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0.3-THz SiGe-Based High-Efficiency Push-Push VCOs With > 1-mW Peak Output Power Employing Common-Mode Impedance Enhancement
0.3-THz SiGe-Based High-Efficiency Push-Push VCOs With > 1-mW Peak Output Power Employing Common-Mode Impedance Enhancement
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0.3-THz SiGe-Based High-Efficiency Push-Push VCOs With > 1-mW Peak Output Power Employing Common-Mode Impedance Enhancement

Ahmed, Faisal ; Furqan, Muhammad ; Heinemann, Bernd ; Stelzer, Andreas

IEEE transactions on microwave theory and techniques, 2018-03, Vol.66 (3), p.1384-1398 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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2
0.9–10.6 GHz UWB mixer using current bleeding for multi-band application
0.9–10.6 GHz UWB mixer using current bleeding for multi-band application
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0.9–10.6 GHz UWB mixer using current bleeding for multi-band application

Yeh, Chin-I ; Feng, Wu-Shiung ; Hsu, Chen-Yu

Electronics letters, 2014-01, Vol.50 (3), p.186-187 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: The Institution of Engineering and Technology

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3
1-Butene oligomerization over ZSM-5 zeolite: Part 1 – Effect of reaction conditions
1-Butene oligomerization over ZSM-5 zeolite: Part 1 – Effect of reaction conditions
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1-Butene oligomerization over ZSM-5 zeolite: Part 1 – Effect of reaction conditions

Coelho, A. ; Caeiro, G. ; Lemos, M.A.N.D.A. ; Lemos, F. ; Ribeiro, F. Ramôa

Fuel (Guildford), 2013-09, Vol.111, p.449-460 [Periódico revisado por pares]

Kidlington: Elsevier Ltd

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4
1-D Wide-Angle Beam-Scanning Linear Phased Array With Enhanced Gain by Using 3-D Printed Dielectric Slab Superstrate
1-D Wide-Angle Beam-Scanning Linear Phased Array With Enhanced Gain by Using 3-D Printed Dielectric Slab Superstrate
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1-D Wide-Angle Beam-Scanning Linear Phased Array With Enhanced Gain by Using 3-D Printed Dielectric Slab Superstrate

Yu, Yin-Hua ; Zong, Zhi-Yuan ; Wu, Wen ; Chen, Qiaoyu ; Wang, Min ; Fang, Da-Gang

IEEE antennas and wireless propagation letters, 2021-05, Vol.20 (5), p.688-692

IEEE

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5
1-ethyl-3-methylimidazolium chloride plus imidazole deep eutectic solvents as physical solvents for remarkable separation of H2S from CO2
1-ethyl-3-methylimidazolium chloride plus imidazole deep eutectic solvents as physical solvents for remarkable separation of H2S from CO2
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1-ethyl-3-methylimidazolium chloride plus imidazole deep eutectic solvents as physical solvents for remarkable separation of H2S from CO2

Wu, Xiankun ; Cheng, Ning-Ning ; Jiang, Haijiao ; Zheng, Wen-Tao ; Chen, Yang ; Huang, Kuan ; Liu, Fujian

Separation and purification technology, 2021-12, Vol.276, p.119313, Article 119313 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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6
1/f and G-R noise in AlGaAs epitaxial layers
1/f and G-R noise in AlGaAs epitaxial layers
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1/f and G-R noise in AlGaAs epitaxial layers

PASCAL, F ; DE MURCIA, M ; LECOY, G ; VANDAMME, L. K. J

Solid-state electronics, 1994-08, Vol.37 (8), p.1503-1508 [Periódico revisado por pares]

Oxford: Elsevier Science

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7
1/f Noise and Defects in Microelectronic Materials and Devices
1/f Noise and Defects in Microelectronic Materials and Devices
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1/f Noise and Defects in Microelectronic Materials and Devices

Fleetwood, D. M.

IEEE transactions on nuclear science, 2015-08, Vol.62 (4), p.1462-1486 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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8
1/f noise characteristics of AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor with a noise corner frequency below 1 kHz
1/f noise characteristics of AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor with a noise corner frequency below 1 kHz
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1/f noise characteristics of AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor with a noise corner frequency below 1 kHz

Shin, Jin-Ho ; Lee, Joonwoo ; Suh, Youngseok ; Kim, Bumman

IEEE electron device letters, 1996-02, Vol.17 (2), p.65-68 [Periódico revisado por pares]

IEEE

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9
1/f noise in n-p-n GaAs/AlGaAs heterojunction bipolar transistors : impact of intrinsic transistor and parasitic series resistances
1/f noise in n-p-n GaAs/AlGaAs heterojunction bipolar transistors : impact of intrinsic transistor and parasitic series resistances
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1/f noise in n-p-n GaAs/AlGaAs heterojunction bipolar transistors : impact of intrinsic transistor and parasitic series resistances

KLEINPENNING, T. G. M ; HOLDEN, A. J

IEEE transactions on electron devices, 1993-06, Vol.40 (6), p.1148-1153 [Periódico revisado por pares]

New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers

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10
1.2 V BiCMOS Sinh-Domain Filters
1.2 V BiCMOS Sinh-Domain Filters
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1.2 V BiCMOS Sinh-Domain Filters

Kasimis, Chrisostomos ; Psychalinos, Costas

Circuits, systems, and signal processing, 2012-08, Vol.31 (4), p.1257-1277 [Periódico revisado por pares]

Boston: SP Birkhäuser Verlag Boston

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