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0 + → 0 − β + Decay of Ne 18 and the Determination of F π
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0 + → 0 − β + Decay of Ne 18 and the Determination of F π

Adelberger, E. G. ; Hoyle, C. D. ; Swanson, H. E. ; Von Lintig, R. D.

Physical review letters, 1981-03, Vol.46 (11), p.695-698 [Periódico revisado por pares]

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12
[001]-oriented crystalline Potassium-Sodium Niobate thin film fabricated at low temperature for use in piezoelectric energy harvester
[001]-oriented crystalline Potassium-Sodium Niobate thin film fabricated at low temperature for use in piezoelectric energy harvester
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[001]-oriented crystalline Potassium-Sodium Niobate thin film fabricated at low temperature for use in piezoelectric energy harvester

Kim, Jong-Hyun ; Woo, Jong-Un ; Yee, Yeon-Jeong ; Kim, In-Su ; Shin, Ho-Sung ; Hwang, Hyun-Gyu ; Kweon, Sang Hyo ; Choi, Hyun-Ju ; Nahm, Sahn

Applied surface science, 2021-01, Vol.537, p.147871, Article 147871 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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13
0.015 Degree-Per-Hour Honeycomb Disk Resonator Gyroscope
0.015 Degree-Per-Hour Honeycomb Disk Resonator Gyroscope
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0.015 Degree-Per-Hour Honeycomb Disk Resonator Gyroscope

Xu, Yi ; Li, Qingsong ; Wang, Peng ; Zhang, Yongmeng ; Zhou, Xin ; Yu, Lei ; Wu, Xuezhong ; Xiao, Dingbang

IEEE sensors journal, 2021-03, Vol.21 (6), p.7326-7338 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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0.02-wavelengths-thick transmission-type designer wave plate with high efficiency
0.02-wavelengths-thick transmission-type designer wave plate with high efficiency
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0.02-wavelengths-thick transmission-type designer wave plate with high efficiency

Xu, Peng ; Jiang, Wei Xiang ; Cai, Xiao ; Wang, Zheng Xing ; Cui, Tie Jun

Journal of physics. D, Applied physics, 2019-09, Vol.52 (37), p.375105 [Periódico revisado por pares]

IOP Publishing

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15
0.025 mJ/image Fast-scan and SNR Enhanced Electrical Impedance Tomography IC for Lung Ventilation Monitoring
0.025 mJ/image Fast-scan and SNR Enhanced Electrical Impedance Tomography IC for Lung Ventilation Monitoring
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0.025 mJ/image Fast-scan and SNR Enhanced Electrical Impedance Tomography IC for Lung Ventilation Monitoring

Lee, Jaehyuk ; Ha, Unsoo ; Yoo, Hoi-Jun

JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE, 2017, 17(6), 78, pp.920-926

대한전자공학회

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16
0.03 V Electrolysis Voltage Driven Hydrazine Assisted Hydrogen Generation on NiCo phosphide Nanowires Supported NiCoHydroxide Nanosheets
0.03 V Electrolysis Voltage Driven Hydrazine Assisted Hydrogen Generation on NiCo phosphide Nanowires Supported NiCoHydroxide Nanosheets
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0.03 V Electrolysis Voltage Driven Hydrazine Assisted Hydrogen Generation on NiCo phosphide Nanowires Supported NiCoHydroxide Nanosheets

Li, Mujie ; Zhang, Zhongyi ; Xiong, Hailang ; Wang, Linan ; Zhuang, Shuxian ; Argyle, Morris D. ; Tang, Yang ; Yang, Xiaojin ; Chen, Yongmei ; Wan, Pingyu ; Fan, Maohong

ChemElectroChem, 2020-07, Vol.7 (14), p.3089-3097 [Periódico revisado por pares]

Weinheim: John Wiley & Sons, Inc

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17
0.04 Hz relative optical-frequency stability in a 1.5 mu m distributed-Bragg-reflector (DBR) laser
0.04 Hz relative optical-frequency stability in a 1.5 mu m distributed-Bragg-reflector (DBR) laser
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0.04 Hz relative optical-frequency stability in a 1.5 mu m distributed-Bragg-reflector (DBR) laser

Ishida, O. ; Toba, H. ; Tohmori, Y.

IEEE photonics technology letters, 1989-12, Vol.1 (12), p.452-454

IEEE

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18
0.05 MU-M (3-SIGMA) OVERLAY ACCURACY THROUGH-THE-LENS ALIGNMENT IN AN EXCIMER LASER LITHOGRAPHY SYSTEM
0.05 MU-M (3-SIGMA) OVERLAY ACCURACY THROUGH-THE-LENS ALIGNMENT IN AN EXCIMER LASER LITHOGRAPHY SYSTEM
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0.05 MU-M (3-SIGMA) OVERLAY ACCURACY THROUGH-THE-LENS ALIGNMENT IN AN EXCIMER LASER LITHOGRAPHY SYSTEM

HIGASHIKI, T ; TOJO, T ; TAKAHASHI, Y ; TABATA, M ; NISHIZAKA, T ; KUWABARA, O ; UCHIDA, N ; YOSHINO, H ; SAITO, S

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 1992, Vol.31 (12B), p.4161-4166 [Periódico revisado por pares]

MINATO-KU TOKYO: JAPAN J APPLIED PHYSICS

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19
0.05-μm-gate InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor and reduction of its short-channel effects
0.05-μm-gate InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor and reduction of its short-channel effects
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0.05-μm-gate InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor and reduction of its short-channel effects

ENOKI, T ; TOMIZAWA, M ; UMEDA, Y ; ISHII, Y

Japanese Journal of Applied Physics, 1994, Vol.33 (1B), p.798-803 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

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20
0.065 μm gate InGaP/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with highly-doped 11.5 nm thick InGaP electron supply layers
0.065 μm gate InGaP/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with highly-doped 11.5 nm thick InGaP electron supply layers
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0.065 μm gate InGaP/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with highly-doped 11.5 nm thick InGaP electron supply layers

Nihei, M. ; Hara, N. ; Suehiro, H. ; Kuroda, S.

Solid-state electronics, 1997-10, Vol.41 (10), p.1647-1650, Article 1647 [Periódico revisado por pares]

Elsevier Ltd

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