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0.1 μm RFCMOS on high resistivity substrates for system on chip (SOC) applications
0.1 μm RFCMOS on high resistivity substrates for system on chip (SOC) applications
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0.1 μm RFCMOS on high resistivity substrates for system on chip (SOC) applications

YANG, J.-Y ; BENAISSA, K ; ASHBURN, S ; MADHANI, P ; BLYTHE, T ; SHICHIJO, H ; CRENSHAW, D ; WILLIAMS, B ; SRIDHAR, S ; AI, J ; BOSELLI, G ; ZHAO, S ; TANG, S.-P ; MAHALINGAM, N

Piscataway NJ: IEEE 2002

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2
0.13 μm CMOS Traveling-Wave Power Amplifier with On- and Off-Chip Gate-Line Termination
0.13 μm CMOS Traveling-Wave Power Amplifier with On- and Off-Chip Gate-Line Termination
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0.13 μm CMOS Traveling-Wave Power Amplifier with On- and Off-Chip Gate-Line Termination

Vasjanov, Aleksandr ; Barzdenas, Vaidotas

Electronics (Basel), 2020-01, Vol.9 (1), p.133 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

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3
0.13 μm Low-Power CMOS Current Starved VCO for Vibration Energy Harvesters
0.13 μm Low-Power CMOS Current Starved VCO for Vibration Energy Harvesters
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0.13 μm Low-Power CMOS Current Starved VCO for Vibration Energy Harvesters

Almeida, Goncalo ; Yang, Zhaochu ; Dong, Tao ; Mendes, Paulo ; Wen, Yumei ; Li, Ping

IEEE transactions on electron devices, 2021-05, Vol.68 (5), p.2167-2172 [Periódico revisado por pares]

New York: IEEE

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4
0.18um CMOS integrated chipset for 5.8GHz DSRC systems with +10dBm output power
0.18um CMOS integrated chipset for 5.8GHz DSRC systems with +10dBm output power
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0.18um CMOS integrated chipset for 5.8GHz DSRC systems with +10dBm output power

Shin, Sangho ; Yun, Seokoh ; Cho, Sanghyun ; Kim, Jongmoon ; Kang, Minseok ; Oh, Wonkap ; Kang, Sung-Mo

2008 IEEE International Symposium on Circuits and Systems, 2008, p.1958-1961

IEEE

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5
0.35um SiGe BiCMOS front-end amplifier for 10Gb/s optical receiver
0.35um SiGe BiCMOS front-end amplifier for 10Gb/s optical receiver
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0.35um SiGe BiCMOS front-end amplifier for 10Gb/s optical receiver

Hou Fenfei ; Duan Jingxing

2008 International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology, 2008, Vol.1, p.249-252

IEEE

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6
0.35 μm CMOS–MEMS low-mechanical-noise micro accelerometer
0.35 μm CMOS–MEMS low-mechanical-noise micro accelerometer
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0.35 μm CMOS–MEMS low-mechanical-noise micro accelerometer

Chen, Ja-Hao ; Huang, Chih-Wei

Microsystem technologies : sensors, actuators, systems integration, 2018, Vol.24 (1), p.299-304 [Periódico revisado por pares]

Berlin/Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg

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7
0.5-V Frequency Dividers in Folded MCML Exploiting Forward Body Bias: Analysis and Comparison
0.5-V Frequency Dividers in Folded MCML Exploiting Forward Body Bias: Analysis and Comparison
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0.5-V Frequency Dividers in Folded MCML Exploiting Forward Body Bias: Analysis and Comparison

Centurelli, Francesco ; Scotti, Giuseppe ; Palumbo, Gaetano

Electronics (Basel), 2021-06, Vol.10 (12), p.1383 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

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8
A 0.0012 mm[sup.2] 6-bit 700 MS/s 1 mW Calibration-Free Pseudo-Loop-Unrolled SAR ADC in 28 nm CMOS
A 0.0012 mm[sup.2] 6-bit 700 MS/s 1 mW Calibration-Free Pseudo-Loop-Unrolled SAR ADC in 28 nm CMOS
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A 0.0012 mm[sup.2] 6-bit 700 MS/s 1 mW Calibration-Free Pseudo-Loop-Unrolled SAR ADC in 28 nm CMOS

An, Eun-Ji ; Oh, Dong-Ryeol

Electronics (Basel), 2022-06, Vol.11 (11) [Periódico revisado por pares]

MDPI AG

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9
A 0.00426 mm[sup.2] 77.6-dB Dynamic Range VCO-Based CTDSM for Multi-Channel Neural Recording
A 0.00426 mm[sup.2] 77.6-dB Dynamic Range VCO-Based CTDSM for Multi-Channel Neural Recording
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A 0.00426 mm[sup.2] 77.6-dB Dynamic Range VCO-Based CTDSM for Multi-Channel Neural Recording

Wang, Shiwei ; Yang, Xiaolin ; Wang, Chaohan ; Vilouras, Anastasios ; Lopez, Carolina Mora

Electronics (Basel), 2022-11, Vol.11 (21) [Periódico revisado por pares]

MDPI AG

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10
A 0.17 pJ/bit 28 Gb/s/pin Single-Ended PAM-4 Transmitter for On-Chip Short-Reach Unterminated Channels
A 0.17 pJ/bit 28 Gb/s/pin Single-Ended PAM-4 Transmitter for On-Chip Short-Reach Unterminated Channels
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A 0.17 pJ/bit 28 Gb/s/pin Single-Ended PAM-4 Transmitter for On-Chip Short-Reach Unterminated Channels

Park, Soyeon ; Kim, Jintae

Electronics (Basel), 2022-08, Vol.11 (16), p.2525 [Periódico revisado por pares]

Basel: MDPI AG

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