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21
0.18 [mu]m CMOS dual-band low-noise amplifier for ZigBee development
Material Type:
Artigo
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0.18 [mu]m CMOS dual-band low-noise amplifier for ZigBee development

Xuan, K ; Tsang, K F ; Lee, W C ; Lee, S C

Electronics letters, 2010-01, Vol.46 (1), p.1 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: John Wiley & Sons, Inc

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22
0.18 /spl mu/m SiGe BiCMOS technology for wireless and 40 Gb/s communication products
Material Type:
Ata de Congresso
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0.18 /spl mu/m SiGe BiCMOS technology for wireless and 40 Gb/s communication products

Schuegraf, K. ; Racanelli, M. ; Kalburge, A. ; Shen, B. ; Chun Hu ; Chapek, D. ; Howard, D. ; Quon, D. ; Feiler, D. ; Dornisch, D. ; U'Ren, G. ; Abdul-Ridha, H. ; Jie Zheng ; Jinshu Zhang ; Bell, K. ; Ring, K. ; Yin, K. ; Joshi, P. ; Akhtar, S. ; Lee, T. ; Kempf, P.

Proceedings of the 2001 BIPOLAR/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (Cat. No.01CH37212), 2001, p.147-150

IEEE

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23
0.18 um modular triple self-aligned embedded split-gate flash memory
Material Type:
Ata de Congresso
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0.18 um modular triple self-aligned embedded split-gate flash memory

Mih, R. ; Harrington, J. ; Houlihan, K. ; Hyun Koo Lee ; Chan, K. ; Johnson, J. ; Bomy Chen ; Jiang Yan ; Schmidt, A. ; Gruensfelder, C. ; Kisang Kim ; Shum, D. ; Lo, C. ; Lee, D. ; Levi, A. ; Chung Lam

2000 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (Cat. No.00CH37104), 2000, p.120-121

IEEE

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24
0.18 μm CMOS dual-band low-noise amplifier for ZigBee development
Material Type:
Artigo
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0.18 μm CMOS dual-band low-noise amplifier for ZigBee development

XUAN, K ; TSANG, K. F ; LEE, W. C ; LEE, S. C

Electronics letters, 2010-01, Vol.46 (1), p.85-86 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: Institution of Engineering and Technology

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25
0.18 [micro sign]m CMOS dual-band low-noise amplifier for ZigBee development
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Artigo
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0.18 [micro sign]m CMOS dual-band low-noise amplifier for ZigBee development

Xuan, K. ; Tsang, K.F. ; Lee, W.C. ; Lee, S.C.

Electronics letters, 2010, Vol.46 (1), p.85 [Periódico revisado por pares]

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26
0.2-mu m n-channel and p-channel MOSFETs integrated onoxidation-planarized twin-tubs
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Artigo
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0.2-mu m n-channel and p-channel MOSFETs integrated onoxidation-planarized twin-tubs

Liu, C T ; Lin, W ; Lee, K H ; Liu, R

IEEE electron device letters, 1996-11, Vol.17 (11), p.500-502 [Periódico revisado por pares]

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27
0.2-μm n-channel and p-channel MOSFETs integrated on oxidation-planarized twin-tubs
Material Type:
Artigo
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0.2-μm n-channel and p-channel MOSFETs integrated on oxidation-planarized twin-tubs

Liu, C.T. ; Lin, W. ; Lee, K.H. ; Liu, R.

IEEE electron device letters, 1996-11, Vol.17 (11), p.500-502 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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28
0.3- mu m CMOS 8-Gb/s 4-PAM serial link transceiver
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Artigo
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0.3- mu m CMOS 8-Gb/s 4-PAM serial link transceiver

Farjad-Rad, Ramin ; Yang, Chih-Kong Ken ; Horowitz, Mark A ; Lee, Thomas H

IEEE journal of solid-state circuits, 2000, Vol.35 (5), p.757-764 [Periódico revisado por pares]

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29
0.31k1 ArF lithography for 70nm DRAM
Material Type:
Ata de Congresso
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0.31k1 ArF lithography for 70nm DRAM

BOK, Cheolkyu ; LEE, Ki-Lyoung ; KIM, Jin-Woong ; PARK, Jun-Taek ; HWANG, Young-Sun ; EOM, Tae-Seung ; KIM, Seo-Min ; LEE, Geunsu ; JUNG, Jae-Chang ; LIM, Chang-Moon ; MOON, Seung-Chan

SPIE proceedings series, 2005

Bellingham WA: SPIE

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30
0.37 mS/μm In0.53Ga0.47As MOSFET with 5 nm channel and self-aligned epitaxial raised source/drain
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0.37 mS/μm In0.53Ga0.47As MOSFET with 5 nm channel and self-aligned epitaxial raised source/drain

Singisetti, Uttam ; Wistey, Mark A. ; Burek, Greg J. ; Baraskar, Ashish K. ; Cagnon, Joel ; Thibeault, Brian J. ; Stemmer, Susanne ; Gossard, Arthur C. ; Rodwell, Mark J.W. ; Kim, Eunji ; Shin, Byungha ; McIntyre, Paul C. ; Lee, Yong-Ju

2009 Device Research Conference, 2009, p.253-254

IEEE

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