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0.5 nm EOT low leakage ALD SrTiO3 on TiN MIM capacitors for DRAM applications
0.5 nm EOT low leakage ALD SrTiO3 on TiN MIM capacitors for DRAM applications
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0.5 nm EOT low leakage ALD SrTiO3 on TiN MIM capacitors for DRAM applications

Menou, N. ; Wang, X.P. ; Kaczer, B. ; Polspoel, W. ; Popovici, M. ; Opsomer, K. ; Pawlak, M.A. ; Knaepen, W. ; Detavernier, C. ; Blomberg, T. ; Pierreux, D. ; Swerts, J. ; Maes, J.W. ; Favia, P. ; Bender, H. ; Brijs, B. ; Vandervorst, W. ; Van Elshocht, S. ; Wouters, D.J. ; Biesemans, S. ; Kittl, J.A.

2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 2008, p.1-4

IEEE

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12
0.5 THz integrated antipodal curvilinearly tapered slot antenna with circular polarization
0.5 THz integrated antipodal curvilinearly tapered slot antenna with circular polarization
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.5 THz integrated antipodal curvilinearly tapered slot antenna with circular polarization

Yong Liu ; Kai Zhou ; Hong-Da Lu ; Zi-Jian Gao ; Li-Ming Si ; Ya-Fen Ge ; Xin Lv

2013 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROWAVE TECHNOLOGY & COMPUTATIONAL ELECTROMAGNETICS, 2013, p.327-330

IEEE

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13
0.5 W High Linearity Power Amplifier for Broadband Wireless (3.3 ~ 3.9 GHz)
0.5 W High Linearity Power Amplifier for Broadband Wireless (3.3 ~ 3.9 GHz)
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

0.5 W High Linearity Power Amplifier for Broadband Wireless (3.3 ~ 3.9 GHz)

Chin-Leong Lim

2007 Korea-Japan Microwave Conference, 2007, p.9-12

IEEE

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14
A 0-10GHz SP16T MEMS switch for switched beam satellite antenna systems
A 0-10GHz SP16T MEMS switch for switched beam satellite antenna systems
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0-10GHz SP16T MEMS switch for switched beam satellite antenna systems

Farinelli, P. ; El Ghannudi, H. ; Cazzorla, A. ; Sorrentino, R. ; Capponi, L.

2014 44th European Microwave Conference, 2014, p.195-198

European Microwave Association

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15
A 0.1 - 50 GHz SiGe HBT distributed amplifier employing constant-k m-derived sections
A 0.1 - 50 GHz SiGe HBT distributed amplifier employing constant-k m-derived sections
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.1 - 50 GHz SiGe HBT distributed amplifier employing constant-k m-derived sections

Aguirre, J. ; Plett, C.

IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, 2003, 2003, Vol.2, p.923-926 vol.2

IEEE

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16
A 0.1-6 GHz digital controlled variable gain low noise MMIC amplifier
A 0.1-6 GHz digital controlled variable gain low noise MMIC amplifier
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.1-6 GHz digital controlled variable gain low noise MMIC amplifier

Li, Ruwei ; Ma, Kaixue ; Mou, Shouxian ; Meng, Fanyi

2017 Progress in Electromagnetics Research Symposium - Fall (PIERS - FALL), 2017, p.477-481 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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17
A 0.13-μm SiGe BiCMOS LNA for 24-GHz automotive short-range radar
A 0.13-μm SiGe BiCMOS LNA for 24-GHz automotive short-range radar
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.13-μm SiGe BiCMOS LNA for 24-GHz automotive short-range radar

Ragonese, E. ; Scuderi, A. ; Palmisano, G.

2008 European Microwave Integrated Circuit Conference, 2008, p.510-513

IEEE

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18
A 0.13um double balanced mixer for 3.2-4.8GHz IR-UWB applications
A 0.13um double balanced mixer for 3.2-4.8GHz IR-UWB applications
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.13um double balanced mixer for 3.2-4.8GHz IR-UWB applications

Pantoli, L. ; Stornelli, V. ; Leuzzi, G.

2012 Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-wave Circuits, 2012, p.1-3

IEEE

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19
A 0.13μm CMOS four-channel ADSL2+ analog front-end for CO applications with 75mW per channel
A 0.13μm CMOS four-channel ADSL2+ analog front-end for CO applications with 75mW per channel
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.13μm CMOS four-channel ADSL2+ analog front-end for CO applications with 75mW per channel

OSWAL, S ; MUJICA, F ; MENON, R ; GIREESH, R ; AHUJA, N ; GAMBHIR, M ; SADAFALE, M ; PRASAD, S ; SRINIVASA, R ; SHARMA, B ; RAYCHOUDHARY, A ; KHASNIS, H ; SHARMA, A ; SRIRAM, R ; VIJAYVARDHAN, B

Piscataway, New Jersey: IEEE 2004

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20
A 0.13μm triple-vt 9MB third level on-die cache for the Itanium® 2 processor
A 0.13μm triple-vt 9MB third level on-die cache for the Itanium® 2 processor
Material Type:
Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.13μm triple-vt 9MB third level on-die cache for the Itanium® 2 processor

CHANG, Jonathan ; SHOEMAKER, Jonathan ; KULKARNI, Sandhya ; RAO, Arun ; HANNOUN, Daniel ; RUSU, Stefan ; HAQUE, Mizan ; MING HUANG ; TRUONG, Kevin ; KARIM, Mesbah ; CHIU, Siufu ; LEONG, Gloria ; DESAI, Kiran ; GOE, Richard

Piscataway, New Jersey: IEEE 2004

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