MBE growth and characterization of 'DELTA'-doping in 'GA''AS' and 'GA''AS' / 'SI'
Pierre Basmaji A. M Ceschin; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; A. A Bernussi; F Iikawa; P Motisuke; Conference on Superlattices, Quantum Wells, and Mbe Technology (1989 Brasília)
Brasília : Universidade de Brasília, 1989 Program and Abstracts
Brasília Universidade de Brasilia 1989
Localização:
IFSC - Inst. Física de São Carlos
(PROD001671 )(Acessar)
MOVPE growth and characterization of GaAs on Si by photoreflectance and photoluminescence
A. A. Bernussi P Motisuke; Pierre Basmaji; A. M Ceschin; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; Escola Brasileira de Física de Semicondutores (4. 1989 Belo Horizonte)
Anais Belo Horizonte : UFMG, 1989
Belo Horizonte UFMG 1989
Localização:
IFSC - Inst. Física de São Carlos
(PROD000977 )(Acessar)
Multi - 'DELTA' - doping 'SI' 'GA''AS', crescido por epitaxia por feixe molecular (mbe)
Pierre Basmaji A C Notari; Máximo Siu Li; Lidério Citrângulo Ioriatti Júnior; Oscar Hipólito; E Ranz; J C Portal; Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada (13. 1990 Caxambu)
Programa e Resumos São Paulo : Sbf, 1990
São Paulo Sbf 1990
Localização:
IFSC - Inst. Física de São Carlos
(PROD001362 )(Acessar)
Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs
Ayrton A. Bernussi P Motisuke; Pierre Basmaji; A. C Notari; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; Symposium on Advances in Semiconductors and Superconductors : Physics Toward Device Application (1990 San Diego)
Abstracts Bellingham : International Society for Optical Engineering - SPIE, 1990
Bellingham International Society for Optical Engineering - SPIE 1990
Localização:
IFSC - Inst. Física de São Carlos
(PROD000094 ) e outros locais(Acessar)
Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs
Ayrton A. Bernussi F Iikawa; Paulo Motisuke; Pierre Basmaji; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; International Conference of Modulation Spectroscopy (1990 San Diego)
Proceedings of SPIE Bellingham : International Society for Optical Engineering - SPIE v. 1286, p. 348-358, March 1990
Bellingham International Society for Optical Engineering - SPIE 1990
Localização:
IFSC - Inst. Física de São Carlos
(PROD000092 ) e outros locais(Acessar)
Photoreflectance characterization of silicon delta-doped p-'GA''AS'
A. A. Bernussi F Iikawa; P Motisuke; Pierre Basmaji; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; International Conference of Modulation Spectroscopy (1990 San Diego)
Abstracts San Diego, 1990
San Diego 1990
Localização:
IFSC - Inst. Física de São Carlos
(PROD001680 )(Acessar)
Photoreflectance characterization of silicon Delta-doping p-'GA''AS' layer grown by MBE
A. A. Bernussi F Ilkawa; P Motisuke; P Basmaji; Máximo Siu Li; Oscar Hipolito; International Conference on the Electronic Properties of Two-dimensional Systems - EP2DS8 (8. 1989 Grenoble)
Abstracts Grenoble, 1989
Grenoble 1989
Localização:
IFSC - Inst. Física de São Carlos
(PROD001368-SC )(Acessar)