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Coordination-driven magnetic-to-nonmagnetic transition in manganese-doped silicon clusters
Coordination-driven magnetic-to-nonmagnetic transition in manganese-doped silicon clusters
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Coordination-driven magnetic-to-nonmagnetic transition in manganese-doped silicon clusters

Zamudio-Bayer, V. ; Leppert, L. ; Hirsch, K. ; Langenberg, A. ; Rittmann, J. ; Kossick, M. ; Vogel, M. ; Richter, R. ; Terasaki, A. ; Möller, T. ; v. Issendorff, B. ; Kümmel, S. ; Lau, J. T.

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2013-09, Vol.88 (11), Article 115425 [Periódico revisado por pares]

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Gate length scaling trends of drive current enhancement in CMOSFETs with dual stress overlayers and embedded-SiGe
Gate length scaling trends of drive current enhancement in CMOSFETs with dual stress overlayers and embedded-SiGe
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Gate length scaling trends of drive current enhancement in CMOSFETs with dual stress overlayers and embedded-SiGe

Flachowsky, S. ; Wei, A. ; Herrmann, T. ; Illgen, R. ; Horstmann, M. ; Richter, R. ; Salz, H. ; Klix, W. ; Stenzel, R.

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 2008-12, Vol.154, p.98-101 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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3
Field programmable spin-logic based on magnetic tunnelling elements
Field programmable spin-logic based on magnetic tunnelling elements
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Field programmable spin-logic based on magnetic tunnelling elements

Richter, R. ; Boeve, H. ; Bär, L. ; Bangert, J. ; Klostermann, U.K. ; Wecker, J. ; Reiss, G.

Journal of magnetism and magnetic materials, 2002-02, Vol.240 (1), p.127-129 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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4
On the consistency of the standard model for magnetoviscosity in an alternating magnetic field
On the consistency of the standard model for magnetoviscosity in an alternating magnetic field
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On the consistency of the standard model for magnetoviscosity in an alternating magnetic field

Zeuner, A ; Richter, R ; Rehberg, I

Journal of magnetism and magnetic materials, 1999-07, Vol.201 (1-3), p.191-194 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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5
Localized high spin states in transition-metal dimers: X-ray absorption spectroscopy study
Localized high spin states in transition-metal dimers: X-ray absorption spectroscopy study
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Localized high spin states in transition-metal dimers: X-ray absorption spectroscopy study

Lau, J. T. ; Hirsch, K. ; Langenberg, A. ; Probst, J. ; Richter, R. ; Rittmann, J. ; Vogel, M. ; Zamudio-Bayer, V. ; Möller, T. ; von Issendorff, B.

Physical review. B, Condensed matter and materials physics, 2009-06, Vol.79 (24), Article 241102

United States

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6
Experiments on the breakup of a liquid bridge of magnetic fluid
Experiments on the breakup of a liquid bridge of magnetic fluid
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Experiments on the breakup of a liquid bridge of magnetic fluid

Rothet, Alexander ; Richter, Reinhard

Journal of magnetism and magnetic materials, 1999-07, Vol.201 (1-3), p.324-327 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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7
Studies of GaAs surfaces by scanning tunnelling induced photon emission
Studies of GaAs surfaces by scanning tunnelling induced photon emission
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Studies of GaAs surfaces by scanning tunnelling induced photon emission

Horn, J. ; Richter, R. ; Hartnagel, H.L. ; Sprössler, C.A. ; Bischoff, M. ; Pagnia, H.

Materials science & engineering. B, Solid-state materials for advanced technology, 1993-06, Vol.20 (1), p.183-185 [Periódico revisado por pares]

Amsterdam: Elsevier B.V

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8
Arrays of magnetic tunnelling junctions for field programmable logic gates
Arrays of magnetic tunnelling junctions for field programmable logic gates
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Arrays of magnetic tunnelling junctions for field programmable logic gates

Reiss, G. ; Brückl, H. ; Meyners, D. ; Richter, R. ; Wecker, J.

Journal of magnetism and magnetic materials, 2004-05, Vol.272-276, p.E1497-E1498 [Periódico revisado por pares]

Elsevier B.V

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9
An oscillation mechanism of semiconductor breakdown due to magnetic field induced transverse motion of current filaments
An oscillation mechanism of semiconductor breakdown due to magnetic field induced transverse motion of current filaments
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An oscillation mechanism of semiconductor breakdown due to magnetic field induced transverse motion of current filaments

Kittel, A ; Hirsch, M ; Richter, R ; Clauss, W ; Rau, U ; Peinke, J ; Parisi, J ; Heubener, R P

Semiconductor science and technology, 1992-03, Vol.7 (3B), p.B486-B487 [Periódico revisado por pares]

BRISTOL: IOP Publishing

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10
Type-I intermittency in semiconductor breakdown: An experimental confirmation
Type-I intermittency in semiconductor breakdown: An experimental confirmation
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Type-I intermittency in semiconductor breakdown: An experimental confirmation

Richter, R ; Kittel, A ; Heinz, G ; Flätgen, G ; Peinke, J ; Parisi, J

Physical review. B, Condensed matter, 1994-04, Vol.49 (13), p.8738-8746 [Periódico revisado por pares]

United States

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