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0.3 V drive voltage GaAs∕AlGaAs substrate removed Mach–Zehnder intensity modulators
0.3 V drive voltage GaAs∕AlGaAs substrate removed Mach–Zehnder intensity modulators
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0.3 V drive voltage GaAs∕AlGaAs substrate removed Mach–Zehnder intensity modulators

Shin, JaeHyuk ; Chang, Yu-Chia ; Dagli, Nadir

Applied physics letters, 2008-05, Vol.92 (20) [Periódico revisado por pares]

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0.42 TW 2-cycle pulses at 1.8  μ m via hollow-core fiber compression
0.42 TW 2-cycle pulses at 1.8  μ m via hollow-core fiber compression
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0.42 TW 2-cycle pulses at 1.8  μ m via hollow-core fiber compression

Cardin, Vincent ; Thiré, Nicolas ; Beaulieu, Samuel ; Wanie, Vincent ; Légaré, François ; Schmidt, Bruno E.

Applied physics letters, 2015-11, Vol.107 (18) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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13
0.45 W diffraction-limited beam and single-frequency operation from antiguided phase-locked laser array with distributed feedback grating
0.45 W diffraction-limited beam and single-frequency operation from antiguided phase-locked laser array with distributed feedback grating
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0.45 W diffraction-limited beam and single-frequency operation from antiguided phase-locked laser array with distributed feedback grating

Nesnidal, M. P. ; Earles, T. ; Mawst, L. J. ; Botez, D. ; Buus, J.

Applied physics letters, 1998-08, Vol.73 (5), p.587-589 [Periódico revisado por pares]

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14
0.6ST-0.4NBT thin film with low level Mn doping as a lead-free ferroelectric capacitor with high energy storage performance
0.6ST-0.4NBT thin film with low level Mn doping as a lead-free ferroelectric capacitor with high energy storage performance
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0.6ST-0.4NBT thin film with low level Mn doping as a lead-free ferroelectric capacitor with high energy storage performance

Zhang, Yulei ; Li, Weili ; Qiao, Yulong ; Zhao, Yu ; Wang, Zhenyu ; Yu, Yang ; Xia, Hetian ; Li, Ze ; Fei, Weidong

Applied physics letters, 2018-02, Vol.112 (9) [Periódico revisado por pares]

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15
1/2 {100} dislocation loops in a zinc blende structure
1/2 {100} dislocation loops in a zinc blende structure
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1/2 {100} dislocation loops in a zinc blende structure

CHU, S. N. G ; NAKAHARA, S

Applied physics letters, 1990-01, Vol.56 (5), p.434-436 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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1.0-GHz thin-film bulk acoustic wave resonators on GaAs
1.0-GHz thin-film bulk acoustic wave resonators on GaAs
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1.0-GHz thin-film bulk acoustic wave resonators on GaAs

KLINE, G. R ; LAKIN, K. M

Applied physics letters, 1983-10, Vol.43 (8), p.750-751 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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17
1.06-0.53 μm second harmonic generation using congruent lithium niobate
1.06-0.53 μm second harmonic generation using congruent lithium niobate
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1.06-0.53 μm second harmonic generation using congruent lithium niobate

AMMANN, E. O ; GUCH, S. JR

Applied physics letters, 1988-04, Vol.52 (17), p.1374-1376 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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18
1.1 μ m near-infrared electrophosphorescence from organic light-emitting diodes based on copper phthalocyanine
1.1 μ m near-infrared electrophosphorescence from organic light-emitting diodes based on copper phthalocyanine
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1.1 μ m near-infrared electrophosphorescence from organic light-emitting diodes based on copper phthalocyanine

Cheng, Chuan-Hui ; Fan, Zhao-Qi ; Yu, Shu-Kun ; Jiang, Wen-Hai ; Wang, Xu ; Du, Guo-Tong ; Chang, Yu-Chun ; Ma, Chun-Yu

Applied physics letters, 2006-05, Vol.88 (21), p.213505-213505-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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19
1×16 Photonic switch operating at 1.55 μm wavelength based on optical amplifiers and a passive optical splitter
1×16 Photonic switch operating at 1.55 μm wavelength based on optical amplifiers and a passive optical splitter
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1×16 Photonic switch operating at 1.55 μm wavelength based on optical amplifiers and a passive optical splitter

KOREN, U ; YOUNG, M. G ; RAYBON, G ; MILLER, B. I ; NEWKIRK, M. A ; CHIEN, M ; ZIRNGIBL, M ; DRAGONE, C ; GLANCE, B ; KOCH, T. L ; BROWN-GOEBELER, K

Applied physics letters, 1992-10, Vol.61 (14), p.1613-1615 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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1.2 K Shubnikov–de Haas measurements and self-consistent calculation of silicon spreading in δ- and slab-doped In0.53Ga0.47As grown by molecular beam epitaxy
1.2 K Shubnikov–de Haas measurements and self-consistent calculation of silicon spreading in δ- and slab-doped In0.53Ga0.47As grown by molecular beam epitaxy
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1.2 K Shubnikov–de Haas measurements and self-consistent calculation of silicon spreading in δ- and slab-doped In0.53Ga0.47As grown by molecular beam epitaxy

McElhinney, M. ; Vögele, B. ; Holland, M. C. ; Stanley, C. R. ; Skuras, E. ; Long, A. R. ; Johnson, E. A.

Applied physics letters, 1996-02, Vol.68 (7), p.940-942 [Periódico revisado por pares]

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