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Refinado por: Base de dados/Biblioteca: ANTE: Abstracts in New Technology & Engineering remover Base de dados/Biblioteca: Aluminium Industry Abstracts remover Nome da Publicação: Ieee Transactions On Computer-Aided Design Of Integrated Circuits And Systems remover
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A Reliable Model Parameter Extraction Method Applied to AlGaN/GaN HEMTs
A Reliable Model Parameter Extraction Method Applied to AlGaN/GaN HEMTs
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A Reliable Model Parameter Extraction Method Applied to AlGaN/GaN HEMTs

Jarndal, Anwar ; Essaadali, Riadh ; Kouki, Ammar B.

IEEE transactions on computer-aided design of integrated circuits and systems, 2016-02, Vol.35 (2), p.211-219 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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A simplified model for the effect of interfinger metal on maximum temperature rise in a multifinger bipolar transistor
A simplified model for the effect of interfinger metal on maximum temperature rise in a multifinger bipolar transistor
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A simplified model for the effect of interfinger metal on maximum temperature rise in a multifinger bipolar transistor

Walkey, D.J. ; Celo, D. ; Smy, T.J.

IEEE transactions on computer-aided design of integrated circuits and systems, 2003-01, Vol.22 (1), p.15-25 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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