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11	Material Type: Artículo		Surface passivation at low temperature of p- and n-type silicon wafers using a double layer a-Si:H/SiNx:H Focsa, A. ; Slaoui, A. ; Charifi, H. ; Stoquert, J.P. ; Roques, S. Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 2009-03, Vol.159, p.242-247 [Revista revisada por pares] Elsevier B.V Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
12	Material Type: Artículo		CW laser induced crystallization of thin amorphous silicon films deposited by EBE and PECVD Said-Bacar, Z. ; Prathap, P. ; Cayron, C. ; Mermet, F. ; Leroy, Y. ; Antoni, F. ; Slaoui, A. ; Fogarassy, E. Applied surface science, 2012-09, Vol.258 (23), p.9359-9365 [Revista revisada por pares] Amsterdam: Elsevier B.V Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
13	Material Type: Artículo		Evolution of SiO2/Ge/HfO2(Ge) multilayer structure during high temperature annealing SAHIN, D ; YILDIZ, I ; GENCER, A. I ; AYGUN, G ; SLAOUI, A ; TURAN, R Thin solid films, 2010-02, Vol.518 (9), p.2365-2369 [Revista revisada por pares] Amsterdam: Elsevier Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
14	Material Type: Artículo		Light emitting mechanisms dependent on stoichiometry of Si-rich-SiNx films grown by PECVD Torchynska, T. V. ; Casas Espinola, J. L. ; Jaramillo Gomez, J. A. ; Bentosa Gutiérrez, J. A. ; Khomenkova, L. ; Slaoui, A. Journal of materials science. Materials in electronics, 2017-05, Vol.28 (10), p.6977-6981 [Revista revisada por pares] New York: Springer US Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
15	Material Type: Artículo		Ge nanocrystals in HfO2/SiN dielectric stacks by low energy ion beam synthesis Carrada, M. ; Sahu, B.S. ; Bonafos, C. ; Gloux, F. ; Groenen, J. ; Muller, D. ; Slaoui, A. Thin solid films, 2013-09, Vol.543, p.94-99 [Revista revisada por pares] Amsterdam: Elsevier B.V Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
16	Material Type: Artículo		Defect annealing processes for polycrystalline silicon thin-film solar cells Steffens, S. ; Becker, C. ; Zollondz, J.-H. ; Chowdhury, A. ; Slaoui, A. ; Lindekugel, S. ; Schubert, U. ; Evans, R. ; Rech, B. Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 2013-05, Vol.178 (9), p.670-675 [Revista revisada por pares] Elsevier B.V Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
17	Material Type: Artículo		Crystallographic analysis of polysilicon films formed on foreign substrates by aluminium induced crystallisation and epitaxy Pihan, E. ; Focsa, A. ; Slaoui, A. ; Maurice, C. Thin solid films, 2006-07, Vol.511 (Complete), p.15-20 [Revista revisada por pares] Elsevier B.V Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
18	Material Type: Artículo		EBSD analysis of polysilicon films formed by aluminium induced crystallization of amorphous silicon Tüzün, Ö. ; Auger, J.M. ; Gordon, I. ; Focsa, A. ; Montgomery, P.C. ; Maurice, C. ; Slaoui, A. ; Beaucarne, G. ; Poortmans, J. Thin solid films, 2008-08, Vol.516 (20), p.6882-6887 [Revista revisada por pares] Lausanne: Elsevier B.V Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
19	Material Type: Artículo		Polycrystalline silicon films by aluminium-induced crystallisation: growth process vs. silicon deposition method Pihan, E. ; Slaoui, A. ; Roca i Cabarrocas, P. ; Focsa, A. Thin solid films, 2004-03, Vol.451 (Complete), p.328-333 [Revista revisada por pares] Elsevier B.V Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por
20	Material Type: Artículo		Poly-Si films prepared by rapid thermal CVD on boron and phosphorus silicate glass coated ceramic substrates Focsa, A. ; Slaoui, A. ; Pihan, E. ; Snijkers, F. ; Leempoel, P. ; Beaucarne, G. ; Poortmans, J. Thin solid films, 2006-07, Vol.511 (Complete), p.404-410 [Revista revisada por pares] Elsevier B.V Texto completo disponible Recurso en línea Detalles Comentarios y Etiquetas Servicios adicionales Veces citado Citas Citado por

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