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1
Effects of halo implant on hot carrier reliability of sub-quarter micron MOSFETs
Material Type:
Ata de Congresso
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Effects of halo implant on hot carrier reliability of sub-quarter micron MOSFETs

Das, A. ; De, H. ; Misra, V. ; Venkatesan, S. ; Veeraraghavan, S. ; Foisy, M.

1998 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 36th Annual (Cat. No.98CH36173), 1998, p.189-193

IEEE

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2
Improved luminescence and thermal stability of semipolar (11-22) InGaN quantum dots
Material Type:
Artigo
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Improved luminescence and thermal stability of semipolar (11-22) InGaN quantum dots

Das, A. ; Dimitrakopulos, G. P. ; Kotsar, Y. ; Lotsari, A. ; Kehagias, Th ; Komninou, Ph ; Monroy, E.

Applied physics letters, 2011-05, Vol.98 (20), p.201911-201911-3 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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3
N + beam induced nano-cluster formation in poly(2,6-dimethyl phenylene oxide) thin films
Material Type:
Artigo
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N + beam induced nano-cluster formation in poly(2,6-dimethyl phenylene oxide) thin films

Das, A. ; Ghosh, G. ; Dhara, S. ; Patnaik, A.

Materials letters, 1999, Vol.38 (1), p.82-86 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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4
Characterisation and integration feasibility of JSR’s low- k dielectric LKD-5109
Material Type:
Artigo
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Characterisation and integration feasibility of JSR’s low- k dielectric LKD-5109

Das, A ; Kokubo, T ; Furukawa, Y ; Struyf, H ; Vos, I ; Sijmus, B ; Iacopi, F ; Van. Aelst, J ; Le, Q.T ; Carbonell, L ; Brongersma, S ; Maenhoudt, M ; Tokei, Z ; Vervoort, I ; Sleeckx, E ; Stucchi, M ; Schaekers, M ; Boullart, W ; Rosseel, E ; Van Hove, M ; Vanhaelemeersch, S ; Shiota, A ; Maex, K

Microelectronic engineering, 2002-10, Vol.64 (1), p.25-33 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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5
Growth and characterization of polar (0001) and semipolar (11−22) InGaN/GaN quantum dots
Material Type:
Artigo
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Growth and characterization of polar (0001) and semipolar (11−22) InGaN/GaN quantum dots

Das, A. ; Sinha, P. ; Kotsar, Y. ; Kandaswamy, P.K. ; Dimitrakopulos, G.P. ; Kehagias, Th ; Komninou, Ph ; Nataf, G. ; De Mierry, P. ; Monroy, E.

Journal of crystal growth, 2011-05, Vol.323 (1), p.161-163 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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6
Application of plasma resonance condition for prediction of large Kerr effects
Material Type:
Artigo
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Application of plasma resonance condition for prediction of large Kerr effects

De, A. ; Puri, A.

Journal of applied physics, 2002-11, Vol.92 (9), p.5401-5408 [Periódico revisado por pares]

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7
Large plasma-edge broadened magneto-optic-polar-Kerr-effect-based broadband incoherent detection of terahertz spectral frequencies
Material Type:
Artigo
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Large plasma-edge broadened magneto-optic-polar-Kerr-effect-based broadband incoherent detection of terahertz spectral frequencies

De, A. ; Puri, A.

Applied physics letters, 2005-02, Vol.86 (9), p.091103-091103-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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8
Kerr-resonance-condition-coupled enhancement in magneto-optic media
Material Type:
Artigo
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Kerr-resonance-condition-coupled enhancement in magneto-optic media

De, A. ; Puri, A.

Journal of applied physics, 2003-01, Vol.93 (2), p.1120-1126 [Periódico revisado por pares]

Texto completo disponível

9
Dielectric properties of CaF2 single crystals irradiated with X-rays under a high electric field or γ-rays
Material Type:
Artigo
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Dielectric properties of CaF2 single crystals irradiated with X-rays under a high electric field or γ-rays

De, A. ; Rao, K. V.

Physica status solidi. A, Applied research, 1988-07, Vol.108 (1), p.457-462

Berlin: WILEY-VCH Verlag

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10
Considerations of the double-cross-slip mechanism for basal and rhombohedral twinning in sapphire (α-Al2O3)
Material Type:
Artigo
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Considerations of the double-cross-slip mechanism for basal and rhombohedral twinning in sapphire (α-Al2O3)

He, A. ; Lagerlöf, K. P. D. ; Castaing, J. ; Heuer, A. H.

Philosophical magazine. A, Physics of condensed matter. Defects and mechanical properties, 2002-10, Vol.82 (15), p.2855-2867 [Periódico revisado por pares]

Taylor & Francis Group

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