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0–0 Energies Using Hybrid Schemes: Benchmarks of TD-DFT, CIS(D), ADC(2), CC2, and BSE/GW formalisms for 80 Real-Life Compounds
0–0 Energies Using Hybrid Schemes: Benchmarks of TD-DFT, CIS(D), ADC(2), CC2, and BSE/GW formalisms for 80 Real-Life Compounds
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0–0 Energies Using Hybrid Schemes: Benchmarks of TD-DFT, CIS(D), ADC(2), CC2, and BSE/GW formalisms for 80 Real-Life Compounds

Jacquemin, Denis ; Duchemin, Ivan ; Blase, Xavier

Journal of chemical theory and computation, 2015-11, Vol.11 (11), p.5340-5359 [Periódico revisado por pares]

United States: American Chemical Society

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2
0.05 MU-M (3-SIGMA) OVERLAY ACCURACY THROUGH-THE-LENS ALIGNMENT IN AN EXCIMER LASER LITHOGRAPHY SYSTEM
0.05 MU-M (3-SIGMA) OVERLAY ACCURACY THROUGH-THE-LENS ALIGNMENT IN AN EXCIMER LASER LITHOGRAPHY SYSTEM
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0.05 MU-M (3-SIGMA) OVERLAY ACCURACY THROUGH-THE-LENS ALIGNMENT IN AN EXCIMER LASER LITHOGRAPHY SYSTEM

HIGASHIKI, T ; TOJO, T ; TAKAHASHI, Y ; TABATA, M ; NISHIZAKA, T ; KUWABARA, O ; UCHIDA, N ; YOSHINO, H ; SAITO, S

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 1992, Vol.31 (12B), p.4161-4166 [Periódico revisado por pares]

MINATO-KU TOKYO: JAPAN J APPLIED PHYSICS

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3
0.1 nm information limit with the CM30FEG-special Tübingen
0.1 nm information limit with the CM30FEG-special Tübingen
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0.1 nm information limit with the CM30FEG-special Tübingen

Lichte, Hannes ; Kessler, Peter ; Lenz, Friedrich ; Rau, Wolf-Dieter

Ultramicroscopy, 1993, Vol.52 (3), p.575-580 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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4
0.1 μm RFCMOS on high resistivity substrates for system on chip (SOC) applications
0.1 μm RFCMOS on high resistivity substrates for system on chip (SOC) applications
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0.1 μm RFCMOS on high resistivity substrates for system on chip (SOC) applications

YANG, J.-Y ; BENAISSA, K ; ASHBURN, S ; MADHANI, P ; BLYTHE, T ; SHICHIJO, H ; CRENSHAW, D ; WILLIAMS, B ; SRIDHAR, S ; AI, J ; BOSELLI, G ; ZHAO, S ; TANG, S.-P ; MAHALINGAM, N

Piscataway NJ: IEEE 2002

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5
0.13 μm CMOS Traveling-Wave Power Amplifier with On- and Off-Chip Gate-Line Termination
0.13 μm CMOS Traveling-Wave Power Amplifier with On- and Off-Chip Gate-Line Termination
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0.13 μm CMOS Traveling-Wave Power Amplifier with On- and Off-Chip Gate-Line Termination

Vasjanov, Aleksandr ; Barzdenas, Vaidotas

Electronics (Basel), 2020-01, Vol.9 (1), p.133 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

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6
0.18um CMOS integrated chipset for 5.8GHz DSRC systems with +10dBm output power
0.18um CMOS integrated chipset for 5.8GHz DSRC systems with +10dBm output power
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0.18um CMOS integrated chipset for 5.8GHz DSRC systems with +10dBm output power

Shin, Sangho ; Yun, Seokoh ; Cho, Sanghyun ; Kim, Jongmoon ; Kang, Minseok ; Oh, Wonkap ; Kang, Sung-Mo

2008 IEEE International Symposium on Circuits and Systems, 2008, p.1958-1961

IEEE

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7
A 0.0012 mm[sup.2] 6-bit 700 MS/s 1 mW Calibration-Free Pseudo-Loop-Unrolled SAR ADC in 28 nm CMOS
A 0.0012 mm[sup.2] 6-bit 700 MS/s 1 mW Calibration-Free Pseudo-Loop-Unrolled SAR ADC in 28 nm CMOS
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A 0.0012 mm[sup.2] 6-bit 700 MS/s 1 mW Calibration-Free Pseudo-Loop-Unrolled SAR ADC in 28 nm CMOS

An, Eun-Ji ; Oh, Dong-Ryeol

Electronics (Basel), 2022-06, Vol.11 (11) [Periódico revisado por pares]

MDPI AG

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8
A 0.00426 mm[sup.2] 77.6-dB Dynamic Range VCO-Based CTDSM for Multi-Channel Neural Recording
A 0.00426 mm[sup.2] 77.6-dB Dynamic Range VCO-Based CTDSM for Multi-Channel Neural Recording
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A 0.00426 mm[sup.2] 77.6-dB Dynamic Range VCO-Based CTDSM for Multi-Channel Neural Recording

Wang, Shiwei ; Yang, Xiaolin ; Wang, Chaohan ; Vilouras, Anastasios ; Lopez, Carolina Mora

Electronics (Basel), 2022-11, Vol.11 (21) [Periódico revisado por pares]

MDPI AG

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9
A 0.05 V driven ammonia gas sensor based on an organic diode with a top porous layered electrode and an air-stable sensing film
A 0.05 V driven ammonia gas sensor based on an organic diode with a top porous layered electrode and an air-stable sensing film
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A 0.05 V driven ammonia gas sensor based on an organic diode with a top porous layered electrode and an air-stable sensing film

Madhaiyan, Govindasamy ; Chen, Chao-Hsuan ; Wu, Yi-Chu ; Horng, Sheng-Fu ; Zan, Hsiao-Wen ; Meng, Hsin-Fei ; Lin, Hong-Cheu

Journal of materials chemistry. C, Materials for optical and electronic devices, 2019-05, Vol.7 (21), p.644-6447 [Periódico revisado por pares]

Cambridge: Royal Society of Chemistry

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A 0.1–2.75 GHz high-linear low-noise transconductance amplifier for high-performance multi-standard wireless applications
A 0.1–2.75 GHz high-linear low-noise transconductance amplifier for high-performance multi-standard wireless applications
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A 0.1–2.75 GHz high-linear low-noise transconductance amplifier for high-performance multi-standard wireless applications

Gladson, S. Chrisben ; Praveen, R. ; Bhaskar, M.

Microsystem technologies : sensors, actuators, systems integration, 2020-07, Vol.26 (7), p.2279-2293 [Periódico revisado por pares]

Berlin/Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg

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  1. Zanetic, J
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