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0.1–10-keV x-ray-induced electron emissions from solids—Models and secondary electron measurements
0.1–10-keV x-ray-induced electron emissions from solids—Models and secondary electron measurements
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0.1–10-keV x-ray-induced electron emissions from solids—Models and secondary electron measurements

Henke, Burton L. ; Smith, Jerel A. ; Attwood, David T.

Journal of applied physics, 1977-05, Vol.48 (5), p.1852-1866 [Periódico revisado por pares]

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12
0.1 dB/cm waveguide losses in single-mode SOI rib waveguides
0.1 dB/cm waveguide losses in single-mode SOI rib waveguides
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0.1 dB/cm waveguide losses in single-mode SOI rib waveguides

Fischer, U. ; Zinke, T. ; Kropp, J.-R. ; Arndt, F. ; Petermann, K.

IEEE photonics technology letters, 1996-05, Vol.8 (5), p.647-648

IEEE

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13
0.1 eV HgCdTe photoconductive detector performance
0.1 eV HgCdTe photoconductive detector performance
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0.1 eV HgCdTe photoconductive detector performance

Kinch, M.A. ; Borrello, S.R. ; Simmons, A.

Infrared physics, 1977-01, Vol.17 (2), p.127-135

Elsevier B.V

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14
0.1 ev HgCdTe photodetectors
0.1 ev HgCdTe photodetectors
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0.1 ev HgCdTe photodetectors

Kinch, M.A. ; Borrello, S.R.

Infrared physics, 1975-01, Vol.15 (2), p.111-124

Elsevier B.V

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15
0.1-Micrometer scaling by 1:1 synchrotron radiation lithography
0.1-Micrometer scaling by 1:1 synchrotron radiation lithography
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0.1-Micrometer scaling by 1:1 synchrotron radiation lithography

Mochiji, K ; Ogawa, T ; Oizumil, H ; Soga, T

Microelectronic engineering, 1992-11, Vol.18 (4), p.333-340 [Periódico revisado por pares]

AMSTERDAM: Elsevier B.V

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16
0.1-micron-wide sandwich flux guide and free layer for spin dependent tunneling head sensors
0.1-micron-wide sandwich flux guide and free layer for spin dependent tunneling head sensors
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0.1-micron-wide sandwich flux guide and free layer for spin dependent tunneling head sensors

Pohm, A. V. ; Anderson, J. M.

Journal of applied physics, 2002-05, Vol.91 (10), p.8772-8773 [Periódico revisado por pares]

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17
0.1-MU M-GATE METAMORPHIC HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR ON GaAs AND ITS APPLICATION TO SOURCE-COUPLED FIELD-EFFECT TRANSISTOR LOGIC
0.1-MU M-GATE METAMORPHIC HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR ON GaAs AND ITS APPLICATION TO SOURCE-COUPLED FIELD-EFFECT TRANSISTOR LOGIC
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0.1-MU M-GATE METAMORPHIC HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR ON GaAs AND ITS APPLICATION TO SOURCE-COUPLED FIELD-EFFECT TRANSISTOR LOGIC

Ohshima, T ; Moriguchi, H ; Hoshi, S ; Itoh, M ; Tsunotani, M ; Ichioka, T

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1, 2003, Vol.42 (6A), p.3320-3323 [Periódico revisado por pares]

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18
0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layer
0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layer
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0.1- mu m-gate, ultrathin-film CMOS devices using SIMOX substrate with 80-nm-thick buried oxide layer

Omura, Y. ; Nakashima, S. ; Izumi, K. ; Ishii, T.

IEEE transactions on electron devices, 1993-05, Vol.40 (5), p.1019-1022 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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19
0.1-nm narrow bandwidth transmission of a 2.5-Gb/s spectrum-sliced incoherent light channel using an all-optical bandwidth expansion technique at the receiver
0.1-nm narrow bandwidth transmission of a 2.5-Gb/s spectrum-sliced incoherent light channel using an all-optical bandwidth expansion technique at the receiver
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0.1-nm narrow bandwidth transmission of a 2.5-Gb/s spectrum-sliced incoherent light channel using an all-optical bandwidth expansion technique at the receiver

Han, Jung-Hee ; Ko, Joon-Won ; Lee, Jae Seung ; Shin, Sang-Yung

IEEE photonics technology letters, 1998-10, Vol.10 (10), p.1501-1503

IEEE

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20
0.1 V 13 GHz Transformer-Based Quadrature Voltage-Controlled Oscillator with a Capacitor Coupling Technique in 90 nm Complementary Metal Oxide Semiconductor
0.1 V 13 GHz Transformer-Based Quadrature Voltage-Controlled Oscillator with a Capacitor Coupling Technique in 90 nm Complementary Metal Oxide Semiconductor
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0.1 V 13 GHz Transformer-Based Quadrature Voltage-Controlled Oscillator with a Capacitor Coupling Technique in 90 nm Complementary Metal Oxide Semiconductor

Kamimura, Tatsuya ; Lee, Sang-yeop ; Tanoi, Satoru ; Ito, Hiroyuki ; Ishihara, Noboru ; Masu, Kazuya

Japanese Journal of Applied Physics, 2012-04, Vol.51 (4), p.04DE04-04DE04-6 [Periódico revisado por pares]

The Japan Society of Applied Physics

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