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1
Improved shallow trench isolation for sub-halfmicron CMOS
Improved shallow trench isolation for sub-halfmicron CMOS
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Improved shallow trench isolation for sub-halfmicron CMOS

Cabanal, J.P. ; Haond, M.

ESSDERC '91: 21st European Solid State Device Research Conference, 1991, Vol.15 (1), p.651-654 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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2
A new sealed poly buffer LOCOS isolation scheme
A new sealed poly buffer LOCOS isolation scheme
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Artigo 		Adicionar ao Meu Espaço

A new sealed poly buffer LOCOS isolation scheme

Wils, N.A.H. ; Montree, A.H.

ESSDERC '91: 21st European Solid State Device Research Conference, 1991, Vol.15 (1), p.643-646 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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3
High-performance VLSI photomask with a molybdenum silicide film
High-performance VLSI photomask with a molybdenum silicide film
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High-performance VLSI photomask with a molybdenum silicide film

Shigetomi, A. ; Matsuda, S. ; Watakabe, Y. ; Kato, T.

Microelectronic engineering, 1991, Vol.14 (2), p.73-86 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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4
A new submicron MOSFET technology with Gate Overlap on Twin Oxide (GOTO) LDD structure
A new submicron MOSFET technology with Gate Overlap on Twin Oxide (GOTO) LDD structure
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A new submicron MOSFET technology with Gate Overlap on Twin Oxide (GOTO) LDD structure

Choi, Young-Suk ; Rhee, Tae-Pok ; Yoo, Kwang-Dong ; Won, Taeyoung

ESSDERC '91: 21st European Solid State Device Research Conference, 1991, Vol.15 (1), p.253-256 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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5
Dry development and trilevel resist etching in a DECR reactor
Dry development and trilevel resist etching in a DECR reactor
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Dry development and trilevel resist etching in a DECR reactor

Dijkstra, J. ; van de Ven, G. ; Kalter, H.

Microelectronic engineering, 1991, Vol.14 (3), p.259-268 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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6
A lateral bipolar transistor concept on SOI using a self-aligned base definition technique
A lateral bipolar transistor concept on SOI using a self-aligned base definition technique
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A lateral bipolar transistor concept on SOI using a self-aligned base definition technique

Magnusson, U. ; Edholm, B. ; Masszi, F.

ESSDERC '91: 21st European Solid State Device Research Conference, 1991, Vol.15 (1), p.341-344 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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7
A new process for defect-free definition of active areas in deep trench isolated bipolar devices
A new process for defect-free definition of active areas in deep trench isolated bipolar devices
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A new process for defect-free definition of active areas in deep trench isolated bipolar devices

Fallico, G ; Rapisarda, C ; Ward, PJ ; Zambrano, R

ESSDERC '91: 21st European Solid State Device Research Conference, 1991, Vol.15 (1), p.655-658 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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8
Silicon micromachining for sensor applications
Silicon micromachining for sensor applications
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Silicon micromachining for sensor applications

Rudolf, F. ; Bergqvist, J.

ESSDERC '91: 21st European Solid State Device Research Conference, 1991, Vol.15 (1), p.399-406 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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9
Design and characteristics of a GaAs BMFET
Design and characteristics of a GaAs BMFET
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Design and characteristics of a GaAs BMFET

Schweeger, G. ; Della Corte, F.G. ; Hartnagel, H.L.

ESSDERC '91: 21st European Solid State Device Research Conference, 1991, Vol.15 (1), p.313-316 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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10
Study of vertical transport through Schottky-gated, laterally confined quantum-dot devices
Study of vertical transport through Schottky-gated, laterally confined quantum-dot devices
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Study of vertical transport through Schottky-gated, laterally confined quantum-dot devices

Blanc, N. ; Guéret, P. ; Germann, R. ; Rothuizen, H.

ESSDERC '91: 21st European Solid State Device Research Conference, 1991, Vol.15 (1), p.671-674 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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