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0.13 μm CMOS Traveling-Wave Power Amplifier with On- and Off-Chip Gate-Line Termination
0.13 μm CMOS Traveling-Wave Power Amplifier with On- and Off-Chip Gate-Line Termination
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0.13 μm CMOS Traveling-Wave Power Amplifier with On- and Off-Chip Gate-Line Termination

Vasjanov, Aleksandr ; Barzdenas, Vaidotas

Electronics (Basel), 2020-01, Vol.9 (1), p.133 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

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2
0.9–10.6 GHz UWB mixer using current bleeding for multi-band application
0.9–10.6 GHz UWB mixer using current bleeding for multi-band application
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0.9–10.6 GHz UWB mixer using current bleeding for multi-band application

Yeh, Chin-I ; Feng, Wu-Shiung ; Hsu, Chen-Yu

Electronics letters, 2014-01, Vol.50 (3), p.186-187 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: The Institution of Engineering and Technology

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3
1 V CMOS current references for wide-temperature range applications
1 V CMOS current references for wide-temperature range applications
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1 V CMOS current references for wide-temperature range applications

Calvo, B ; Azcona, C ; Medrano, N ; Celma, S

Electronics letters, 2013-08, Vol.49 (17), p.1061-1063 [Periódico revisado por pares]

Stevenage: The Institution of Engineering and Technology

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4
100 Gbps Dynamic Extensible Protocol Parser Based on an FPGA
100 Gbps Dynamic Extensible Protocol Parser Based on an FPGA
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100 Gbps Dynamic Extensible Protocol Parser Based on an FPGA

Wang, Ke ; Guo, Zhichuan ; Song, Mangu ; Sha, Meng

Electronics (Basel), 2022-05, Vol.11 (9), p.1501 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

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5
18 band ANSI S1.11 filter bank based on interpolated finite impulse response technique for hearing aids
18 band ANSI S1.11 filter bank based on interpolated finite impulse response technique for hearing aids
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18 band ANSI S1.11 filter bank based on interpolated finite impulse response technique for hearing aids

S.P, Deepu ; Kini M, Ramesh ; David S, Sumam

Journal of engineering (Stevenage, England), 2020-09, Vol.2020 (9), p.760-767 [Periódico revisado por pares]

The Institution of Engineering and Technology

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6
2-D Simulation of Quantum Effects in Small Semiconductor Devices Using Quantum Hydrodynamic Equations
2-D Simulation of Quantum Effects in Small Semiconductor Devices Using Quantum Hydrodynamic Equations
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2-D Simulation of Quantum Effects in Small Semiconductor Devices Using Quantum Hydrodynamic Equations

Zhou, Jing-Rong ; Ferry, David K.

VLSI Design, 1995-01, Vol.1995 (2), p.159-177 [Periódico revisado por pares]

Hindawi Limiteds

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7
20th-Century Award-Winning Buildings in Lisbon (Portugal). Study of Plasters, Rendering, and Concrete Materials Aiming Their Sustainable Preservation
20th-Century Award-Winning Buildings in Lisbon (Portugal). Study of Plasters, Rendering, and Concrete Materials Aiming Their Sustainable Preservation
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20th-Century Award-Winning Buildings in Lisbon (Portugal). Study of Plasters, Rendering, and Concrete Materials Aiming Their Sustainable Preservation

Almeida, Luís ; Silva, António Santos ; Veiga, Maria do Rosário ; Mirão, José ; Vieira, Manuel

Buildings (Basel), 2021-08, Vol.11 (8), p.359 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

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8
230 VAC/28 VDC high-power density power supply for more electric aircraft applications
230 VAC/28 VDC high-power density power supply for more electric aircraft applications
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230 VAC/28 VDC high-power density power supply for more electric aircraft applications

Liu, Ran ; Xu, Lie ; Kang, Yuanli ; Hui, Yannian ; Li, Yongdong

Journal of engineering (Stevenage, England), 2018, Vol.2018 (13), p.499-505 [Periódico revisado por pares]

The Institution of Engineering and Technology

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9
2D Finite Element Method Simulation of Lateral Resonant Tunneling Devices
2D Finite Element Method Simulation of Lateral Resonant Tunneling Devices
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2D Finite Element Method Simulation of Lateral Resonant Tunneling Devices

Shao, Zhi-An ; Porod, Wolfgang ; Lent, Craig S.

VLSI design (Yverdon, Switzerland), 1998-01, Vol.6 (1-4), p.131-135 [Periódico revisado por pares]

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10
2D-Hydrodynamic Energy Model Including Avalanche Breakdown Phenomenon for Power Field Effect Transistors
2D-Hydrodynamic Energy Model Including Avalanche Breakdown Phenomenon for Power Field Effect Transistors
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2D-Hydrodynamic Energy Model Including Avalanche Breakdown Phenomenon for Power Field Effect Transistors

Rousseau, M. ; De Jaeger, J. C.

VLSI Design, 2001-01, Vol.2001 (1-4), p.323-328 [Periódico revisado por pares]

Hindawi Limiteds

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