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A 0.0043-mm2 0.085-μW/MHz Relaxation Oscillator Using Charge-Prestored Asymmetric Swings R- RC Network
A 0.0043-mm2 0.085-μW/MHz Relaxation Oscillator Using Charge-Prestored Asymmetric Swings R- RC Network
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A 0.0043-mm2 0.085-μW/MHz Relaxation Oscillator Using Charge-Prestored Asymmetric Swings R- RC Network

Wei, Yuchen ; Yang, Shiheng ; Liu, Yueduo ; Bao, Rongxin ; Zhu, Zihao ; Lin, Jiahui ; Zhang, Zehao ; Chen, Yong ; Yin, Jun ; Mak, Pui-In ; Li, Qiang

IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems, 2023-08, Vol.31 (8), p.1248 [Periódico revisado por pares]

New York: The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. (IEEE)

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A 0.1-2-GHz Quadrature Correction Loop for Digital Multiphase Clock Generation Circuits in 130-nm CMOS
A 0.1-2-GHz Quadrature Correction Loop for Digital Multiphase Clock Generation Circuits in 130-nm CMOS
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A 0.1-2-GHz Quadrature Correction Loop for Digital Multiphase Clock Generation Circuits in 130-nm CMOS

Raja, Immanuel ; Khatri, Vishal ; Zahir, Zaira ; Banerjee, Gaurab

IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems, 2017-03, Vol.25 (3), p.1044-1053 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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A 0.1-3.5-GHz Duty-Cycle Measurement and Correction Technique in 130-nm CMOS
A 0.1-3.5-GHz Duty-Cycle Measurement and Correction Technique in 130-nm CMOS
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A 0.1-3.5-GHz Duty-Cycle Measurement and Correction Technique in 130-nm CMOS

Raja, Immanuel ; Banerjee, Gaurab ; Zeidan, Mohamad A. ; Abraham, Jacob A.

IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems, 2016-05, Vol.24 (5), p.1975-1983 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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A 0.1–4 GHz SDR receiver with reconfigurable 10–100 MHz signal bandwidth in 65 nm CMOS
A 0.1–4 GHz SDR receiver with reconfigurable 10–100 MHz signal bandwidth in 65 nm CMOS
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A 0.1–4 GHz SDR receiver with reconfigurable 10–100 MHz signal bandwidth in 65 nm CMOS

Zhang, Xinwang ; Chi, Baoyong ; Cao, Meng ; Fu, Ling ; Xia, Zhaokang ; Yin, Yun ; Feng, Hongxing ; Zhang, Xing ; Chiang, Patrick ; Wang, Zhihua

Analog integrated circuits and signal processing, 2013-12, Vol.77 (3), p.567-582 [Periódico revisado por pares]

Boston: Springer US

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A 0.1-6.0-GHz Dual-Path SDR Transmitter Supporting Intraband Carrier Aggregation in 65-nm CMOS
A 0.1-6.0-GHz Dual-Path SDR Transmitter Supporting Intraband Carrier Aggregation in 65-nm CMOS
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A 0.1-6.0-GHz Dual-Path SDR Transmitter Supporting Intraband Carrier Aggregation in 65-nm CMOS

Yin, Yun ; Chi, Baoyong ; Sun, Zhigang ; Zhang, Xinwang ; Wang, Zhihua

IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems, 2015-05, Vol.23 (5), p.944-957 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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A 0.1-9-GHz Frequency Synthesizer for Avionic SDR Applications in 0.13-μm CMOS Technology
A 0.1-9-GHz Frequency Synthesizer for Avionic SDR Applications in 0.13-μm CMOS Technology
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A 0.1-9-GHz Frequency Synthesizer for Avionic SDR Applications in 0.13-μm CMOS Technology

Alaoui, Zakaria I. El ; Ajib, Wessam ; Nabki, Frederic ; Gagnon, Francois

IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems, 2021-12, Vol.29 (12), p.2119-2129 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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17
A 0.1-pJ/b and ACF <0.04 Multiple-Valued PUF for Chip Identification Using Bit-Line Sharing Strategy in 65-nm CMOS
A 0.1-pJ/b and ACF <0.04 Multiple-Valued PUF for Chip Identification Using Bit-Line Sharing Strategy in 65-nm CMOS
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A 0.1-pJ/b and ACF <0.04 Multiple-Valued PUF for Chip Identification Using Bit-Line Sharing Strategy in 65-nm CMOS

Zhang, Yuejun ; Pan, Zhao ; Wang, Pengjun ; Ding, Dailu ; Yu, Qiaoyan

IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems, 2019-05, Vol.27 (5), p.1043-1052 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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18
A 0.11-mW 2.4-GHz Receiver Employing a Q -Boosted Impedance Transformer and Regenerative Amplifier Achieving &#8722;101-dBm Sensitivity and &#8722;28-dB SIR
A 0.11-mW 2.4-GHz Receiver Employing a Q -Boosted Impedance Transformer and Regenerative Amplifier Achieving &#8722;101-dBm Sensitivity and &#8722;28-dB SIR
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A 0.11-mW 2.4-GHz Receiver Employing a Q -Boosted Impedance Transformer and Regenerative Amplifier Achieving −101-dBm Sensitivity and −28-dB SIR

Lam, Bao H. ; Lu, Hongyu ; Gadelkarim, Ahmed G. ; Fathy, Nader ; Gudem, Prasad ; Mercier, Patrick P.

IEEE solid-state circuits letters, 2023, Vol.6, p.5-8 [Periódico revisado por pares]

Piscataway: The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. (IEEE)

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19
A 0.116 pJ/bit Latch-Based True Random Number Generator Featuring Static Inverter Selection and Noise Enhancement
A 0.116 pJ/bit Latch-Based True Random Number Generator Featuring Static Inverter Selection and Noise Enhancement
Material Type:
Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.116 pJ/bit Latch-Based True Random Number Generator Featuring Static Inverter Selection and Noise Enhancement

Wang, Xingyu ; Zhang, Ruilin ; Liu, Kunyang ; Shinohara, Hirofumi

IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems, 2024-03, Vol.32 (3), p.1-9 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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20
A 0.123 mW 7.25 GHz static frequency divider by 8 in a 120-nm SOI technology
A 0.123 mW 7.25 GHz static frequency divider by 8 in a 120-nm SOI technology
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Ata de Congresso 		Adicionar ao Meu Espaço

A 0.123 mW 7.25 GHz static frequency divider by 8 in a 120-nm SOI technology

Plouchart, Jean-Olivier ; Kim, Jonghae ; Recoules, Hector ; Zamdmer, Noah ; Tan, Yue ; Sherony, Melanie ; Ray, Asit ; Wagner, Lawrence

International Symposium on Low Power Electronics and Design: Proceedings of the 2003 international symposium on Low power electronics and design; 25-27 Aug. 2003, 2003, p.440-442

New York, NY, USA: ACM

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