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Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico.
Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico.
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Tese de Doutorado 		Adicionar ao Meu Espaço

Estudo de transistores SOI de múltiplas portas com óxidos de porta de alta constante dielétrica e eletrodo de porta metálico.

Rodrigues, Michele

Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP; Universidade de São Paulo; Escola Politécnica 2010-11-30

Acesso online. A biblioteca também possui exemplares impressos.

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Deste Autor:

  1. Martino, J
  2. Rodrigues, M
  3. Sonnenberg, V

Neste Assunto:

  1. Multiple-Gate Transistors
  2. Transistores De Múltiplas Portas
  3. Dielétricos
  4. Semicondutores
  5. Silício

  • Realização: ABCD-USP USP   Logos de Redes Sociais: Freepik

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