skip to main content
Resultados 1 2 3 4 5 next page
Mostrar Somente
Refinado por: Lista de Todas as Versões Single Journals remover
Result Number Material Type Add to My Shelf Action Record Details and Options
1
0 − ↔ 0 + beta decay and muon capture in the A = 16 nuclei
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

0 − ↔ 0 + beta decay and muon capture in the A = 16 nuclei

Bottino, A. ; Ciocchetti, G. ; Kim, C. W.

Physical review. C, Nuclear physics, 1977-01, Vol.16 (3), p.1120-1123

Texto completo disponível

2
0-1 Laws for Regular Conditional Distributions
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

0-1 Laws for Regular Conditional Distributions

Berti, Patrizia ; Rigo, Pietro

The Annals of probability, 2007-03, Vol.35 (2), p.649-662 [Periódico revisado por pares]

Hayward, CA: Institute of Mathematical Statistics

Texto completo disponível

3
(0, 1,…, m-2,m) INTERPOLATION FOR THE LAGUERRE ABSCISSAS
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

(0, 1,…, m-2,m) INTERPOLATION FOR THE LAGUERRE ABSCISSAS

Ying-guang, Shi

Journal of computational mathematics, 1994-07, Vol.12 (3), p.239-247 [Periódico revisado por pares]

Science Press

Texto completo disponível

4
0 + → 0 − beta decay of C 16
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

0 + → 0 − beta decay of C 16

Gagliardi, C. A. ; Garvey, G. T. ; Jarmie, Nelson ; Robertson, R. G. H.

Physical review. C, Nuclear physics, 1983-03, Vol.27 (3), p.1353-1355

Texto completo disponível

5
0 + → 0 − β + Decay of Ne 18 and the Determination of F π
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

0 + → 0 − β + Decay of Ne 18 and the Determination of F π

Adelberger, E. G. ; Hoyle, C. D. ; Swanson, H. E. ; Von Lintig, R. D.

Physical review letters, 1981-03, Vol.46 (11), p.695-698 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

6
0.05 MU-M (3-SIGMA) OVERLAY ACCURACY THROUGH-THE-LENS ALIGNMENT IN AN EXCIMER LASER LITHOGRAPHY SYSTEM
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

0.05 MU-M (3-SIGMA) OVERLAY ACCURACY THROUGH-THE-LENS ALIGNMENT IN AN EXCIMER LASER LITHOGRAPHY SYSTEM

HIGASHIKI, T ; TOJO, T ; TAKAHASHI, Y ; TABATA, M ; NISHIZAKA, T ; KUWABARA, O ; UCHIDA, N ; YOSHINO, H ; SAITO, S

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 1992, Vol.31 (12B), p.4161-4166 [Periódico revisado por pares]

MINATO-KU TOKYO: JAPAN J APPLIED PHYSICS

Texto completo disponível

7
0.05-μm-gate InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor and reduction of its short-channel effects
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

0.05-μm-gate InAlAs/InGaAs high electron mobility transistor and reduction of its short-channel effects

ENOKI, T ; TOMIZAWA, M ; UMEDA, Y ; ISHII, Y

Japanese Journal of Applied Physics, 1994, Vol.33 (1B), p.798-803 [Periódico revisado por pares]

Tokyo: Japanese journal of applied physics

Texto completo disponível

8
(0,1, ..., m - 2, m) INTERPOLATION FOR THE LAGUERRE ABSCISSAS
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

(0,1, ..., m - 2, m) INTERPOLATION FOR THE LAGUERRE ABSCISSAS

Ying-guang, Shi

Journal of computational mathematics, 1994-04, Vol.12 (2), p.123-131 [Periódico revisado por pares]

Science Press

Texto completo disponível

9
0.1-MU M-GATE METAMORPHIC HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR ON GaAs AND ITS APPLICATION TO SOURCE-COUPLED FIELD-EFFECT TRANSISTOR LOGIC
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

0.1-MU M-GATE METAMORPHIC HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR ON GaAs AND ITS APPLICATION TO SOURCE-COUPLED FIELD-EFFECT TRANSISTOR LOGIC

Ohshima, T ; Moriguchi, H ; Hoshi, S ; Itoh, M ; Tsunotani, M ; Ichioka, T

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1, 2003, Vol.42 (6A), p.3320-3323 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

10
0.1 V 13 GHz Transformer-Based Quadrature Voltage-Controlled Oscillator with a Capacitor Coupling Technique in 90 nm Complementary Metal Oxide Semiconductor
Material Type:
Artigo
Adicionar ao Meu Espaço

0.1 V 13 GHz Transformer-Based Quadrature Voltage-Controlled Oscillator with a Capacitor Coupling Technique in 90 nm Complementary Metal Oxide Semiconductor

Kamimura, Tatsuya ; Lee, Sang-yeop ; Tanoi, Satoru ; Ito, Hiroyuki ; Ishihara, Noboru ; Masu, Kazuya

Japanese Journal of Applied Physics, 2012-04, Vol.51 (4), p.04DE04-04DE04-6 [Periódico revisado por pares]

The Japan Society of Applied Physics

Texto completo disponível

Resultados 1 2 3 4 5 next page

Personalize Seus Resultados

  1. Editar

Refine Search Results

Expandir Meus Resultados

  1.   

Mostrar Somente

  1. Revistas revisadas por pares (1.210.358)

Refinar Meus Resultados

Tipo de Recurso 

  1. Artigos  (1.390.331)
  2. magazinearticle  (34.356)
  3. Resenhas  (2.944)
  4. Anais de Congresso  (2.072)
  5. Web Resources  (484)
  6. Livros  (146)
  7. Book Chapters  (60)
  8. Reports  (32)
  9. Newsletter Articles  (10)
  10. Conjunto de Dados  (1)
  11. Recursos Textuais  (1)
  12. Mais opções open sub menu

Data de Publicação 

De até
  1. Antes de1960  (22.774)
  2. 1960Até1975  (84.063)
  3. 1976Até1991  (224.760)
  4. 1992Até2008  (534.759)
  5. Após 2008  (568.100)
  6. Mais opções open sub menu

Idioma 

  1. Inglês  (1.429.913)
  2. Japonês  (308.821)
  3. Francês  (7.368)
  4. Alemão  (1.994)
  5. Norueguês  (909)
  6. Russo  (409)
  7. Catalão  (308)
  8. Espanhol  (185)
  9. Dinamarquês  (92)
  10. Tcheco  (76)
  11. Holandês  (67)
  12. Português  (55)
  13. Chinês  (50)
  14. Italiano  (12)
  15. Sueco  (9)
  16. Coreano  (7)
  17. Galês  (5)
  18. Romeno  (2)
  19. Afar  (1)
  20. Mais opções open sub menu

Buscando em bases de dados remotas. Favor aguardar.