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Refinado por: Nome da Publicação: Applied Physics Letters remover assunto: Layers remover
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Fabrication of genuine single-quantum-dot light-emitting diodes
Fabrication of genuine single-quantum-dot light-emitting diodes
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Fabrication of genuine single-quantum-dot light-emitting diodes

Schmidt, R. ; Scholz, U. ; Vitzethum, M. ; Fix, R. ; Metzner, C. ; Kailuweit, P. ; Reuter, D. ; Wieck, A. ; Hübner, M. C. ; Stufler, S. ; Zrenner, A. ; Malzer, S. ; Döhler, G. H.

Applied physics letters, 2006-03, Vol.88 (12), p.121115-121115-3 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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2
On-chip superconductivity via gallium overdoping of silicon
On-chip superconductivity via gallium overdoping of silicon
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On-chip superconductivity via gallium overdoping of silicon

Skrotzki, R. ; Fiedler, J. ; Herrmannsdörfer, T. ; Heera, V. ; Voelskow, M. ; Mücklich, A. ; Schmidt, B. ; Skorupa, W. ; Gobsch, G. ; Helm, M. ; Wosnitza, J.

Applied physics letters, 2010-11, Vol.97 (19), p.192505-192505-3 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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3
Rolling up SiGe on insulator
Rolling up SiGe on insulator
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Rolling up SiGe on insulator

Cavallo, F. ; Songmuang, R. ; Ulrich, C. ; Schmidt, O. G.

Applied physics letters, 2007-05, Vol.90 (19), p.193120-193120-3 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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Direct evidence of strain transfer for InAs island growth on compliant Si substrates
Direct evidence of strain transfer for InAs island growth on compliant Si substrates
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Direct evidence of strain transfer for InAs island growth on compliant Si substrates

Marçal, L. A. B. ; Richard, M.-I. ; Magalhães-Paniago, R. ; Cavallo, F. ; Lagally, M. G. ; Schmidt, O. G. ; Schülli, T. Ü. ; Deneke, Ch ; Malachias, Angelo

Applied physics letters, 2015-04, Vol.106 (15) [Periódico revisado por pares]

United States

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Eliminating stacking faults in semi-polar GaN by AlN interlayers
Eliminating stacking faults in semi-polar GaN by AlN interlayers
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Eliminating stacking faults in semi-polar GaN by AlN interlayers

Dadgar, A. ; Ravash, R. ; Veit, P. ; Schmidt, G. ; Müller, M. ; Dempewolf, A. ; Bertram, F. ; Wieneke, M. ; Christen, J. ; Krost, A.

Applied physics letters, 2011-07, Vol.99 (2), p.021905-021905-3 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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6
Magnetization manipulation in (Ga,Mn)As by subpicosecond optical excitation
Magnetization manipulation in (Ga,Mn)As by subpicosecond optical excitation
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Magnetization manipulation in (Ga,Mn)As by subpicosecond optical excitation

Astakhov, G. V. ; Kimel, A. V. ; Schott, G. M. ; Tsvetkov, A. A. ; Kirilyuk, A. ; Yakovlev, D. R. ; Karczewski, G. ; Ossau, W. ; Schmidt, G. ; Molenkamp, L. W. ; Rasing, Th

Applied physics letters, 2005-04, Vol.86 (15) [Periódico revisado por pares]

United States

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7
Investigation of plasma hydrogenation and trapping mechanism for layer transfer
Investigation of plasma hydrogenation and trapping mechanism for layer transfer
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Investigation of plasma hydrogenation and trapping mechanism for layer transfer

Chen, Peng ; Chu, Paul K. ; Höchbauer, T. ; Lee, J.-K. ; Nastasi, M. ; Buca, D. ; Mantl, S. ; Loo, R. ; Caymax, M. ; Alford, T. ; Mayer, J. W. ; Theodore, N. David ; Cai, M. ; Schmidt, B. ; Lau, S. S.

Applied physics letters, 2005-01, Vol.86 (3) [Periódico revisado por pares]

United States

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8
Doping of low-temperature GaAs and GaMnAs with carbon
Doping of low-temperature GaAs and GaMnAs with carbon
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Doping of low-temperature GaAs and GaMnAs with carbon

Schott, G. M. ; Rüster, C. ; Brunner, K. ; Gould, C. ; Schmidt, G. ; Molenkamp, L. W. ; Sawicki, M. ; Jakiela, R. ; Barcz, A. ; Karczewski, G.

Applied physics letters, 2004-11, Vol.85 (20), p.4678-4680 [Periódico revisado por pares]

United States

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9
Molecular-beam epitaxy of (Zn,Mn)Se on Si(100)
Molecular-beam epitaxy of (Zn,Mn)Se on Si(100)
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Molecular-beam epitaxy of (Zn,Mn)Se on Si(100)

Slobodskyy, T. ; Rüster, C. ; Fiederling, R. ; Keller, D. ; Gould, C. ; Ossau, W. ; Schmidt, G. ; Molenkamp, L. W.

Applied physics letters, 2004-12, Vol.85 (25), p.6215-6217 [Periódico revisado por pares]

United States

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