Propriedades opticas e eletricas de 'DELTA' doped em 'GA''AS' crescido por epitaxia por feixes moleculares
A C Notari A A Bernussi; B Schrappe; Pierre Basmaji; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada (14. 1991 Caxambu)
Programa e Resumos São Paulo : Sociedade Brasileira de Fisica, 1991
Sao Paulo Sociedade Brasileira de Fisica 1991
Localização:
IFSC - Inst. Física de São Carlos
(PROD001900 ) e outros locais(Acessar)
Tunneling spectroscopy and miniband structure of selenium 'delta'-doped 'GA''AS'
Pierre Basmaji A. C Notari; B Schrappe; Marcos Henrique Degani; Lidério Citrângulo Ioriatti Júnior; Oscar Hipolito; International Conference on Electronic Properties Two-Dimension Systems (9. 1991 Nara)
Abstracts Nara, 1991
Nara 1991
Localização:
IFSC - Inst. Física de São Carlos
(PROD001378 )(Acessar)
Photoreflectance characterization of 'gama'-doped p-GaAs
Ayrton A. Bernussi F Iikawa; Paulo Motisuke; Pierre Basmaji; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; International Conference of Modulation Spectroscopy (1990 San Diego)
Proceedings of SPIE Bellingham : International Society for Optical Engineering - SPIE v. 1286, p. 348-358, March 1990
Bellingham International Society for Optical Engineering - SPIE 1990
Localização:
IFSC - Inst. Física de São Carlos
(PROD000092 ) e outros locais(Acessar)
Photoreflectance analysis of periodically delta-doped GaAs
Ayrton A. Bernussi P Motisuke; Pierre Basmaji; A. C Notari; Máximo Siu Li; Oscar Hipólito; Symposium on Advances in Semiconductors and Superconductors : Physics Toward Device Application (1990 San Diego)
Abstracts Bellingham : International Society for Optical Engineering - SPIE, 1990
Bellingham International Society for Optical Engineering - SPIE 1990
Localização:
IFSC - Inst. Física de São Carlos
(PROD000094 ) e outros locais(Acessar)