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InAs/InGaAsSb/GaSb Nanowire Tunnel Field-Effect Transistors
InAs/InGaAsSb/GaSb Nanowire Tunnel Field-Effect Transistors
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InAs/InGaAsSb/GaSb Nanowire Tunnel Field-Effect Transistors

Memisevic, Elvedin ; Svensson, Johannes ; Lind, Erik ; Wernersson, Lars-Erik

IEEE transactions on electron devices, 2017-11, Vol.64 (11), p.4746-4751 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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2
Capacitance and Mobility Evaluation for Normally-Off Fully-Vertical GaN FinFETs
Capacitance and Mobility Evaluation for Normally-Off Fully-Vertical GaN FinFETs
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Capacitance and Mobility Evaluation for Normally-Off Fully-Vertical GaN FinFETs

Gribisch, Philipp ; Carrascon, Rosalia Delgado ; Darakchieva, Vanya ; Lind, Erik

IEEE transactions on electron devices, 2023-08, Vol.70 (8), p.4101-4107 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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3
Tuning of Quasi-Vertical GaN FinFETs Fabricated on SiC Substrates
Tuning of Quasi-Vertical GaN FinFETs Fabricated on SiC Substrates
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Tuning of Quasi-Vertical GaN FinFETs Fabricated on SiC Substrates

Gribisch, Philipp ; Carrascon, Rosalia Delgado ; Darakchieva, Vanya ; Lind, Erik

IEEE transactions on electron devices, 2023-05, Vol.70 (5), p.1-7 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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4
Impact of Temperature-Induced Oxide Defects on HfxZr1−xO2 Ferroelectric Tunnel Junction Memristor Performance
Impact of Temperature-Induced Oxide Defects on HfxZr1−xO2 Ferroelectric Tunnel Junction Memristor Performance
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Impact of Temperature-Induced Oxide Defects on HfxZr1−xO2 Ferroelectric Tunnel Junction Memristor Performance

Athle, Robin ; Borg, Mattias

IEEE transactions on electron devices, 2023-03, Vol.70 (3), p.1412 [Periódico revisado por pares]

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5
Cryogenic Characteristics of InGaAs MOSFET
Cryogenic Characteristics of InGaAs MOSFET
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Cryogenic Characteristics of InGaAs MOSFET

Sodergren, L. ; Olausson, P. ; Lind, E.

IEEE transactions on electron devices, 2023-03, Vol.70 (3), p.1-5 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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6
Radio-Frequency Characterization of Selectively Regrown InGaAs Lateral Nanowire MOSFETs
Radio-Frequency Characterization of Selectively Regrown InGaAs Lateral Nanowire MOSFETs
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Radio-Frequency Characterization of Selectively Regrown InGaAs Lateral Nanowire MOSFETs

Zota, Cezar B. ; Roll, Guntrade ; Wernersson, Lars-Erik ; Lind, Erik

IEEE transactions on electron devices, 2014-12, Vol.61 (12), p.4078-4083 [Periódico revisado por pares]

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7
Capacitance Scaling in In0.71Ga0.29As/InP MOSFETs With Self-Aligned a:Si Spacers
Capacitance Scaling in In0.71Ga0.29As/InP MOSFETs With Self-Aligned a:Si Spacers
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Capacitance Scaling in In0.71Ga0.29As/InP MOSFETs With Self-Aligned a:Si Spacers

Garigapati, Navya S. ; Lindelow, Fredrik ; Sodergren, Lasse ; Lind, Erik

IEEE transactions on electron devices, 2021-08, Vol.68 (8), p.3762-3767 [Periódico revisado por pares]

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8
Extrinsic and Intrinsic Performance of Vertical InAs Nanowire MOSFETs on Si Substrates
Extrinsic and Intrinsic Performance of Vertical InAs Nanowire MOSFETs on Si Substrates
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Extrinsic and Intrinsic Performance of Vertical InAs Nanowire MOSFETs on Si Substrates

Persson, Karl-Magnus ; Berg, Martin ; Borg, Mattias B. ; Jun Wu ; Johansson, Sofia ; Svensson, Johannes ; Jansson, Kristofer ; Lind, Erik ; Wernersson, Lars-Erik

IEEE transactions on electron devices, 2013-09, Vol.60 (9), p.2761-2767 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: IEEE

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9
Development of a Vertical Wrap-Gated InAs FET
Development of a Vertical Wrap-Gated InAs FET
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Development of a Vertical Wrap-Gated InAs FET

Thelander, C. ; Rehnstedt, C. ; Froberg, L.E. ; Lind, E. ; Martensson, T. ; Caroff, P. ; Lowgren, T. ; Ohlsson, B.J. ; Samuelson, L. ; Wernersson, L.-E.

IEEE transactions on electron devices, 2008-11, Vol.55 (11), p.3030-3036 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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10
InP Drain Engineering in Asymmetric InGaAs/InP MOSFETs
InP Drain Engineering in Asymmetric InGaAs/InP MOSFETs
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InP Drain Engineering in Asymmetric InGaAs/InP MOSFETs

Jiongjiong Mo ; Lind, Erik ; Wernersson, Lars-Erik

IEEE transactions on electron devices, 2015-02, Vol.62 (2), p.501-506 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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