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Anisotropic center-of-mass quantization of excitons in [formula omitted] quantum wells
Anisotropic center-of-mass quantization of excitons in [formula omitted] quantum wells
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Anisotropic center-of-mass quantization of excitons in [formula omitted] quantum wells

Gourgon, C. ; Dang, Le Si ; Mariette, H.

Journal of crystal growth, , Vol.159 (1-4), p.537-541 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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New gaseous impurity and its effect on the purity of LPE GaAs
New gaseous impurity and its effect on the purity of LPE GaAs
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New gaseous impurity and its effect on the purity of LPE GaAs

Fukui, Takashi ; Kobayashi, Takeshi

Journal of crystal growth, 1978-01, Vol.45, p.243-247 [Periódico revisado por pares]

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Deep levels and growth conditions of LPE GaAs crystals
Deep levels and growth conditions of LPE GaAs crystals
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Deep levels and growth conditions of LPE GaAs crystals

Okumura, Tsugunori ; Ikoma, Toshiaki

Journal of crystal growth, 1978-01, Vol.45, p.459-466 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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4
Substrate instability during the LPE growth of (Ga, In) As alloys on InAs substrates
Substrate instability during the LPE growth of (Ga, In) As alloys on InAs substrates
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Substrate instability during the LPE growth of (Ga, In) As alloys on InAs substrates

Astles, M.G. ; Dosser, O.D. ; MacLean, A.J. ; Wright, P.J.

Journal of crystal growth, 1981-01, Vol.54 (3), p.485-492 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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5
GaSb heterostructures grown by MOVPE
GaSb heterostructures grown by MOVPE
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GaSb heterostructures grown by MOVPE

Chidley, E.T.R. ; Haywood, S.K. ; Mallard, R.E. ; Mason, N.J. ; Nicholas, R.J. ; Walker, P.J. ; Warburton, R.J.

Journal of crystal growth, 1988, Vol.93 (1-4), p.70-78 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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6
Exciton complexes in II–VI materials
Exciton complexes in II–VI materials
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Exciton complexes in II–VI materials

Gutowski, J.

Journal of crystal growth, 1988-01, Vol.86 (1-4), p.528-535 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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7
Growth of GaSb and InSb by low-pressure plasma MOVPE
Growth of GaSb and InSb by low-pressure plasma MOVPE
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Growth of GaSb and InSb by low-pressure plasma MOVPE

Behet, M. ; Stoll, B. ; Brysch, W. ; Heime, K.

Journal of crystal growth, 1992-11, Vol.124 (1), p.377-382 [Periódico revisado por pares]

AMSTERDAM: Elsevier B.V

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8
Sublimation growth of high-purity ZnSe single crystals and photoluminescence
Sublimation growth of high-purity ZnSe single crystals and photoluminescence
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Sublimation growth of high-purity ZnSe single crystals and photoluminescence

Mochizuki, K. ; Masumoto, K. ; Yasuda, T. ; Segawa, Y. ; Kimoto, K.

Journal of crystal growth, 1994, Vol.135 (1), p.318-322 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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9
Preparation and electrical properties of ferroelectric (Pb,La) (Zr,Ti)O 3 thin films by metalorganic chemical vapor deposition
Preparation and electrical properties of ferroelectric (Pb,La) (Zr,Ti)O 3 thin films by metalorganic chemical vapor deposition
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Preparation and electrical properties of ferroelectric (Pb,La) (Zr,Ti)O 3 thin films by metalorganic chemical vapor deposition

Tominaga, K. ; Sakashita, Y. ; Nakashima, H. ; Okada, M.

Journal of crystal growth, 1994-12, Vol.145 (1), p.219-225 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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10
Liquid phase epitaxy and photoluminescence characterization of p-type GaSb layers grown from Bi based melts
Liquid phase epitaxy and photoluminescence characterization of p-type GaSb layers grown from Bi based melts
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Liquid phase epitaxy and photoluminescence characterization of p-type GaSb layers grown from Bi based melts

Gladkov, P. ; Monova, E. ; Weber, J.

Journal of crystal growth, 1995-01, Vol.146 (1-4), p.319-325 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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