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A New X-Ray Diffraction Method for Studying Imperfections of Crystal Structure in Polycrystalline Specimens
A New X-Ray Diffraction Method for Studying Imperfections of Crystal Structure in Polycrystalline Specimens
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A New X-Ray Diffraction Method for Studying Imperfections of Crystal Structure in Polycrystalline Specimens

Reis, Alfred J. ; Slade, Jerome J. ; Weissmann, Sigmund

Journal of applied physics, 1951-05, Vol.22 (5), p.665-672 [Periódico revisado por pares]

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Radioactive and Photoelectric p-n Junction Power Sources
Radioactive and Photoelectric p-n Junction Power Sources
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Radioactive and Photoelectric p-n Junction Power Sources

Pfann, W. G. ; Van Roosbroeck, W.

Journal of applied physics, 1954-11, Vol.25 (11), p.1422-1434 [Periódico revisado por pares]

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Diffusion of Donor and Acceptor Elements in Silicon
Diffusion of Donor and Acceptor Elements in Silicon
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Diffusion of Donor and Acceptor Elements in Silicon

Fuller, C. S. ; Ditzenberger, J. A.

Journal of applied physics, 1956-01, Vol.27 (5), p.544-553 [Periódico revisado por pares]

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Photovoltaic Noise in Silicon Broad Area p-n Junctions
Photovoltaic Noise in Silicon Broad Area p-n Junctions
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Photovoltaic Noise in Silicon Broad Area p-n Junctions

Gianola, U. F.

Journal of applied physics, 1956-01, Vol.27 (1), p.51-54 [Periódico revisado por pares]

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Etching Behavior of Pile-Irradiated Germanium and Silicon Single Crystals
Etching Behavior of Pile-Irradiated Germanium and Silicon Single Crystals
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Etching Behavior of Pile-Irradiated Germanium and Silicon Single Crystals

Chang, Roger

Journal of applied physics, 1957-04, Vol.28 (4), p.385-387 [Periódico revisado por pares]

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Expansions in Reactor Irradiated Germanium and Silicon
Expansions in Reactor Irradiated Germanium and Silicon
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Expansions in Reactor Irradiated Germanium and Silicon

Wittels, M. C.

Journal of applied physics, 1957-08, Vol.28 (8), p.921-921 [Periódico revisado por pares]

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Silicon Crystal Counters
Silicon Crystal Counters
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Silicon Crystal Counters

Davis, W. D.

Journal of applied physics, 1958-02, Vol.29 (2), p.231-232 [Periódico revisado por pares]

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Work Function and Sorption Properties of Silicon Crystals
Work Function and Sorption Properties of Silicon Crystals
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Work Function and Sorption Properties of Silicon Crystals

Dillon, J. A. ; Farnsworth, H. E.

Journal of applied physics, 1958-08, Vol.29 (8), p.1195-1202 [Periódico revisado por pares]

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9
Application of the Ion Bombardment Cleaning Method to Titanium, Germanium, Silicon, and Nickel as Determined by Low-Energy Electron Diffraction
Application of the Ion Bombardment Cleaning Method to Titanium, Germanium, Silicon, and Nickel as Determined by Low-Energy Electron Diffraction
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Application of the Ion Bombardment Cleaning Method to Titanium, Germanium, Silicon, and Nickel as Determined by Low-Energy Electron Diffraction

Farnsworth, H. E. ; Schlier, R. E. ; George, T. H. ; Burger, R. M.

Journal of applied physics, 1958-08, Vol.29 (8), p.1150-1161 [Periódico revisado por pares]

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10
Passivity during the Oxidation of Silicon at Elevated Temperatures
Passivity during the Oxidation of Silicon at Elevated Temperatures
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Passivity during the Oxidation of Silicon at Elevated Temperatures

Wagner, Carl

Journal of applied physics, 1958-09, Vol.29 (9), p.1295-1297 [Periódico revisado por pares]

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