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1
{001}/{101} facets co-exposed TiO2 microsheet arrays with Lanthanum doping for enhancing photocatalytic CO2 reduction
{001}/{101} facets co-exposed TiO2 microsheet arrays with Lanthanum doping for enhancing photocatalytic CO2 reduction
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{001}/{101} facets co-exposed TiO2 microsheet arrays with Lanthanum doping for enhancing photocatalytic CO2 reduction

Liu, Xin ; Yang, Ji ; Hu, Lanqing ; Shen, Qianqian ; Li, Qi ; Liu, Xuguang ; Jia, Husheng ; Xue, Jinbo

Journal of materials science. Materials in electronics, 2020-11, Vol.31 (21), p.19464-19474 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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2
(001) and (11n)n = 1,3 GaAs substrate orientations for growth of GaN layers by AP-MOVPE: impact of GaN buffer layer thickness
(001) and (11n)n = 1,3 GaAs substrate orientations for growth of GaN layers by AP-MOVPE: impact of GaN buffer layer thickness
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(001) and (11n)n = 1,3 GaAs substrate orientations for growth of GaN layers by AP-MOVPE: impact of GaN buffer layer thickness

Laifi, J. ; Bchetnia, A.

Journal of materials science. Materials in electronics, 2022-04, Vol.33 (10), p.7587-7597 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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3
< 012 > -oriented growth of the films LaNiO sub(3)/SiO sub(2)/Si(111) by pulsed laser deposition
< 012 > -oriented growth of the films LaNiO sub(3)/SiO sub(2)/Si(111) by pulsed laser deposition
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< 012 > -oriented growth of the films LaNiO sub(3)/SiO sub(2)/Si(111) by pulsed laser deposition

Yin, J ; Chen, X Y ; Li, Q C ; Liu, X Y ; Liu, Z G

Journal of materials science, 1998-12, Vol.33 (23), p.5631-5635 [Periódico revisado por pares]

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4
012&#9002;-oriented growth of the films LaNiO3/SiO2/Si(111) by pulsed laser deposition
012&#9002;-oriented growth of the films LaNiO3/SiO2/Si(111) by pulsed laser deposition
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012〉-oriented growth of the films LaNiO3/SiO2/Si(111) by pulsed laser deposition

Yin, J ; Chen, X Y ; Li, Q C ; Liu, X Y ; Liu, Z G

Journal of materials science, 1998-12, Vol.33 (23), p.5631-5635 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer Nature B.V

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5
0.5 V, 10.94 &#956;W, 36.89 &#956;Vrms IRN, 3rd order bulk-driven quadrature filter using fully differential current conveyor for bluetooth applications
0.5 V, 10.94 &#956;W, 36.89 &#956;Vrms IRN, 3rd order bulk-driven quadrature filter using fully differential current conveyor for bluetooth applications
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0.5 V, 10.94 μW, 36.89 μVrms IRN, 3rd order bulk-driven quadrature filter using fully differential current conveyor for bluetooth applications

Veerendranath, P. S. ; Singh, Shobha

Analog integrated circuits and signal processing, 2021, Vol.109 (1), p.57-67 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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6
A 0.03 mm2 delta-sigma modulator with cascaded-inverter amplifier
A 0.03 mm2 delta-sigma modulator with cascaded-inverter amplifier
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A 0.03 mm2 delta-sigma modulator with cascaded-inverter amplifier

Wang, Zhidong ; Duan, Quanzhen ; Roh, Jeongjin

Analog integrated circuits and signal processing, 2014-11, Vol.81 (2), p.495-501 [Periódico revisado por pares]

Boston: Springer US

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7
A 0.15-V, 44.73% PCE charge pump with CMOS differential ring-VCO for energy harvesting systems
A 0.15-V, 44.73% PCE charge pump with CMOS differential ring-VCO for energy harvesting systems
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A 0.15-V, 44.73% PCE charge pump with CMOS differential ring-VCO for energy harvesting systems

Pakkirisami Churchill, Kishore Kumar ; Ramiah, Harikrishnan ; Chong, Gabriel ; Ahmad, Mohd Yazed ; Yin, Jun ; Mak, Pui-In ; Martins, Rui P.

Analog integrated circuits and signal processing, 2022, Vol.111 (1), p.35-43 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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8
A 0.35&#160;V-to-1.0&#160;V synthesizable rail-to-rail dynamic voltage comparator based OAI&amp;AOI logic
A 0.35&#160;V-to-1.0&#160;V synthesizable rail-to-rail dynamic voltage comparator based OAI&amp;AOI logic
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A 0.35 V-to-1.0 V synthesizable rail-to-rail dynamic voltage comparator based OAI&AOI logic

Li, Xiaocui ; Zhou, Ting ; Ji, Yuxin ; Li, Yongfu

Analog integrated circuits and signal processing, 2020-09, Vol.104 (3), p.351-357 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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9
A 0.4&#8211;3.3&#160;GHz low-noise variable gain amplifier with 35&#160;dB tuning range, 4.9&#160;dB NF, and 40&#160;dBm IIP2
A 0.4&#8211;3.3&#160;GHz low-noise variable gain amplifier with 35&#160;dB tuning range, 4.9&#160;dB NF, and 40&#160;dBm IIP2
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.4–3.3 GHz low-noise variable gain amplifier with 35 dB tuning range, 4.9 dB NF, and 40 dBm IIP2

Baumgratz, Filipe D. ; Li, Hao ; Tavernier, Filip ; Bampi, Sergio ; Saavedra, Carlos E.

Analog integrated circuits and signal processing, 2018, Vol.94 (1), p.9-17 [Periódico revisado por pares]

New York: Springer US

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10
A 0.5&#8211;1&#160;GHz single stage linear-in-decibel VGA with 80&#160;dB gain range in 0.18&#160;&#956;m CMOS
A 0.5&#8211;1&#160;GHz single stage linear-in-decibel VGA with 80&#160;dB gain range in 0.18&#160;&#956;m CMOS
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A 0.5–1 GHz single stage linear-in-decibel VGA with 80 dB gain range in 0.18 μm CMOS

Ayat, Masoud ; Forouzandeh, Behjat ; Sheikhaei, Samad

Analog integrated circuits and signal processing, 2013-11, Vol.77 (2), p.307-314 [Periódico revisado por pares]

Boston: Springer US

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