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Effect of Substrate Bias on Tantalum Films Sputtered in an Oxygen-Argon Mixture
Effect of Substrate Bias on Tantalum Films Sputtered in an Oxygen-Argon Mixture
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Effect of Substrate Bias on Tantalum Films Sputtered in an Oxygen-Argon Mixture

Westwood, W. D. ; Wilcox, P. S.

Journal of applied physics, 1971-01, Vol.42 (10), p.4055-4062 [Revista revisada por pares]

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2
Giant Magneto-Optical Kerr Effect in EuO
Giant Magneto-Optical Kerr Effect in EuO
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Giant Magneto-Optical Kerr Effect in EuO

Suits, J. C. ; Lee, Kenneth

Journal of applied physics, 1971-01, Vol.42 (8), p.3258-3260 [Revista revisada por pares]

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Range Distribution Theory Based on Energy Distribution of Implanted Ions
Range Distribution Theory Based on Energy Distribution of Implanted Ions
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Range Distribution Theory Based on Energy Distribution of Implanted Ions

Furukawa, Seijiro ; Ishiwara, Hiroshi

Journal of applied physics, 1972-01, Vol.43 (3), p.1268-1273 [Revista revisada por pares]

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Structure and Composition of Sputtered Tantalum Thin Films on Silicon Studied by Nuclear and X-Ray Analysis
Structure and Composition of Sputtered Tantalum Thin Films on Silicon Studied by Nuclear and X-Ray Analysis
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Structure and Composition of Sputtered Tantalum Thin Films on Silicon Studied by Nuclear and X-Ray Analysis

Croset, M. ; Velasco, G.

Journal of applied physics, 1972-01, Vol.43 (4), p.1444-1448 [Revista revisada por pares]

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5
Anisotropies in the critical currents of NbN films
Anisotropies in the critical currents of NbN films
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Anisotropies in the critical currents of NbN films

Saito, Y. ; Anayama, T. ; Moto, Y. ; Onodera, Y.

Journal of applied physics, 1972-01, Vol.43 (9), p.3842-3845 [Revista revisada por pares]

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6
Positive-ion bombardment of substrates in rf diode glow discharge sputtering
Positive-ion bombardment of substrates in rf diode glow discharge sputtering
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Positive-ion bombardment of substrates in rf diode glow discharge sputtering

Coburn, J. W. ; Kay, Eric

Journal of applied physics, 1972-01, Vol.43 (12), p.4965-4971 [Revista revisada por pares]

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7
Correlation of ion channeling and electron microscopy results in the evaluation of heteroepitaxial silicon
Correlation of ion channeling and electron microscopy results in the evaluation of heteroepitaxial silicon
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Correlation of ion channeling and electron microscopy results in the evaluation of heteroepitaxial silicon

Picraux, S. T. ; Thomas, G. J.

Journal of applied physics, 1973-01, Vol.44 (2), p.594-602 [Revista revisada por pares]

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8
Gallium arsenide films on recrystallized germanium films
Gallium arsenide films on recrystallized germanium films
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Gallium arsenide films on recrystallized germanium films

Chu, Shirley S. ; Chu, T. L. ; Monroe, S. ; Wang, C. P. ; Yang, H. T.

Journal of applied physics, 1977-01, Vol.48 (11), p.4848-4849 [Revista revisada por pares]

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9
Silicon solar cells on zone-melted silicon/graphite substrates
Silicon solar cells on zone-melted silicon/graphite substrates
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Silicon solar cells on zone-melted silicon/graphite substrates

Chu, T. L. ; Chu, Shirley S. ; Duh, K. Y. ; Mollenkopf, H. C.

Journal of applied physics, 1977-08, Vol.48 (8), p.3576-3579 [Revista revisada por pares]

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10
Evaluation of doping profiles in ion-implanted PbTe
Evaluation of doping profiles in ion-implanted PbTe
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Evaluation of doping profiles in ion-implanted PbTe

Palmetshofer, L. ; Vierlinger, E. ; Heinrich, H. ; Haas, L. D.

Journal of applied physics, 1978-03, Vol.49 (3), p.1128-1130 [Revista revisada por pares]

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