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A channelling and conversion electron mossbauer spectroscopy study of annealing behaviour of tin implanted silicom
A channelling and conversion electron mossbauer spectroscopy study of annealing behaviour of tin implanted silicom
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A channelling and conversion electron mossbauer spectroscopy study of annealing behaviour of tin implanted silicom

SCHERER, E. M ; DE SOUZA, J. P ; HASENACK, C. M ; BAUMVOL, I. J. R

Semiconductor science and technology, 1986, Vol.1 (4), p.241-245 [Periódico revisado por pares]

Bristol: Institute of Physics

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STEM/EDX microanalysis of compositional fluctuations in semiconductors multi-quantum-well structures
STEM/EDX microanalysis of compositional fluctuations in semiconductors multi-quantum-well structures
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STEM/EDX microanalysis of compositional fluctuations in semiconductors multi-quantum-well structures

BULLOCK, J. F ; TITCHMARSH, J. M ; HUMPHREYS, C. J

Semiconductor science and technology, 1986, Vol.1 (6), p.343-345 [Periódico revisado por pares]

Bristol: Institute of Physics

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3
Possible anomalous quantum Hall effect at high quantum numbers and temperatures up to 4.2 K
Possible anomalous quantum Hall effect at high quantum numbers and temperatures up to 4.2 K
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Possible anomalous quantum Hall effect at high quantum numbers and temperatures up to 4.2 K

HEIN, G ; WEIMANN, G ; SCHLAPP, W

Semiconductor science and technology, 1986, Vol.1 (3), p.172-176 [Periódico revisado por pares]

Bristol: Institute of Physics

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4
Inter-band magneto-absorption in a Ga0.3 In0-7 As-InP strained layer superlattice
Inter-band magneto-absorption in a Ga0.3 In0-7 As-InP strained layer superlattice
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Inter-band magneto-absorption in a Ga0.3 In0-7 As-InP strained layer superlattice

ROGERS, D. C ; NICHOLAS, R. J ; PORTAL, J. C ; RAZEGHI, M

Semiconductor science and technology, 1986, Vol.1 (6), p.350-353 [Periódico revisado por pares]

Bristol: Institute of Physics

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5
The temperature dependence of the main photoluminescence half-width and intensity in Al0•28Ga0•72As
The temperature dependence of the main photoluminescence half-width and intensity in Al0•28Ga0•72As
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The temperature dependence of the main photoluminescence half-width and intensity in Al0•28Ga0•72As

TOYODA, T ; TOMITA, M ; HANBA, S

Semiconductor science and technology, 1986, Vol.1 (5), p.295-297 [Periódico revisado por pares]

Bristol: Institute of Physics

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6
A novel basis for quantum calculations in MESFET and JFET devices
A novel basis for quantum calculations in MESFET and JFET devices
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A novel basis for quantum calculations in MESFET and JFET devices

BERGGREN, K.-F ; NEWSON, D. J

Semiconductor science and technology, 1986, Vol.1 (4), p.246-255 [Periódico revisado por pares]

Bristol: Institute of Physics

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A study of n-type GaxInl-xAsyPl-y-InP quantum wells
A study of n-type GaxInl-xAsyPl-y-InP quantum wells
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A study of n-type GaxInl-xAsyPl-y-InP quantum wells

PORTAL, J. C ; NICHOLAS, R. J ; BRUMMELL, M. A ; BRUNEL, L. C ; HUANT, S ; RAZEGHI, M ; LAVIRON, M

Semiconductor science and technology, 1986, Vol.1 (1), p.3-6 [Periódico revisado por pares]

Bristol: Institute of Physics

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8
Capacitance-voltage profiling and the characterisation of III-V semiconductors using electrolyte barriers
Capacitance-voltage profiling and the characterisation of III-V semiconductors using electrolyte barriers
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Capacitance-voltage profiling and the characterisation of III-V semiconductors using electrolyte barriers

Blood, P

Semiconductor science and technology, 1986-07, Vol.1 (1), p.7-27 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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9
Absorption studies of beryllium-doped silicon
Absorption studies of beryllium-doped silicon
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Absorption studies of beryllium-doped silicon

Kleverman, M ; Grimmeiss, H G

Semiconductor science and technology, 1986-07, Vol.1 (1), p.45-48 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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10
Investigation of InGaAs-InP quantum wells by optical spectroscopy
Investigation of InGaAs-InP quantum wells by optical spectroscopy
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Investigation of InGaAs-InP quantum wells by optical spectroscopy

Skolnick, M S ; Tapster, P R ; Bass, S J ; Pitt, A D ; Apsley, N ; Aldred, S P

Semiconductor science and technology, 1986-07, Vol.1 (1), p.29-40 [Periódico revisado por pares]

Bristol: IOP Publishing

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Deste Autor:

  1. Henriques, A
  2. Martino, J
  3. Leite, J
  4. Agopian, P
  5. Gonçalves, L

Neste Assunto:

  1. Physics
  2. Materials Science
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  5. Engineering, Electrical & Electronic

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