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3.5-μm radius race-track microlasers operating at room temperature with 1.3-μm quantum dot active region
3.5-μm radius race-track microlasers operating at room temperature with 1.3-μm quantum dot active region
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3.5-μm radius race-track microlasers operating at room temperature with 1.3-μm quantum dot active region

Kryzhanovskaya, N. V. ; Polubavkina, Yu. S. ; Scherbak, S. A. ; Moiseev, E. I. ; Zhurikhina, V. V. ; Zubov, F. I. ; Lipovskii, A. A. ; Kulagina, M. M. ; Troshkov, S. I. ; Zadiranov, Yu. M. ; Maximov, M. V. ; Zhukov, A. E.

Journal of applied physics, 2017-01, Vol.121 (4) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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2
8-band k  ⋅ p modeling of strained InxGa(1−x)As/InP heterostructure nanowires
8-band k  ⋅ p modeling of strained InxGa(1−x)As/InP heterostructure nanowires
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8-band k  ⋅ p modeling of strained InxGa(1−x)As/InP heterostructure nanowires

Garigapati, Navya Sri ; Lind, Erik

Journal of applied physics, 2023-01, Vol.133 (1) [Periódico revisado por pares]

Melville: American Institute of Physics

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3
80% tunneling magnetoresistance at room temperature for thin Al-O barrier magnetic tunnel junction with CoFeB as free and reference layers
80% tunneling magnetoresistance at room temperature for thin Al-O barrier magnetic tunnel junction with CoFeB as free and reference layers
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80% tunneling magnetoresistance at room temperature for thin Al-O barrier magnetic tunnel junction with CoFeB as free and reference layers

Wei, H. X. ; Qin, Q. H. ; Ma, M. ; Sharif, R. ; Han, X. F.

Journal of applied physics, 2007-05, Vol.101 (9), p.09B501-09B501-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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4
Ab-initio aprroach to the electronic, structural, elastic, and finite-temperature thermodynamic properties of Ti 2 AX (A=Al or Ga and X=C or N)
Ab-initio aprroach to the electronic, structural, elastic, and finite-temperature thermodynamic properties of Ti 2 AX (A=Al or Ga and X=C or N)
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Ab-initio aprroach to the electronic, structural, elastic, and finite-temperature thermodynamic properties of Ti 2 AX (A=Al or Ga and X=C or N)

Duong, Thien ; Gibbons, Sean ; Kinra, Rajeev ; Arróyave, Raymundo

Journal of applied physics, 2011-11, Vol.110 (9), p.093504-093504-15 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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5
Ab initio calculation of lattice dynamics and thermodynamic properties of beryllium
Ab initio calculation of lattice dynamics and thermodynamic properties of beryllium
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Ab initio calculation of lattice dynamics and thermodynamic properties of beryllium

Luo, Fen ; Cai, Ling-Cang ; Chen, Xiang-Rong ; Jing, Fu-Qian ; Alfè, Dario

Journal of applied physics, 2012-03, Vol.111 (5), p.053503-053503-10 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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6
Ab-initio calculation of magnetic properties of Gd-doped ZnGeN 2
Ab-initio calculation of magnetic properties of Gd-doped ZnGeN 2
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Ab-initio calculation of magnetic properties of Gd-doped ZnGeN 2

Rufinus, J.

Journal of applied physics, 2011-03, Vol.109 (7), p.07C315-07C315-3 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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7
Ab initio calculations and synthesis of the off-stoichiometric half-Heusler phase Ni 1 − x Mn 1 + x Sb
Ab initio calculations and synthesis of the off-stoichiometric half-Heusler phase Ni 1 − x Mn 1 + x Sb
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Ab initio calculations and synthesis of the off-stoichiometric half-Heusler phase Ni 1 − x Mn 1 + x Sb

Ekholm, M. ; Larsson, P. ; Alling, B. ; Helmersson, U. ; Abrikosov, I. A.

Journal of applied physics, 2010-11, Vol.108 (9), p.093712-093712-9 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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8
Ab initio calculations of structural and energetic properties of defects in gallium nitride
Ab initio calculations of structural and energetic properties of defects in gallium nitride
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Ab initio calculations of structural and energetic properties of defects in gallium nitride

Xiao, H. Y. ; Zu, X. T. ; Gao, Fei ; Weber, W. J.

Journal of applied physics, 2008-06, Vol.103 (12), p.123529-123529-5 [Periódico revisado por pares]

United States: American Institute of Physics

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9
Ab initio calculations of structural properties of Sc x Ga 1 − x N
Ab initio calculations of structural properties of Sc x Ga 1 − x N
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Ab initio calculations of structural properties of Sc x Ga 1 − x N

Zerroug, S. ; Ali Sahraoui, F. ; Bouarissa, N.

Journal of applied physics, 2008-03, Vol.103 (6), p.063510-063510-7 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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10
Ab initio electronic structure calculations of solid, solution-processed metallotetrabenzoporphyrins
Ab initio electronic structure calculations of solid, solution-processed metallotetrabenzoporphyrins
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Ab initio electronic structure calculations of solid, solution-processed metallotetrabenzoporphyrins

Shea, Patrick B. ; Kanicki, Jerzy

Journal of applied physics, 2012-04, Vol.111 (7), p.073709-073709-7 [Periódico revisado por pares]

American Institute of Physics

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