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1
Stresses in SiO[sub 2] Films Obtained from the Thermal Decomposition of Tetraethylorthosilicate—Effect of Heat-Treatment and Humidity
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Stresses in SiO[sub 2] Films Obtained from the Thermal Decomposition of Tetraethylorthosilicate—Effect of Heat-Treatment and Humidity

Aboaf, J. A.

Journal of the Electrochemical Society, 1969, Vol.116 (12), p.1732 [Periódico revisado por pares]

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2
Some Properties of Vapor Deposited Silicon Nitride Films Obtained by the Reaction of SiBr[sub 4] and NH[sub 3]
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Some Properties of Vapor Deposited Silicon Nitride Films Obtained by the Reaction of SiBr[sub 4] and NH[sub 3]

Aboaf, J. A.

Journal of the Electrochemical Society, 1969, Vol.116 (12), p.1736 [Periódico revisado por pares]

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3
Deposition and Properties of Aluminum Oxide Obtained by Pyrolytic Decomposition of an Aluminum Alkoxide
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Deposition and Properties of Aluminum Oxide Obtained by Pyrolytic Decomposition of an Aluminum Alkoxide

Aboaf, J. A.

Journal of the Electrochemical Society, 1967, Vol.114 (9), p.948 [Periódico revisado por pares]

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4
Charge in SiO[sub 2]-Al[sub 2]O[sub 3] Double Layers on Silicon
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Charge in SiO[sub 2]-Al[sub 2]O[sub 3] Double Layers on Silicon

Aboaf, J. A. ; Kerr, D. R. ; Bassous, E.

Journal of the Electrochemical Society, 1973, Vol.120 (8), p.1103 [Periódico revisado por pares]

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5
Chemical Composition and Electrical Properties of Tin Oxide Films Prepared by Vapor Deposition
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Chemical Composition and Electrical Properties of Tin Oxide Films Prepared by Vapor Deposition

Aboaf, J. A. ; Marcotte, V. C. ; Chou, N. J.

Journal of the Electrochemical Society, 1973, Vol.120 (5), p.701 [Periódico revisado por pares]

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6
Ion Implantation Effects of Nitrogen, Boron, and Aluminum in Hexagonal Silicon Carbide
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Ion Implantation Effects of Nitrogen, Boron, and Aluminum in Hexagonal Silicon Carbide

Addamiano, Arrigo ; Anderson, Gordon Wood ; Comas, James ; Hughes, Harold L. ; Lucke, William

Journal of the Electrochemical Society, 1972, Vol.119 (10), p.1355 [Periódico revisado por pares]

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7
The Control of Oxygen Activities in Argon-Oxygen Mixtures by Coulometric Titration
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The Control of Oxygen Activities in Argon-Oxygen Mixtures by Coulometric Titration

Agrawal, Yogesh K. ; Short, David W. ; Gruenke, Roger ; Rapp, Robert A.

Journal of the Electrochemical Society, 1974, Vol.121 (3), p.354 [Periódico revisado por pares]

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8
Etching Characteristics and Light Figures of the {111} Surfaces of GaAs
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Etching Characteristics and Light Figures of the {111} Surfaces of GaAs

Akasaki, Isamu ; Kobayasi, Hiroyuki

Journal of the Electrochemical Society, 1965, Vol.112 (7), p.757 [Periódico revisado por pares]

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9
The Preparation of Ultrahigh-Purity Nickel Single Crystals
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The Preparation of Ultrahigh-Purity Nickel Single Crystals

Albano, V. J. ; Soden, R. R.

Journal of the Electrochemical Society, 1966, Vol.113 (5), p.511 [Periódico revisado por pares]

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10
Kinetics of the Silicon-Silicontetrachloride Reaction in a Flow System
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Kinetics of the Silicon-Silicontetrachloride Reaction in a Flow System

Alstrup, Ole ; Thomas, Carl O.

Journal of the Electrochemical Society, 1965, Vol.112 (3), p.319 [Periódico revisado por pares]

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