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1
Trap creation in silicon dioxide produced by hot electrons
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Trap creation in silicon dioxide produced by hot electrons

DI MARIA, D. J ; STASIAK, J. W

Journal of applied physics, 1989-03, Vol.65 (6), p.2342-2356 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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2
Thin films of Y-Ba-Cu-O on silicon and silicon dioxide
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Thin films of Y-Ba-Cu-O on silicon and silicon dioxide

MOGRO-CAMPERO, A ; TURNER, L. G

Applied physics letters, 1988-04, Vol.52 (14), p.1185-1186 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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3
Deposition of silicon dioxide and silicon nitride by remote plasma enhanced chemical vapor deposition
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Deposition of silicon dioxide and silicon nitride by remote plasma enhanced chemical vapor deposition

Lucovsky, G. ; Richard, P. D. ; Tsu, D. V. ; Lin, S. Y. ; Markunas, R. J.

Journal of vacuum science & technology. A, Vacuum, surfaces, and films, 1986-05, Vol.4 (3), p.681-688 [Periódico revisado por pares]

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4
Silicon-silicon dioxide interface: an infrared study
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Artigo
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Silicon-silicon dioxide interface: an infrared study

BOYD, I. W ; WILSON, J. I. B

Journal of applied physics, 1987-10, Vol.62 (8), p.3195-3200 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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5
Self-consistent calculation of electron and hole inversion charges at silicon-silicon dioxide interfaces
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Artigo
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Self-consistent calculation of electron and hole inversion charges at silicon-silicon dioxide interfaces

MOGLESTUE, C

Journal of applied physics, 1986-05, Vol.59 (9), p.3175-3183 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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6
A model for phosphorus segregation at the silicon-silicon dioxide interface
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A model for phosphorus segregation at the silicon-silicon dioxide interface

Lau, F. ; Mader, L. ; Mazure, C. ; Werner, Ch ; Orlowski, M.

Applied Physics A Solids and Surfaces, 1989-12, Vol.49 (6), p.671-675 [Periódico revisado por pares]

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7
Low-temperature deposition of high-quality silicon dioxide by plasma-enhanced chemical vapor deposition
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Artigo
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Low-temperature deposition of high-quality silicon dioxide by plasma-enhanced chemical vapor deposition

BATEY, J ; TIERNEY, E

Journal of applied physics, 1986-11, Vol.60 (9), p.3136-3145 [Periódico revisado por pares]

Woodbury, NY: American Institute of Physics

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8
A reassessment of electron escape depths in silicon and thermally grown silicon dioxide thin films
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A reassessment of electron escape depths in silicon and thermally grown silicon dioxide thin films

Hochella, M.F. ; Carim, A.H.

Surface science, 1988, Vol.197 (3), p.L260-L268 [Periódico revisado por pares]

Lausanne: Elsevier B.V

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9
Infrared spectroscopy of thin silicon dioxide on silicon
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Infrared spectroscopy of thin silicon dioxide on silicon

OLSEN, J. E ; SHIMURA, F

Applied physics letters, 1988-11, Vol.53 (20), p.1934-1936 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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10
Light-induced degradation at the silicon/silicon dioxide interface
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Light-induced degradation at the silicon/silicon dioxide interface

GRUENBAUM, P. E ; SINTON, R. A ; SWANSON, R. M

Applied physics letters, 1988-04, Vol.52 (17), p.1407-1409 [Periódico revisado por pares]

Melville, NY: American Institute of Physics

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  1. Antes de1976  (3.877)
  2. 1976Até1978  (6.222)
  3. 1979Até1981  (7.833)
  4. 1982Até1985  (13.272)
  5. Após 1985  (15.881)
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Idioma 

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  2. Japonês  (10.102)
  3. Francês  (613)
  4. Alemão  (273)
  5. Russo  (60)
  6. Coreano  (48)
  7. Espanhol  (45)
  8. Português  (39)
  9. Norueguês  (19)
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