression
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.15-μm n-n gate CMOS technology with channel selective epitaxy and transient enhanced diffusion suppression

Abiko, Hitoshi ; Ono, Atsuki ; Ueno, Ryuuichi ; Masuoka, Sadaaki ; Shishiguchi, Seiichi ; Nakajima, Ken ; Sakai, Isami

Electronics & communications in Japan. Part 2, Electronics, 1996, Vol.79 (11), p.28-35 [Periódico revisado por pares]

New York: Wiley Subscription Services, Inc., A Wiley Company

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16
0.24-(mu)m CMOS technology and BSIM RF modeling for Bluetooth power applications
0.24-(mu)m CMOS technology and BSIM RF modeling for Bluetooth power applications
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.24-(mu)m CMOS technology and BSIM RF modeling for Bluetooth power applications

Chen, E ; Heo, D ; Laskar, J ; Bien, D

Microwave Journal, 2001-02, Vol.44 (2), p.142-152

Dedham: Horizon House Publications, Inc

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17
02.4.1. On Hadamard Product of Square Roots of Correlation Matrices&#8212;Solution
02.4.1. On Hadamard Product of Square Roots of Correlation Matrices&#8212;Solution
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

02.4.1. On Hadamard Product of Square Roots of Correlation Matrices—Solution

Liu, Shuangzhe

Econometric theory, 2003-08, Vol.19 (4), p.703-704 [Periódico revisado por pares]

New York, USA: Cambridge University Press

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18
0.25/spl mu/m In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As/In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As/InAs/sub 0.3/P/sub 0.7/ composite channel HEMTs with an f/sub T/ of 115GHz
0.25/spl mu/m In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As/In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As/InAs/sub 0.3/P/sub 0.7/ composite channel HEMTs with an f/sub T/ of 115GHz
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0.25/spl mu/m In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As/In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As/InAs/sub 0.3/P/sub 0.7/ composite channel HEMTs with an f/sub T/ of 115GHz

Liu, D. ; Hudait, M. ; Lin, Y. ; Kim, H. ; Ringel, S.A. ; Lu, W.

2005 Asia-Pacific Microwave Conference Proceedings, 2005, Vol.2, p.3 pp.

IEEE

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19
03/02587 Fission product release and its environment impact for normal reactor operations and for relevant accidents: Liu, Y. and Cao, J. Nuclear Engineering and Design, 2002, 218, (1&#8211;3), 81&#8211;90
03/02587 Fission product release and its environment impact for normal reactor operations and for relevant accidents: Liu, Y. and Cao, J. Nuclear Engineering and Design, 2002, 218, (1&#8211;3), 81&#8211;90
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

03/02587 Fission product release and its environment impact for normal reactor operations and for relevant accidents: Liu, Y. and Cao, J. Nuclear Engineering and Design, 2002, 218, (1–3), 81–90

Fuel and energy abstracts, 2003, Vol.44 (6), p.413-413 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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20
0.32-&#956;m pitch random line pattern formation by dense dummy pattern and double exposure in KrF wavelength
0.32-&#956;m pitch random line pattern formation by dense dummy pattern and double exposure in KrF wavelength
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.32-μm pitch random line pattern formation by dense dummy pattern and double exposure in KrF wavelength

Nakao, Shuji ; Tsujita, Kouichirou ; Arimoto, Ichiriou ; Wakamiya, Wataru

SPIE 2000

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  1. Liu, Y
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