skip to main content
Idioma:
Resultados 1 2 3 4 5 next page
Mostrar Somente
Refinado por: Base de dados/Biblioteca: EZB Free E-Journals remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
{0 0 1}-Facet-Exposed Ag 4 V 2 O 7 Nanoplates: Additive-Free Hydrothermal Synthesis and Enhanced Photocatalytic Activity
{0 0 1}-Facet-Exposed Ag 4 V 2 O 7 Nanoplates: Additive-Free Hydrothermal Synthesis and Enhanced Photocatalytic Activity
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

{0 0 1}-Facet-Exposed Ag 4 V 2 O 7 Nanoplates: Additive-Free Hydrothermal Synthesis and Enhanced Photocatalytic Activity

Van, Nguyen Duc ; Le, Ngo Thi Hong

Journal of nanomaterials, 2018-10, Vol.2018, p.1-7 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
2
(0 0 2)-oriented growth and morphologies of ZnO thin films prepared by sol-gel method
(0 0 2)-oriented growth and morphologies of ZnO thin films prepared by sol-gel method
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

(0 0 2)-oriented growth and morphologies of ZnO thin films prepared by sol-gel method

Guo, Dongyun ; Ju, Yang ; Fu, Chengju ; Huang, Zhixiong ; Zhang, Lianmeng

Materials science--Poland, 2016-09, Vol.34 (3), p.555-563 [Periódico revisado por pares]

De Gruyter

Texto completo disponível

Citações Citado por
3
0.00035 mm2 on-chip leakage sensing unit for various devices in 10 nm FinFET process
0.00035 mm2 on-chip leakage sensing unit for various devices in 10 nm FinFET process
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.00035 mm2 on-chip leakage sensing unit for various devices in 10 nm FinFET process

Oh, G.-G ; Lee, Y.-W ; Lee, B

Electronics letters, 2018-02, Vol.54 (4), p.213-215 [Periódico revisado por pares]

The Institution of Engineering and Technology

Texto completo disponível

Citações Citado por
4
0.00035 mm 2 on‐chip leakage sensing unit for various devices in 10 nm FinFET process
0.00035 mm 2 on‐chip leakage sensing unit for various devices in 10 nm FinFET process
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.00035 mm 2 on‐chip leakage sensing unit for various devices in 10 nm FinFET process

Oh, G.‐G. ; Lee, Y.‐W. ; Lee, B.

Electronics letters, 2018-02, Vol.54 (4), p.213-215 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
5
0.0012 mm super( 2), 8 mW, single-to-differential converter with < 1.1% data cross error and < 3.4 ps RMS jitter up to 14 Gbit/s data rate
0.0012 mm super( 2), 8 mW, single-to-differential converter with < 1.1% data cross error and < 3.4 ps RMS jitter up to 14 Gbit/s data rate
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.0012 mm super( 2), 8 mW, single-to-differential converter with < 1.1% data cross error and < 3.4 ps RMS jitter up to 14 Gbit/s data rate

Chen, Yong ; Mak, Pui-In ; Zhang, Li ; Qian, He ; Wang, Yan

Electronics letters, 2013-05, Vol.49 (11), p.1-1 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
6
0.0012 mm2, 8 mW, single-to-differential converter with &lt; 1.1% data cross error and &lt; 3.4 ps RMS jitter up to 14 Gbit/s data rate
0.0012 mm2, 8 mW, single-to-differential converter with &lt; 1.1% data cross error and &lt; 3.4 ps RMS jitter up to 14 Gbit/s data rate
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.0012 mm2, 8 mW, single-to-differential converter with < 1.1% data cross error and < 3.4 ps RMS jitter up to 14 Gbit/s data rate

Chen, Yong ; Mak, Pui-In ; Zhang, Li ; Qian, He ; Wang, Yan

Electronics letters, 2013-05, Vol.49 (11), p.692-694 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: The Institution of Engineering and Technology

Texto completo disponível

Citações Citado por
7
0.0012 mm^sup 2^, 8 mW, single-to-differential converter with &lt; 1.1% data cross error and &lt; 3.4 ps RMS jitter up to 14 Gbit/s data rate
0.0012 mm^sup 2^, 8 mW, single-to-differential converter with &lt; 1.1% data cross error and &lt; 3.4 ps RMS jitter up to 14 Gbit/s data rate
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.0012 mm^sup 2^, 8 mW, single-to-differential converter with < 1.1% data cross error and < 3.4 ps RMS jitter up to 14 Gbit/s data rate

Chen, Yong ; Mak, Pui-In ; Zhang, Li ; Qian, He ; Wang, Yan

Electronics letters, 2013-05, Vol.49 (11), p.1 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: John Wiley & Sons, Inc

Texto completo disponível

Citações Citado por
8
0.0012&#160;mm 2 , 8&#160;mW, single&#8208;to&#8208;differential converter with &lt; 1.1% data cross error and &lt; 3.4 ps RMS jitter up to 14&#160;Gbit/s data rate
0.0012&#160;mm 2 , 8&#160;mW, single&#8208;to&#8208;differential converter with &lt; 1.1% data cross error and &lt; 3.4 ps RMS jitter up to 14&#160;Gbit/s data rate
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.0012 mm 2 , 8 mW, single‐to‐differential converter with < 1.1% data cross error and < 3.4 ps RMS jitter up to 14 Gbit/s data rate

Chen, Yong ; Mak, Pui‐In ; Zhang, Li ; Qian, He ; Wang, Yan

Electronics letters, 2013-05, Vol.49 (11), p.692-694 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
9
0.0045 mm super(2) 15.8 mu W three-stage amplifier driving l0x-wide (0.15-1.5 nF) capacitive loads with &gt;50[degrees] phase margin
0.0045 mm super(2) 15.8 mu W three-stage amplifier driving l0x-wide (0.15-1.5 nF) capacitive loads with &gt;50[degrees] phase margin
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.0045 mm super(2) 15.8 mu W three-stage amplifier driving l0x-wide (0.15-1.5 nF) capacitive loads with >50[degrees] phase margin

Yan, Zushu ; Mak, Pui-In ; Law, Man-Kay ; Martins, Rui Paulo

Electronics letters, 2015-03, Vol.51 (6), p.454-456 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

Citações Citado por
10
0.0045 mm2 15.8 &#181;W three-stage amplifier driving 10&#215;-wide (0.15&#8211;1.5 nF) capacitive loads with &gt;50&#176; phase margin
0.0045 mm2 15.8 &#181;W three-stage amplifier driving 10&#215;-wide (0.15&#8211;1.5 nF) capacitive loads with &gt;50&#176; phase margin
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

0.0045 mm2 15.8 µW three-stage amplifier driving 10×-wide (0.15–1.5 nF) capacitive loads with >50° phase margin

Yan, Zushu ; Mak, Pui-In ; Law, Man-Kay ; Martins, Rui Paulo

Electronics letters, 2015-03, Vol.51 (6), p.454-456 [Periódico revisado por pares]

The Institution of Engineering and Technology

Texto completo disponível

Citações Citado por
Resultados 1 2 3 4 5 next page

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Mostrar Somente

  1. Revistas revisadas por pares (5.854.667)

Refinar Meus Resultados

Tipo de Recurso 

  1. Artigos  (6.859.869)
  2. magazinearticle  (745.506)
  3. Resenhas  (44.284)
  4. Anais de Congresso  (36.553)
  5. Web Resources  (5.892)
  6. Reports  (4.709)
  7. Newsletter Articles  (1.802)
  8. Livros  (924)
  9. Recursos Textuais  (762)
  10. Artigos de Jornal  (304)
  11. Book Chapters  (231)
  12. Conjunto de Dados  (173)
  13. Documentos Governamentais  (66)
  14. Outros  (24)
  15. Dissertações  (23)
  16. Verbetes  (20)
  17. Imagens  (10)
  18. Revistas  (10)
  19. Archival Material / Manuscripts  (7)
  20. Newspapers  (4)
  21. Mais opções open sub menu

Data de Publicação 

De até
Refinar
  1. Antes de1959  (211.898)
  2. 1959Até1974  (98.971)
  3. 1975Até1990  (314.842)
  4. 1991Até2007  (1.661.322)
  5. Após 2007  (5.415.346)
  6. Mais opções open sub menu

Idioma 

  1. Inglês  (7.181.552)
  2. Japonês  (1.130.017)
  3. Português  (100.159)
  4. Espanhol  (61.542)
  5. Alemão  (55.411)
  6. Francês  (33.372)
  7. Coreano  (22.478)
  8. Chinês  (16.319)
  9. Croatian  (13.051)
  10. Russo  (11.213)
  11. Polonês  (7.263)
  12. Italiano  (3.010)
  13. Catalão  (2.872)
  14. Norueguês  (2.807)
  15. Tcheco  (2.672)
  16. Turco  (2.649)
  17. Indonésio  (2.543)
  18. Esloveno  (1.903)
  19. Eslovaco  (1.486)
  20. Ucraniano  (1.321)
  21. Mais opções open sub menu

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.