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1
Optimization of the high-frequency performance of the BASIC bipolar technology
Optimization of the high-frequency performance of the BASIC bipolar technology
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Optimization of the high-frequency performance of the BASIC bipolar technology

Dekker, R. ; van Es, R. ; Jansen, S. ; Kranen, P. ; Maas, H. ; Pruijmboom, A. ; van der Velden, J.

ESSDERC '91: 21st European Solid State Device Research Conference, 1991, Vol.15 (1), p.517-520 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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2
High capacitance isolated surrounding stacked trench cell for advanced DRAMS
High capacitance isolated surrounding stacked trench cell for advanced DRAMS
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High capacitance isolated surrounding stacked trench cell for advanced DRAMS

Hofmann, F. ; Hänsch, W. ; Geib, H. ; Rösner, W. ; Takacs, D. ; Risch, L.

ESSDERC '91: 21st European Solid State Device Research Conference, 1991, Vol.15 (1), p.359-362 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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A new process for defect-free definition of active areas in deep trench isolated bipolar devices
A new process for defect-free definition of active areas in deep trench isolated bipolar devices
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A new process for defect-free definition of active areas in deep trench isolated bipolar devices

Fallico, G ; Rapisarda, C ; Ward, PJ ; Zambrano, R

ESSDERC '91: 21st European Solid State Device Research Conference, 1991, Vol.15 (1), p.655-658 [Periódico revisado por pares]

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4
High-performance VLSI photomask with a molybdenum silicide film
High-performance VLSI photomask with a molybdenum silicide film
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High-performance VLSI photomask with a molybdenum silicide film

Shigetomi, A. ; Matsuda, S. ; Watakabe, Y. ; Kato, T.

Microelectronic engineering, 1991, Vol.14 (2), p.73-86 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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5
Improved shallow trench isolation for sub-halfmicron CMOS
Improved shallow trench isolation for sub-halfmicron CMOS
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Improved shallow trench isolation for sub-halfmicron CMOS

Cabanal, J.P. ; Haond, M.

ESSDERC '91: 21st European Solid State Device Research Conference, 1991, Vol.15 (1), p.651-654 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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6
Dry development and trilevel resist etching in a DECR reactor
Dry development and trilevel resist etching in a DECR reactor
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Dry development and trilevel resist etching in a DECR reactor

Dijkstra, J. ; van de Ven, G. ; Kalter, H.

Microelectronic engineering, 1991, Vol.14 (3), p.259-268 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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7
Processes of top-imaged single-layer resists by potassium ion treatment in solution
Processes of top-imaged single-layer resists by potassium ion treatment in solution
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Processes of top-imaged single-layer resists by potassium ion treatment in solution

Loong, Wen-an ; Su, An-na ; Wang, Jia-lian ; Chu, Cheng-yu

Microelectronic engineering, 1991, Vol.14 (3), p.237-248 [Periódico revisado por pares]

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8
Silicon micromachining for sensor applications
Silicon micromachining for sensor applications
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Silicon micromachining for sensor applications

Rudolf, F. ; Bergqvist, J.

ESSDERC '91: 21st European Solid State Device Research Conference, 1991, Vol.15 (1), p.399-406 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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9
A new sealed poly buffer LOCOS isolation scheme
A new sealed poly buffer LOCOS isolation scheme
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A new sealed poly buffer LOCOS isolation scheme

Wils, N.A.H. ; Montree, A.H.

ESSDERC '91: 21st European Solid State Device Research Conference, 1991, Vol.15 (1), p.643-646 [Periódico revisado por pares]

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10
Borosilicate glass and its applications in bipolar technology
Borosilicate glass and its applications in bipolar technology
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Borosilicate glass and its applications in bipolar technology

Bianco, M. ; Ehinger, K. ; Hautke, B. ; Klose, H. ; Philipsborn, H.v.

ESSDERC '91: 21st European Solid State Device Research Conference, 1991, Vol.15 (1), p.525-528 [Periódico revisado por pares]

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